【技术实现步骤摘要】
用于经改善的前驱物流的半导体处理腔室
本技术涉及半导体系统、工艺和设备。更具体地，本技术涉及用于在系统和腔室内递送前驱物的系统和方法。
技术介绍
集成电路通过在基板表面上产生复杂地图案化的材料层的工艺制成。在基板上产生图案化的材料要求用于暴露材料的去除的受控方法。化学蚀刻用于多种目的，包括将光刻胶中的图案转移到下方层、将层薄化，或将已存在于表面上的特征的侧向尺寸薄化。通常，期望具有比蚀刻另一材料更快地蚀刻一种材料以促进例如图案转移工艺或个别材料移除的蚀刻工艺。这种蚀刻工艺被称为对第一材料有选择性。由于材料、电路和工艺的多样性，蚀刻工艺已发展成具有面向于多种材料的可选择性。蚀刻工艺可基于工艺中使用的材料而称为湿法蚀刻或干法蚀刻。湿法HF蚀刻优选地移除了在其他电介质和材料上方的氧化硅。然而，湿法工艺可能难以穿透一些受限沟槽并有时还可能使剩余的材料变形。干法蚀刻工艺可以穿透到复杂的特征和沟槽中，但是可能无法提供可接受的顶部-底部轮廓。随着在下一代器件中器件大小不断缩小，系统将前驱物递送到腔室中并通过腔室的方式可能会造成越来越大的影响。由于处理条件的均匀性的重要性不断增加...
【技术保护点】
1.一种半导体处理系统，所述半导体处理系统包括：处理腔室；远程等离子体单元，所述远程等离子体单元与所述处理腔室耦接；和适配器，所述适配器与所述远程等离子体单元耦接，其中所述适配器包括第一端和与所述第一端相对的第二端，其中所述适配器在所述第一端处限定通向中心通道的开口，其中所述中心通道由第一横截表面面积来表征，其中所述适配器在所述第二端处限定从第二通道离开的出口，其中所述适配器在所述适配器内、在所述第一端与所述第二端之间限定所述中心通道与所述第二通道之间的过渡部，其中所述适配器限定所述过渡部与所述适配器的所述第二端之间的第三通道，并且其中所述第三通道与所述适配器内的所述中心通...
【技术特征摘要】
2017.05.17 US 62/507,5331.一种半导体处理系统，所述半导体处理系统包括：处理腔室；远程等离子体单元，所述远程等离子体单元与所述处理腔室耦接；和适配器，所述适配器与所述远程等离子体单元耦接，其中所述适配器包括第一端和与所述第一端相对的第二端，其中所述适配器在所述第一端处限定通向中心通道的开口，其中所述中心通道由第一横截表面面积来表征，其中所述适配器在所述第二端处限定从第二通道离开的出口，其中所述适配器在所述适配器内、在所述第一端与所述第二端之间限定所述中心通道与所述第二通道之间的过渡部，其中所述适配器限定所述过渡部与所述适配器的所述第二端之间的第三通道，并且其中所述第三通道与所述适配器内的所述中心通道和所述第二通道流体隔离。2.如权利要求1所述的半导体处理系统，其中所述第二通道由小于所述第一横截面积的第二横截面积来表征。3.如权利要求1所述的半导体处理系统，其中所述第二通道包括从所述中心通道延伸的多个通道。4.如权利要求1所述的半导体处理系统，其中所述适配器进一步限定提供用来进出所述第三通道的端口。5.如权利要求1所述的半导体处理系统，进一步包括耦接在所述适配器与所述处理腔室之间的隔离器，其中所述隔离器包括围绕隔离器通道的环形构件，并且其中所述隔离器通道与所述第二通道和所述第三通道流体耦接。6.如权利要求5所述的半导体处理系统，其中所述隔离器包括陶瓷。7.如权利要求5所述的半导体处理系统，进一步包括耦接在所述隔离器与所述处理腔室之间的混合歧管。8.如权利要求7所述的半导体处理系统，其中所述混合歧管由具有的直径等于所述隔离器通道的直径的入口来表征。9.如权利要求8所述的半导体处理系统，其中所述混合歧管的所述入口过渡到所述混合歧管的锥形区段。10.如权利要求9所述的半导体处理系统，其中所述混合歧管的所述锥形区段过渡到所述混合歧管的扩口区段，所述扩口区段延伸到所述混合歧管的出口。11.一种半导体处理系统，所述半导体处理系统包括：远程等离子体单元；和处理腔室，所述处理腔室包括：气体箱，所述气体箱限定中心通道，阻挡板...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈天发，D·卢博米尔斯基，S·郑，S·朴，R·W·卢，P·范，E·C·苏亚雷斯，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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