【技术实现步骤摘要】
具有背部冷却槽的溅射靶材本申请是申请日为2014年08月14日、申请号为201480042023.7、专利技术名称为“具有背部冷却槽的溅射靶材”的专利技术专利申请的分案申请。
本揭示案的实施方式涉及用于溅射腔室的溅射靶材,该溅射腔室用于处理基板。
技术介绍
溅射腔室用于在集成电路及显示器的制造中将沉积材料溅射至基板上。通常,溅射腔室包含:外壳,该外壳围绕面向基板支撑件的溅射靶材;处理区,处理气体被引入该处理区;气体激发器,该气体激发器用于激发该处理气体;以及排气端口,该排气端口用以排气及控制腔室中处理气体的压力。由在激发的气体中形成的高能离子轰击溅射靶材,导致从该溅射靶材击落材料,该材料沉积于基板上成为膜。被溅射的材料可为金属,比如例如铝、铜、钨、钛、钴、镍或钽;或为金属化合物,比如例如氮化钽、氮化钨或氮化钛。在某些溅射工艺中,磁场发生器提供围绕溅射靶材的溅射表面的成形磁场,以改良溅射靶材的溅射性质及溅射表面。例如,在磁控溅射中,一组能旋转的磁体在溅射靶材后旋转,以产生围绕该溅射靶材的前表面的磁场。旋转磁场通过控制横跨溅射靶材的溅射速率提供改良的溅射。冷却系统使传热流体穿过围绕能旋转磁体的外壳,以冷却这些磁体及下面的溅射靶材。然而,习知的冷却系统经常未能从溅射靶材充分地移除大量热,及/或未能提供溅射靶材的空间上的均匀散热。结果,经常以比相邻区域更高的溅射速率溅射溅射靶材的较热区域,导致该溅射靶材的表面上的不均匀的溅射。不均匀的靶材溅射与旋转磁场结合会导致溅射靶材出现具有侵蚀槽的溅射表面,且亦会形成从这些侵蚀槽向下延伸的微裂缝。在侵蚀槽处出现的局部微裂缝可能 ...
【技术保护点】
1.一种溅射方法,包括:将基板定位于外壳中,所述外壳具有设置于所述外壳中的至少溅射靶材和基板支撑件;将溅射气体引入所述溅射腔室;激发所述溅射气体以形成等离子体,以溅射所述溅射靶材;以及用所述等离子体溅射所述溅射靶材以提供溅射的靶材材料,以在所述基板上形成膜层,其中所述溅射靶材包括:圆形溅射板,所述圆形溅射板包括:溅射表面;背部表面,所述背部表面与所述溅射表面相对,其中所述背部表面具有径向内部区域、径向中间区域及径向外部区域,所述背部表面具有:多个圆形槽,所述多个圆形槽彼此间隔开;以及至少一个弓状通道,所述至少一个弓状通道切割穿过所述圆形槽,且从所述溅射板的所述径向内部区域延伸至所述径向外部区域;环形背表面,所述环形背表面与所述溅射表面相对;倾斜的外周边壁,所述外周边壁从所述溅射表面的外边缘延伸至所述环形背表面的外边缘;内周边壁,所述内周边壁从所述背部表面延伸至所述环形背表面的内边缘,其中由所述背部表面和所述内周边壁界定凹槽,所述凹槽暴露所述溅射板的所述背部表面;以及环形背板,所述环形背板安装至所述溅射板,其中所述环形背板包括:环形主体,所述环形主体界定开口环,所述开口环暴露所述溅射板的 ...
【技术特征摘要】
2013.08.14 US 61/866,0061.一种溅射方法,包括:将基板定位于外壳中,所述外壳具有设置于所述外壳中的至少溅射靶材和基板支撑件;将溅射气体引入所述溅射腔室;激发所述溅射气体以形成等离子体,以溅射所述溅射靶材;以及用所述等离子体溅射所述溅射靶材以提供溅射的靶材材料,以在所述基板上形成膜层,其中所述溅射靶材包括:圆形溅射板,所述圆形溅射板包括:溅射表面;背部表面,所述背部表面与所述溅射表面相对,其中所述背部表面具有径向内部区域、径向中间区域及径向外部区域,所述背部表面具有:多个圆形槽,所述多个圆形槽彼此间隔开;以及至少一个弓状通道,所述至少一个弓状通道切割穿过所述圆形槽,且从所述溅射板的所述径向内部区域延伸至所述径向外部区域;环形背表面,所述环形背表面与所述溅射表面相对;倾斜的外周边壁,所述外周边壁从所述溅射表面的外边缘延伸至所述环形背表面的外边缘;内周边壁,所述内周边壁从所述背部表面延伸至所述环形背表面的内边缘,其中由所述背部表面和所述内周边壁界定凹槽,所述凹槽暴露所述溅射板的所述背部表面;以及环形背板,所述环形背板安装至所述溅射板,其中所述环形背板包括:环形主体,所述环形主体界定开口环,所述开口环暴露所述溅射板的所述背部表面,所述环形主体由以下结构界定:环形前表面,所述环形前表面接触所述圆形溅射板的所述环形背表面;环形凸缘,所述环形凸缘延伸超过所述溅射板的半径,所述环形凸缘包括周边圆形表面,所述周边圆形表面具有用于安置在表面上的外部基脚;以及从所述环形前表面的内边缘延伸至所述环形凸缘且与所述圆形溅射板的所述内周边壁对齐的内周边壁。2.如权利要求1所述的方法,其中所述圆形槽为同心槽。3.如权利要求2所述的方法,其中所述圆形槽包含从约20个至约30个槽。4.如权利要求1所述的方法,其中所有的所述圆形槽位于所述背部表面的所述径向中间区域处。5.如权利要求1所述的方法,其中所述背部表面具有至少8个弓状通道。6.如权利要求5所述的方法,其中所述弓状通道以从所述背部表面的中心测量的从约30度至约90度的角度彼此间隔开。7.如权利要求1所述的方法,其中所述环形背板包含铜和铬的合金。8.如权利要求1所述的方法,其中所述环形背板由从以下材料选择的第一材料构成:Al0.5Cu、Al1.0Si、Al0.5Cu1.0Si、铝、铜、铬、钛、钨、钼、钴、钽、Li-P-O-N、锗、GeS2、硅、SiO2、石英及以上材料的组合。9.如权利要求8所述的方法,其中所述溅射板由选自钛或氮化钛的第二材料组成,并且所述第一材料不同于所述第二材料。10.如权利要求1所述的方法,进一步包括:使反应性气体流入所述外壳;以及使所述反应性气体与所述溅射的靶材材料反应以形成所述膜层。11.如权利要求1所述的方法,其中所述环形背板由具有从约220至约400W/mK的热导率的材料制成。12.一种溅射方法,包括:将基板定位于外壳中,所述外壳具有设置于所述外...
【专利技术属性】
技术研发人员:布赖恩·T·韦斯特,迈克尔·S·考克斯,吴正勋,
申请(专利权)人:应用材料公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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