反应腔室及半导体加工设备制造技术

本发明专利技术提供一种反应腔室及半导体加工设备，其包括法拉第屏蔽环和用于支撑该法拉第屏蔽环的绝缘环，在绝缘环的支撑面设置有凹部，且在法拉第屏蔽环的被支撑面设置有凸部，该凸部位于凹部内，其中，凹部包括朝外方向的第一侧面，凸部包括朝内方向的第二侧面，第一侧面和第二侧面相贴合；凹部被设置为使凸部在受热膨胀时不受凹部的限制。本发明专利技术提供的反应腔室，其不仅可以保证绝缘环在高温状态下不被破坏，而且可以确保法拉第屏蔽环的准确定位，从而可以提高工艺均匀性、稳定性和设备可靠性。

【技术实现步骤摘要】
反应腔室及半导体加工设备
本专利技术涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种反应腔室及半导体加工设备。
技术介绍
随着摩尔定律的发展，在超大规模集成电路的半导体加工设备的生产中，经常要对于高深宽比的结构，例如通道、沟槽和通孔进行金属涂敷，这可以增加反应腔室内等离子体中的离子密度，以获得更好的深孔淀积能力。为了增加腔室中离子的比重，现有的半导体加工设备是在反应腔室的外围增加射频线圈，用于将电磁能量耦合进反应腔室内，从而增大了离子比重，获得了良好的工艺性能。在金属沉积的反应腔室中，很容易在采用绝缘介质的腔室内壁上形成金属屏蔽，导致电磁能量被屏蔽在腔室之外，为此，法拉第屏蔽装置则被应用到反应腔室中，用于保证射频能量通过射频线圈顺利耦合进反应腔室内。图1为现有的半导体加工设备的结构图。如图1所示，半导体加工设备包括反应腔室101、射频线圈105和射频电源107，其中，在反应腔室101内设置有基座103，用以承载被加工工件104；在反应腔室101的顶部，且位于基座103的顶部设置有靶材102；射频线圈105环绕设置在反应腔室101的侧壁(采用绝缘介质材料制作)外侧；射频电源107通过匹配器106与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反应腔室，包括法拉第屏蔽环和用于支撑所述法拉第屏蔽环的绝缘环，其特征在于，在所述绝缘环的支撑面设置有凹部，且在所述法拉第屏蔽环的被支撑面设置有凸部，所述凸部位于所述凹部内，其中，所述凹部包括朝外方向的第一侧面，所述凸部包括朝内方向的第二侧面，所述第一侧面和第二侧面相贴合；所述凹部被设置为使所述凸部在受热膨胀时不受所述凹部的限制。

【技术特征摘要】
1.一种反应腔室，包括法拉第屏蔽环和用于支撑所述法拉第屏蔽环的绝缘环，其特征在于，在所述绝缘环的支撑面设置有凹部，且在所述法拉第屏蔽环的被支撑面设置有凸部，所述凸部位于所述凹部内，其中，所述凹部包括朝外方向的第一侧面，所述凸部包括朝内方向的第二侧面，所述第一侧面和第二侧面相贴合；所述凹部被设置为使所述凸部在受热膨胀时不受所述凹部的限制。2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述凹部为在所述绝缘环的支撑面的边沿形成的台阶。3.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述凹部还包括朝内方向的第三侧面，所述凸部包括朝外方向的第四侧面；并且，所述第三侧面与所述第四侧面相对，且在二者之间具有第一间隙，并且所述第一间隙在水平方向上的宽度满足使所述凸部在受热膨胀时不受所述凹部的限制。4.根据权利要求3所述的反应腔室，其特征在于，所述第一间隙在水平方向上的宽度大于3mm。5.根据权利要求1-4任意一项所述的反应腔室，其特征在于，所述凹部和所述凸部均为闭合的环体；或者，所述凹部由多个弧形的子凹部组成，且所述多个子凹部沿所述绝缘环的周向间隔分布；所述凸部由多个弧形的子凸部组成，且所述子凸部的数量与所述子凹部的数量相对应，并且各个所述子凸部一一对应地位于所述子凹部内。6.根据权利要求1-4任意一项所述的反应腔室，其特征在于，在所述法拉第屏蔽环的被支撑面...

【专利技术属性】
技术研发人员：佘清，张彦召，赵梦欣，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11