本公开内容的实施方式提供了一种计量系统。在一个示例中，计量系统包括：激光源，适用于发射光束；透镜，适用于从激光源接收光束的至少一部分；第一分束器，定位为接收穿过透镜的光束的至少部分；第一束移位装置，适用于致使从分束器接收的光束的一部分被...

本公开内容的实施方式涉及用于在处理腔室中使用的改良的屏蔽物。在一个实施方式中，所述屏蔽物包括具有圆柱形状的中空主体和形成在主体的内表面上的涂覆层，所述圆柱形状大致上关于所述主体的中心轴对称。涂覆层由与在所述处理腔室中使用的溅射靶相同的材...

根据本公开内容的一方面，提供一种利用至少一个阴极组件(10)涂布基板(100)的方法，此至少一个阴极组件(10)具有溅射靶材(20)及磁体组件(25)，磁体组件(25)围绕旋转轴(A)是可旋转的。此方法包括：当以往复方式在第一扇区(12...

提供一种用于利用至少一个阴极组件(10)涂布基板(100)的方法，至少一个阴极组件(10)具有三个或更多个可旋转靶(20)，三个或更多个可旋转靶(20)各包括位于其中的磁体组件(25)。所述方法包括：旋转磁体组件(25)至相对于平面(2...

化学机械抛光系统包含：基板支撑件，所述基板支撑件经配置以保持基板；抛光垫组件，所述抛光垫组件包含膜及抛光垫部分，所述抛光垫部分具有抛光表面、抛光垫载具及驱动系统，所述驱动系统经配置以造成所述基板支撑件与所述抛光垫载具之间的相对运动。所述...

一种在制品上施加多层抗等离子体涂层的方法包括执行镀覆或ALD以在制品上形成保形的第一抗等离子体层，其中保形的第一抗等离子体层被形成在制品的表面上以及制品中的高深宽比特征的壁上。保形的第一抗等离子体涂层具有大约0％的孔隙率和大约200纳米...

一种制品，包括具有涂层的主体。所述涂层包括通过在钇基氧化物涂层上进行氟化工艺或者在钇基氟化物涂层上进行氧化工艺产生的Y‑O‑F涂层或其他钇基氧氟化物涂层。

本发明涉及用于提供均匀气流的设备与方法。提供了一种具有输送通道的气体分配设备，其中输送通道具有一入口端、一出口端与沿着长度而分隔开的多个孔隙。入口端系可连接至一惰性气体源，且出口端系可连接于一真空源。同时提供了一种具有螺旋输送通道、互相...

描述了形成自对准图案的方法。在图案化膜上沉积膜材料以填充和覆盖由所述图案化膜形成的特征。使所述膜材料凹入到低于所述图案化膜的顶部的水平。通过暴露于金属前驱物来将所述凹入膜转化为金属膜，接着所述金属膜体积膨胀。

本公开内容涉及用于控制在基板边缘附近的等离子体鞘的方法和设备。改变在基板组件内的中心电极和环形电极上的电压/电流分布促进等离子体在所述基板上的空间分布。所述方法包括将第一射频功率施加到嵌入在基板支撑件中的中心电极并且将第二射频功率施加到...

本公开涉及处理腔室和递归分配连接器。本公开总体涉及用于控制在基板边缘附近的等离子体鞘的方法和设备。所述设备包括可邻近静电卡盘定位的辅助电极。使用长度相等且阻抗相等的馈电线从电源递归地对辅助电极馈电。辅助电极是能够竖直地致动的，并且可相对...

描述了切割半导体晶片的方法，每个晶片具有多个集成电路。在一示例中，一种切割具有多个集成电路的半导体晶片的方法涉及：在该半导体晶片上方形成掩模，该掩模由覆盖且保护集成电路的一层组成。接着利用旋转激光光束激光刻划工艺图案化该掩模，以提供具有...

本文中所述的实施方式一般涉及30nm排队式液体颗粒计数测试装备，所述装备分析和清洁半导体处理装备。更具体而言，所述的实施方式涉及用于稀释、分析和调整流体以允许观察流体的成分的系统。稀释物取样工具与液体颗粒检测器耦合以读取包含来自清洁槽中...

实施例包括用于检测由晶片处理工具执行的材料沉积和材料移除的装置和方法。在实施例中，安装于晶片处理工具的处理腔室上的一或多个微传感器能够在真空条件下操作和/或可在无等离子体晶片制造处理期间实时测量材料沉积和移除速率。亦描述及主张其他实施例。

方法及气体流量控制组件被配置为以所需流量比例输送气体至处理腔室区。在一些实施方式中，组件包含一个或更多个MFC和背压控制器(BPC)。组件包含控制器、处理气体源、分配歧管、耦接至分配歧管且被配置为感测分配歧管的背压的压力传感器、处理腔室...

公开用于在物理气相沉积工艺中控制离子分数的方法和设备。在一些实施方式中，用于处理具有给定直径的基板的处理腔室包括：内部容积和待溅射靶材，内部容积包括中心部分和周边部分；可旋转磁控管，处于靶材上方以在周边部分中形成环形等离子体；基板支撑件...

用于形成间隔件的方法包含以下步骤：在特征的顶部、底部、及侧壁上沉积膜，以及对膜加工，以改变特征的顶部与底部上的膜的性质，而可以相对于特征的侧壁上的膜对特征的顶部与底部上的膜选择性蚀刻。

此公开内容一般地涉及以电化学方式形成三氧化二钇或氧化钇的方法。所述方法可包括视情况地制备电化学浴、将三氧化二钇或氧化钇电沉积至基板上、从基板的表面上去除溶剂，及后处理其上具有经电沉积的三氧化二钇或氧化钇的基板。

用于形成间隔物的方法包含以下步骤：在特征的顶部、底部及侧壁上沉积膜，以及对膜进行处理以改变特征的顶部与底部上的膜的性质。相对于特征的侧壁上的膜，使用高强度等离子体从特征的顶部与底部选择性地干式蚀刻膜。

描述了一种用于处理腔室的模块化等离子体源组件。所述组件包括RF热电极且具有邻接电极的侧而定位的端部电介质和滑动式接地连接件。密封箔将滑动式接地连接件连接至外壳以提供接地的滑动式接地连接件，所述接地的滑动式接地连接件通过端部电介质与热电极...