公开了多区半导体基板支撑件。示例性支撑组件可包括顶部圆盘和与顶部圆盘耦合的背托板。支撑组件可包括与背托板耦合的冷却板。支撑组件可包括耦合在冷却板和背托板之间的加热器。支撑组件还可包括围绕背托板的外部与背托板耦合的背板。背板可至少部分地限...

公开了用于多前体流的半导体处理腔室。示例性半导体处理系统可以包括处理腔室，并且可以包括与所述处理腔室耦合的远程等离子体单元。示例性系统还可以包括与所述远程等离子体单元耦合的适配器。所述适配器可以包括第一端和与所述第一端相对的第二端。所述...

公开了用于经改善的前驱物流的半导体处理腔室。示例性半导体处理系统可以包括处理腔室，并且可以包括与处理腔室耦接的远程等离子体单元。示例性系统还可以包括与远程等离子单元耦接的适配器。适配器可以包括第一端和与第一端相对的第二端。适配器可以在第...

本公开的实施方式总体涉及射频发生器保护，包括：射频发生器保护组件、用于控制射频发生器的周围环境的方法、以及具有射频发生器的半导体器件。在一个实施方式中，射频发生器保护组件包括控制器和干净干燥空气干燥器，控制器被配置为评估射频发生器的局部...

一种处理基板的装置和方法包括：探测器歧管，所述探测器歧管用以探测来自腔室主体中的处理区附近的辐射；辐射探测器，所述辐射探测器光耦合至所述探测器歧管；和光谱多陷波滤波器。处理基板的装置和方法包括：探测来自腔室主体中的基板的发射表面的透射辐...

本公开内容的实现方式提供了用于热处理基板的设备和用于处理基板的设备。所述设备包括主体、成角度的气源组件、和气体注入通道。所述气体注入通道具有第一半角和第二半角。第一半角不同于第二半角。在处理腔室中使用经改良的侧面气体组件以朝向基板边缘引...

本公开的实施例总体上涉及用于减少处理腔室中的颗粒产生的设备与方法。在一个实施例中，该方法总体上包括：在通电的顶部电极与接地的底部电极之间产生等离子体，其中该顶部电极平行于该底部电极；以及在膜沉积工艺期间对通电的顶部电极施加恒定为零的DC...

本发明涉及利用预稳定等离子体的工艺的溅镀方法，具体描述一种沉积材料的层于基板上的方法。此方法包括当基板未暴露于等离子体时，点燃用于材料沉积的溅镀靶材的等离子体；维持等离子体至少直到基板暴露于等离子体来沉积材料于基板上；以及沉积材料于基板...

本揭示案的实施方式涉及用于溅射腔室的溅射靶材，该溅射腔室用于处理基板。在一个实施方式中，提供用于溅射腔室的溅射靶材。溅射靶材包含具有背部表面的溅射板及安装至溅射板的环形背板，该背部表面具有径向内部、中间及外部区域。该背部表面具有多个圆形...

本公开内容涉及一种用于靶材的保护构件，和一种用于在靶材处理期间保护靶材的系统。描述一种用于在靶材处理期间保护靶材的保护构件。所述保护构件被定位成覆盖靶材。所述保护构件包括密封件。所述密封件是具有内部空腔的可充气密封件。

本发明的实施方式大体涉及用于形成SiGe层的方法。在一个实施方式中，首先使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成种晶SiGe层，并且也使用PECVD在PECVD种晶层上直接形成主体SiGe层。用于种晶SiGe层和主体SiGe层二者...

因在从钴互连件上去除表面氧化物和在钴互连件上沉积含氮膜期间发生的氮化作用而造成的钴互连件的电阻增大通过氢热退火或等离子体处理解决。穿过薄覆盖层去除氮化物，薄覆盖层可以是介电阻挡层或蚀刻终止层。

本文描述的实施方式一般涉及用于在沉积工艺中支撑基座的基座支撑件。所述基座支撑件包括轴杆；板，所述板具有耦合到轴杆的第一主要表面；和支撑元件，所述支撑元件从板的第二主要表面延伸。所述板可由对来自设置在板下方的多个能量源的辐射能量光学透明的...

一种用于从基板支撑件对残余电荷进行放电的方法和设备。在一个例子中，提供了基板支撑件，基板支撑件包括本体、设置在本体中的电极、辐射发射器和扩散器。本体具有形成在工件支撑表面中的一个或多个孔，工件支撑表面经构造以在工件支撑表面上接收基板。电...

说明了一种用以支承、定位及/或移动物体的设备。设备包括底座(30)及载体(50)，载体相对于底座(30)为可移动的。设备进一步包括至少三个磁性轴承，载体(50)藉由此至少三个磁性轴承以非接触方式支撑于底座(30)上，使得载体可相对于至少...

方法和气体流量控制组件经配置而将气体以所需流量比输送到处理腔室区。在一些实施方式中，组件包括一或多个MFC和背压控制器(BPC)。组件包括控制器、处理气体源、分配歧管、压力传感器、处理腔室、一或多个质量流量控制器和背压控制器，压力传感器...

本公开内容一般地涉及以电化学方式形成铝或氧化铝的方法。所述方法可包括：视情况地制备电化学浴，将铝或氧化铝电沉积至基板上，从该基板的表面去除溶剂，及后处理上面有该电沉积的铝或氧化铝的该基板。

本公开的实施例大体上涉及半导体处理腔室中的基板支撑组件。半导体处理腔室可以是PECVD腔室，所述PECVD腔室包含具有基板支撑件和耦合至所述基板支撑件的心轴的基板支撑组件。RF电极被嵌入至所述基板支撑件中并且杆耦合至所述RF电极。所述杆...

本文公开的实施方式涉及一种曝光图案变更软件应用程序，曝光图案变更软件应用程序操纵具有角度的线的曝光多边形，所述角度实质上接近于六边形密集体布置的对称角度，曝光多边形具有长错位部。长错位部其本身是呈现为高边缘放置误差区域。因此，曝光图案变...

本公开内容一般涉及用于使用干涉光刻制造用于LCD的线栅偏振器的系统和方法，所述系统和方法也可用于产生大面积光栅图案。在一个实施方式中，一种方法包括：在铝涂覆的平板显示器基板上方沉积底部抗反射涂覆层；在底部抗反射涂覆层上方沉积光刻胶层；和...