具有串接处理区域的等离子体腔室制造技术

提供了用于在等离子体腔室的串接处理区域中处理基板的方法和设备。在一个示例中，设备被体现为等离子体腔室，等离子体腔室包括具有第一腔室侧部和第二腔室侧部的腔室主体，第一腔室侧部具有第一处理区域，第二腔室侧部具有第二处理区域。腔室主体具有前壁和底壁。第一腔室侧部端口、第二腔室侧部端口和真空端口穿过底壁设置。真空端口是处理区域中的每一者的排气路径的至少一部分。真空壳体从前壁延伸，并且限定真空端口的第二部分。基板支撑件设置在处理区域中的每一者中，并且杆耦接到每个基板支撑件。每个杆延伸穿过腔室侧部端口。

【技术实现步骤摘要】
具有串接处理区域的等离子体腔室
本文所述实现方式整体涉及等离子体半导体基板处理系统。更特定地，实现方式涉及具有用于同时处理两个基板的串接处理区域的等离子体腔室。
技术介绍
半导体处理一般涉及沉积材料和将材料从基板移除(“蚀刻”)。具有串接处理区域的等离子体腔室在半导体处理中用来允许同时处理两个基板。等离子体腔室包括用于处理至少一个基板的第一腔室侧部和用于处理第二基板的第二腔室侧部。腔室侧部各自包括设置在处理区域中的可移动基板支撑件。每个基板支撑件包括在处理区域内的等离子体或其他处理期间支撑基板的基板支撑件表面。基板支撑件进一步包括延伸穿过位于等离子体腔室的底壁中的腔室侧部端口的杆。常规的是，使用具有经由真空端口耦接到两个处理区域的真空泵的共用泵送系统将等离子体腔室抽气至低于大气压力(即，真空)。真空端口位于等离子体腔室的底壁中并且通向两个处理区域。真空泵将处理的副产物从等离子体腔室内部通过真空端口泵送出。共用泵送系统减少部件和操作成本。等离子体腔室(诸如上述)在基板处理中越来越多使用先进技术(包括电、射频(RF)、气流和热控制)来处置经减小的器件几何形状并且实现基板均匀性，从而具有改善的良率和高生产量而每基板的成本较低。电力线、供气线和控制线(统称功用线)用于将基板支撑件中使用的先进技术通过杆耦接到气源、电源和位于等离子体腔室外的控制器。对基板支撑件的改善通常受限于杆大小，并且在基板支撑件内没有可用于铺设实现附加先进技术需要的附加功用线的空间。因此，需要用于处理设备的改善的方法和设备。
技术实现思路
本公开内容的实施方式描述用于处理基板的方法和设备。在一个示例中，用于处理基板的设备包括具有第一腔室侧部和第二腔室侧部的腔室主体，第一腔室侧部具有第一处理区域，第二腔室侧部具有第二处理区域。腔室主体包括前壁、与前壁相对的后壁、和连接在前壁与后壁之间的底壁。第一腔室侧部端口和第二腔室侧部端口穿过底壁设置，并且真空端口设置在底壁上。底壁限定真空端口的第一部分，并且真空端口是第一处理区域和第二处理区域中的每一者的排气路径的至少一部分。真空壳体从前壁延伸，并且真空壳体限定真空端口的第二部分。第一基板设置在第一处理区域中。第一杆耦接到第一基板支撑件，并且第一杆延伸穿过第一腔室侧部端口。第二基板支撑件设置在第二处理区域中，并且第二杆耦接到第二基板支撑件。第二杆延伸穿过第二腔室侧部端口。在另一实施方式中，用于处理基板的设备包括腔室主体，腔室主体具有由隔壁分开的第一处理区域和第二处理区域。腔室主体具有底壁和真空端口，底壁为第一处理区域和第二处理区域定界，真空端口具有穿过底壁设置的第一部分。真空端口流体地耦接到第一处理区域和第二处理区域。腔室主体进一步包括前壁和真空壳体，前壁连接到底壁，真空壳体连接到前壁并且从前壁向外延伸。真空壳体具有形成在真空壳体中的真空端口的第二部分。在另一实施方式中，等离子体腔室包括第一基板支撑件，第一基板支撑件用于在处理区域中支撑基板。第一杆耦接到第一基板支撑件，并且具有延伸穿过第一杆的第一纵向轴线。第二基板支撑件在处理区域中支撑基板，并且第二杆耦接到基板支撑件。第二基板支撑件具有延伸穿过第二杆的第二纵向轴线。腔室主体具有第一腔室侧部和第二腔室侧部，第一腔室侧部包括第一处理区域，第二腔室侧部包括第二处理区域。腔室主体限定用于第一腔室侧部的第一排气路径和用于第二腔室侧部的第二排气路径。腔室主体包括前壁、连接到前壁的底壁。第一腔室侧部端口和第二腔室侧部端口设置在底壁中。第一杆延伸穿过第一腔室侧部端口，并且第二杆延伸穿过第二腔室侧部端口。