提供一种用于在处理腔室中的沉积期间掩蔽基板(10)的掩模布置(100)。掩模布置包括用于支撑基板(10)的第一板(110)和用于保持掩模(130)的第二板(120)。掩模(130)布置在基板(10)与第二板(120)之间。第一板(110...

本文中所述的实施方式大体涉及在半导体基板的热处理期间的高温测量。更具体地，实施方式是关于用于热处理腔室的高温测量过滤器。在某些实施方式中，高温测量过滤器选择性地过滤选定的能量波长以改良高温计测量。高温测量过滤器可具有多种几何形状，这些几...

本文公开的实施方式总体提供一种用于处理基板的基板支撑组件。在一个实施方式中，所述基板支撑组件包括一个或多个升降杆，每个升降杆包括第一末端和第二末端，所述第二末端通过轴耦接至所述第一末端，所述第一末端具有平面的顶表面和扩口部分，所述扩口部...

提供了用于在等离子体腔室的串接处理区域中处理基板的方法和设备。在一个示例中，设备被体现为等离子体腔室，等离子体腔室包括具有第一腔室侧部和第二腔室侧部的腔室主体，第一腔室侧部具有第一处理区域，第二腔室侧部具有第二处理区域。腔室主体具有前壁...

基板支撑组件包括陶瓷定位盘与导热基底，该导热基底具有与陶瓷定位盘的下表面接合的上表面。该导热基底包括数个热区与数个热隔离器，该数个热隔离器从导热基底的上表面朝向导热基底的下表面延伸，其中该数个热隔离器中的每一个提供导热基底的上表面处的数...

本文描述的实施方式大体涉及具有用于预加热处理气体的旋转器盖的处理设备。所述设备包括腔室主体，所述腔室主体具有界定内部处理区的侧壁和底壁。所述腔室还包括设置在所述腔室主体的内部处理区中的基板支撑件、环支撑件和旋转器盖。所述旋转器盖设置在环...

在此揭示一种在催化体CVD沉积期间选择性控制催化材料的沉积速率的方法。所述方法可包括以下步骤：将基板定位在处理腔室中，所述基板包括表面区域和间隙区域二者；将包含钨的第一成核层保形地沉积于所述基板的暴露表面上；用活化氮处理所述第一成核层的...

本申请涉及衬管组件、等离子体处理装置和等离子体处理基板的方法。本发明揭示一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置包含腔室盖、腔室主体及支撑组件。该腔室主体界定处理容积，该处理容积用于含有等离子体，该腔室主体用于支撑该腔室盖。该腔室主体由...

一种用于制品的表面的多层涂层包含扩散阻障层和抗侵蚀层。扩散阻障层可以是氮化物膜，包括、但不限于TiNx、TaNx、Zr3N4和TiZrxNy。抗侵蚀层可以是稀土氧化物膜，包括、但不限于YF3、Y2O3、Er2O3、Al2O3、ZrO2、...

本公开内容涉及一种用于基板处理腔室的盖体及一种处理腔室。本公开内容的实施方式包括用于降低处理腔室内的颗粒产生的方法和设备。在一个实施方式中，本实用新型提供一种用于基板处理腔室的盖体。盖体包括：盖构件，所述盖构件具有第一表面和与第一表面相...

本文提供一种用于基板处理系统中的基板支撑夹盘。在一些实施方式中，用于基板处理腔室中的基板支撑件可包括：静电夹盘，所述静电夹盘具有顶部基板支撑表面与底部表面；以及冷却环组件，所述冷却环组件具有中心开孔，所述冷却环组件设置于所述静电夹盘的底...

此处描述的实施方式大体上关于与热处理腔室中的灯头组件一起使用的柔性支座。在一个实施方式中，所述灯头组件可包括：灯头，具有一个或多个固定的灯头位置；灯泡；灯座，具有支座接触适配器；以及柔性支座，能够附接和定位所述灯组件。所述柔性支座可包括...

热耦合的石英圆顶热沉。本文描述的实施方式大体关于用于处理基板的设备。该设备大体包括处理腔室，该处理腔室具有在该处理腔室中的基板支撑件。多盏灯经定位以提供穿过光学透明窗而至基板的辐射能，基板定位于基板支撑件上。所述多盏灯定位于灯箱中。冷却...

提供了狭缝阀门和清洁方法。狭缝阀包括：狭缝阀门，被配置为密封处理腔室的开口，狭缝阀门包含面向处理腔室的处理容积的表面；及非多孔阳极化涂层，在狭缝阀门的表面上。清洁方法包括以下步骤：将狭缝阀门浸入包含去离子水的槽中；在约6W/cm2至约1...

开发了一种简易的溶液处理方法以于锂离子负电极上实现均匀、可扩展的稳定化锂金属粉末涂层。开发了用于稳定化锂金属粉末涂层的溶剂和粘合剂系统，包括选择溶剂、聚合物粘合剂，及提高聚合物浓度。增强粘合剂溶液为备于二甲苯中的1％浓度的聚合物粘合剂，...

本公开内容提供用于在半导体芯片的环绕式水平栅极(hGAA)结构中以期望的材料形成用于纳米线结构的纳米线间隔物的方法。在一个实例中，在基板上形成用于纳米线结构的纳米线间隔物的方法包含：在基板上执行横向蚀刻工艺，该基板上设置有多材料层，其中...

提供一种用于在真空腔室(102)中传送基板载体(10)的设备(100)。设备(100)包括：第一轨道(110)，提供基板载体(10)的第一传送路径(T1)；以及传送装置(200)，被配置为用于从第一轨道(110)上的第一位置无接触地移动...

本公开内容的实施方式涉及改善的硬模材料和用于基板的图案化和蚀刻的方法。多个硬模可与图案化和蚀刻工艺共同使用以实现先进的装置架构。在一个实施方式中，第一硬模和第二硬模设置于基板上，所述基板具有设置于所述基板上的各种材料层。在第一蚀刻工艺期...

在本公开内容的一实施方式中提供一种用于在工件上的特征中沉积金属的方法。该方法包括在工件上的第一金属层上电化学沉积第二金属层，所述工件具有在介电层内的两种不同尺寸的至少两个特征，其中该第二金属层为铜层，且其中该第一金属层包括选自于由钴及镍...

本公开内容的实施方式一般地涉及用于形成具有金属氧化物层的TFT的方法。所述方法可以包括形成金属氧化物层并且用含氟的气体或等离子体处理金属氧化物层。对金属氧化物层的氟处理帮助填充金属氧化物沟道层中的氧空位，从而产生更稳定的TFT并且防止T...