本公开总体涉及一种用于工艺腔室的辐射屏蔽件，所述辐射屏蔽件改善基板温度均匀性。所述辐射屏蔽件可以设置在所述工艺腔室的狭缝阀门与设置在所述工艺腔室内的基板支撑件之间。在一些实施方式中，所述辐射屏蔽件可以设置在所述工艺腔室的加热器下。此外，...

根据本公开内容的一个方面，提出一种光学检查系统(100)，用于检查柔性基板(10)。此光学检查系统包括基板支撑件(20)，基板支撑件(20)具有经构造以沿着基板传输路径(T)引导基板的至少部分凸出的基板支撑表面(22)，基板支撑件设置在...

提供了用于处理硅基板的方法和装置。在某些实现方式中，所述方法可包含下列步骤：提供具有孔的硅基板，所述孔的底部处含有暴露的硅接触表面；在暴露的硅接触表面上沉积金属种晶层；以及通过使电流流经硅基板的背侧，将硅基板暴露于电镀工艺，以在金属种晶...

描述一种用于处理基板上的薄膜的设备。所述设备包括：真空腔室，所述真空腔室包括外壳、后壁和可移除闭合板；处理滚筒，所述处理滚筒在真空腔室内布置在后壁与可移除闭合板之间，所述处理滚筒至少部分地被处理区域包围；第一工艺分隔壁部分，所述第一工艺...

本公开内容提供了一种用于在真空沉积工艺中保持基板(10)的设备(100)。设备(100)包括：支撑表面(112)；电极布置(120)，所述电极布置(120)具有多个电极(122)，所述电极布置(120)经构造以提供作用在基板(10)和掩...

本公开内容提供保持布置(100)。用于保持基板的保持布置(100)包括：主体部分(110)，所述主体部分(110)具有第一侧(112)；干燥粘合剂材料(120)，所述干燥粘合剂材料(120)设于主体部分(110)的第一侧(112)上；密...

描述了一种用于连接至分配组件的喷嘴(100)，分配组件用于将已蒸发的材料从材料源引导至真空腔室中。喷嘴包括：用于接收已蒸发的材料的喷嘴入口(110)；用于将已蒸发的材料释放至真空腔室的喷嘴出口(120)；以及在流动方向(111)上从喷嘴...

本文描述的实施方案一般涉及增材制造。更具体言之，本文公开的实施方案涉及用于经由三维打印(或3D打印)工艺形成物品的配方和工艺。在一个实施方案中，提供了一种增材制造方法。该方法包含在平台之上分配第一进料层。进料包括粉末混合物，该粉末混合物...

描述了形成钨膜的方法，包含以下步骤：在氧化物表面上形成硼籽晶层、在硼籽晶层上的任选的钨起始层以及在硼籽晶层或钨起始层上的含钨膜。还描述了包含氧化物表面上的硼籽晶层以及任选的钨起始层和含钨膜的膜堆叠。

描述一种用于在基板(10)上沉积源材料的蒸发源(100)。所述蒸发源包括：蒸发坩埚(104)，其中所述蒸发坩埚被配置为蒸发源材料；分配单元(130)，所述分配单元具有一个或多个出口(212)，其中分配单元与蒸发坩埚流体连通，并且其中一个...

描述了加热器组件，所述加热器组件包括具有表面和中心轴线的圆柱形主体，所述加热器组件包括多个加热元件。所述多个加热元件在所述圆柱形主体的所述表面上轴向地间隔开。所述加热元件中的每一个形成轴向间隔开的加热区。每个加热元件具有螺旋形状，所述螺...

本文提供一种半导体处理设备的耐腐蚀涂层与制造半导体处理设备的耐腐蚀涂层的方法。在某些实施方式中，一种处理半导体处理腔室部件的方法包括：在包含中性电解质与阻抗材料的阳极处理溶液中，阳极处理包含含铝主体的半导体处理腔室部件，以在含铝主体顶上...

本文中所述的实施方式涉及用于执行原子层蚀刻(ALE)的设备和方法。脉冲式等离子体产生和针对等离子体残光的后续偏压应用可提供改良的ALE特性。本文中所述的设备提供了从一或多个等离子体源产生等离子体和偏压等离子体残光以促进从基板移除材料。

本文提供用于形成具有钨衬垫层的金属触点的方法。在一些实施方式中，一种处理基板的方法包括：在第一基板处理腔室内将基板暴露至等离子体以沉积钨衬垫层，该等离子体是由第一气体形成，该第一气体包括金属有机钨前驱物气体或无氟卤化钨前驱物，其中该钨衬...

本发明的目的是提供一种卷材基板处理系统，所述卷材基板处理系统允许卷材基板在垂直于地面的方向上绕辊缠绕或从辊解绕，从而防止粒子、电弧等。本发明提供了一种卷材基板处理系统，包括：装载辊(100)，待处理的卷材基板(W)绕着所述装载辊缠绕；至...

本公开内容提供一种用于在基板(10)上沉积材料的设备(100)。设备(100)包括真空腔室(110)；至少一个沉积源(120)，位于真空腔室(110)中；塑形装置(130)，位于所述至少一个沉积源(120)处，其中塑形装置(130)经构...

本文所述的实现方式提供一种像素化静电夹盘，该像素化静电夹盘能够对静电夹盘与置于该静电夹盘上的基板之间的RF耦接进行侧向调谐和方位角调谐。在一个实施例中，像素化静电夹盘(ESC)可包括：电介质体，具有工件支撑表面，该工件支撑表面配置成在其...

根据本公开案，提供一种用于处理柔性基板的基板处理设备，所述基板处理设备包含：真空腔室，配置成被抽成真空并配置成具有在其中提供的处理气体；处理模块，适配用于处理所述柔性基板，其中所述处理模块设置在所述真空腔室内；以及放电组件，配置用于产生...

本公开内容涉及一种工件载体、一种用于承载硅晶片的静电基板载体和一种等离子体处理腔室。描述了在热应力方面是平衡的、具有触点的基板载体。在一个示例中，工件载体具有：刚性基板，所述刚性基板被配置用于支撑待承载进行处理的工件；在所述基板之上的第...

本公开内容的实现方式提供了一种用于在热处理期间改良气体分布的设备。本公开内容的一个实现方式提供了一种用于热处理基板的设备。所述设备包括主体、成角度的气源组件、和气体注入通道。所述气体注入通道具有第一半角和第二半角。第一半角不同于第二半角...