第一腔室侧部端口和第二腔室侧部端口具有延伸穿过第一杆的第一纵向轴线和第二杆的第二纵向轴线的X轴。真空端口设置在底壁中，并且定位在第一腔室侧部端口与第二腔室侧部端口之间。真空端口朝向前壁定位并位于腔室侧部端口的水平轴线下方。第一排气路径从第一处理区域延伸并延伸到真空端口，并且第二排气路径从第二处理区域延伸并延伸到真空端口。附图简述为了可详细地理解本公开内容的上述特征所用方式，在上文简要概述的本公开内容的更特定的描述可以参考实现方式进行，实现方式中的一些在附图中示出。然而，应当注意，随附附图仅示出了本公开内容的所选择的实现方式，并且因此不应视为限制本公开内容的范围，因为本公开内容可允许其他等效实现方式。图1描绘了根据一个实现方式的等离子体腔室的腔室主体的顶透视图；图2描绘了根据一个实现方式的等离子体腔室的前示意截面图。图3A描绘了根据一个实现方式的等离子体腔室的腔室主体的底透视图。图3B描绘了根据一个实现方式的等离子体腔室的腔室主体的顶透视图。图3C描绘了根据一个实现方式的等离子体腔室的腔室主体的底示意图。图4A描绘了根据一个实现方式的等离子体腔室的腔室主体的顶透视示意图。图4B描绘了根据一个实现方式的等离子体腔室的腔室主体的底透视示意图。图4C描绘了根据一个实现方式的等离子体腔室的腔室主体的底示意图。为了促进理解，已尽可能使用相同元件符号指定各图所共有的相同元件。另外，一个实现方式中的要素可有利地适于用于本文中描述的其他实现方式。具体实施方式本文中的实施方式整体提供适于在共用单个真空端口的串接处理区域中同时处理多个基板的设备。设备可体现为等离子体腔室，其结合单个基板工艺腔室和多个基板进行处置的优点来实现高质量基板处理、高基板生产量和经减小的占地面积。等离子体腔室包括具有第一腔室侧部和第二腔室侧部的腔室主体。腔室主体适于处置在腔室内部区域中使用的多个先进技术。图1和图2分别示出了根据实施方式的等离子体腔室100的前透视图和截面图。参考图1，等离子体腔室100包括具有第一腔室侧部104和第二腔室侧部106的腔室主体102。第一腔室侧部104和第二腔室侧部106中的每一者包括相应腔室内部区域110、112。腔室主体102包括内壁130、132、顶壁122、底壁126、侧壁124A、124B、和后壁134。腔室内部区域110、112由内壁130、132定界。基板传送端口120延伸穿过后壁134并延伸到腔室内部区域110、112中。真空端口壳体182耦接到腔室主体102。在一个示例中，真空端口壳体182与通向第一腔室侧部104的腔室内部区域110的第一检修端口180A和通向第二腔室侧部106的腔室内部区域110的第二检修端口180B等距离地设置。检修端口180A、180B具有可打开盖件(未示出)并且允许进入腔室内部区域110、112来检查和修理。真空端口壳体182具有壳体侧壁184和壳体顶壁186。在一些实施方式中，真空端口壳体182与腔室主体102的前壁128整体地形成。在一些实施方式中，腔室主体102和真空端口壳体182由单块材料制成。在其他实施方式中，真空端口壳体182和腔室主体102可以是密封地紧固或焊接在一起的单独部件。腔室主体102和真空端口壳体182可由铝或其他金属材料制成。壳体侧壁184从腔室主体102的前壁128延伸。在一个示例中，壳体侧壁184具有凸形或部分圆柱的形状。前壁128与腔室主体102的后壁134相对。在一些实施方式中，前壁128和相对的后壁134是平行的，例如，前壁128在检修端口180A、180B之间的区段平行于后壁134的相对的区段。壳体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于处理基板的设备，包括：腔室主体，具有第一腔室侧部和第二腔室侧部，所述第一腔室侧部具有第一处理区域，所述第二腔室侧部具有第二处理区域，所述腔室主体包括：前壁、与所述前壁相对的后壁、和连接在所述前壁与所述后壁之间的底壁；第一腔室侧部端口和第二腔室侧部端口，穿过所述底壁设置；真空端口，穿过所述底壁设置，其中所述底壁限定所述真空端口的第一部分，并且其中所述真空端口是所述处理区域中的每一者的排气路径的至少部分；和真空壳体，从所述前壁延伸，并且所述真空壳体限定所述真空端口的第二部分；第一基板支撑件和第一杆，所述第一基板支撑件设置在所述第一处理区域中，所述第一杆耦接到所述第一基板支撑件，所述第一杆延伸穿过所述第一腔室侧部端口；和第二基板支撑件和第二杆，所述第二基板支撑件设置在所述第二处理区域中，所述第二杆耦接到所述第二基板支撑件，所述第二杆延伸穿过所述第二腔室侧部端口。

【技术特征摘要】
2017.03.08 US 15/453,8681.一种用于处理基板的设备，包括：腔室主体，具有第一腔室侧部和第二腔室侧部，所述第一腔室侧部具有第一处理区域，所述第二腔室侧部具有第二处理区域，所述腔室主体包括：前壁、与所述前壁相对的后壁、和连接在所述前壁与所述后壁之间的底壁；第一腔室侧部端口和第二腔室侧部端口，穿过所述底壁设置；真空端口，穿过所述底壁设置，其中所述底壁限定所述真空端口的第一部分，并且其中所述真空端口是所述处理区域中的每一者的排气路径的至少部分；和真空壳体，从所述前壁延伸，并且所述真空壳体限定所述真空端口的第二部分；第一基板支撑件和第一杆，所述第一基板支撑件设置在所述第一处理区域中，所述第一杆耦接到所述第一基板支撑件，所述第一杆延伸穿过所述第一腔室侧部端口；和第二基板支撑件和第二杆，所述第二基板支撑件设置在所述第二处理区域中，所述第二杆耦接到所述第二基板支撑件，所述第二杆延伸穿过所述第二腔室侧部端口。2.如权利要求1所述的设备，其中所述腔室主体包括设置在所述第一处理区域与所述第二处理区域之间的隔壁，所述隔壁分开所述处理区域中的每一者的所述排气路径，并且其中所述隔壁的至少一部分设置在所述真空壳体中。3.如权利要求1所述的设备，其中所述底壁具有与所述真空端口相邻的周界并且所述真空端口具有延伸穿过所述底壁的表面面积，并且其中所述真空端口的所述表面面积的至少50％从所述底壁的与所述真空端口相邻的所述周界向外延伸。4.如权利要求1所述的设备，其中所述腔室主体进一步包括：第一基板传送端口和第二基板传送端口，所述第一基板传送端口用于将基板装载到所述第一处理区域中，所述第二基板传送端口用于将基板装载到所述第二处理区域中。5.如权利要求1所述的设备，其中所述第一基板支撑件具有延伸穿过所述第一杆的第一纵向轴线并且所述第二基板支撑件具有延伸穿过所述第二杆的第二纵向轴线，其中所述真空端口定位在所述第一腔室侧部端口与所述第二腔室侧部端口之间，其中所述第一腔室侧部端口和所述第二腔室侧部端口具有延伸穿过所述第一杆的所述第一纵向轴线和所述第二杆的所述第二纵向轴线的X轴，并且其中所述真空端口朝向所述前壁定位并完全地位于所述第一腔室侧部端口和所述腔室侧部端口的所述X轴下方。6.如权利要求1所述的设备，其中所述前壁具有通向所述第一腔室中的所述第一处理区域的第一检修端口和通向所述第二腔室中的所述第二处理区域的第二检修端口，其中所述真空端口设置在所述第一检修端口与所述第二检修端口之间，并且其中所述前壁和相对的所述后壁在所述第一检修端口与所述第二检修端口之间是平行的。7.如权利要求1所述的设备，其中所述真空壳体包括可在打开位置与关闭位置之间移动的盖组件。8.一种用于处理基板的设备，包括：腔室主体，具有由隔壁分开的第一处理区域和第二处理区域，所述腔室主体包括：底壁，为所述第一处理区域和所述第二处理区域定界；真空端口，具有穿过所述底壁设置的第一部分，所述真空端口流体地耦接到所述第一处理区域和所述第二处理区域；前壁，连接到所述底壁；和真空壳体，连接到所述前壁并且从所述前壁向外延伸，所述真空壳体具有形成在所述真空壳体中的所述真空端口的第二部分。9.如权利要求8所述的设备，其中所述隔壁延伸到所述真空壳体中。10.如权利要求8所述的设备，其中所述底壁具有与所述真空端口相邻的周界，所述真空端口具有延伸穿过所述底壁的表面面积，并且其中所述真空端口的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·阮，Y·萨罗德维舍瓦纳斯，X·Y·常，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US