一种新型的阴极平台制造技术

技术编号:19549744 阅读:23 留言:0更新日期:2018-11-24 21:39
本发明专利技术公开了一种新型的阴极平台,包括底座、固定在底座上的供气装置和对称设置在供气装置两侧的两个阴极体;所述底座的下表面设有第一液冷管;所述的供气装置包括固定在底座上的供气装置主体和设置在供气装置主体两侧的左、右挡板,所述供气装置主体与左、右挡板之间设有第二液冷管,所述的第二液冷管呈环形环绕在供气装置主体的侧面。该装置设有多个液冷部件,可同时给底座及供气装置进行冷却处理。

A New Cathode Platform

The invention discloses a new cathode platform, which comprises a base, a gas supply device fixed on the base and two cathode bodies symmetrically arranged on both sides of the gas supply device; the lower surface of the base is provided with a first liquid cooling tube; the gas supply device comprises a gas supply device body fixed on the base and a gas supply device body arranged on the base. The left and right baffles on both sides are provided with a second liquid cooling tube between the main body of the gas supply device and the left and right baffles. The second liquid cooling tube is circularly surrounded on the side of the main body of the gas supply device. The device is equipped with a plurality of liquid cooling components, which can simultaneously cool the base and the air supply device.

【技术实现步骤摘要】
一种新型的阴极平台
本专利技术涉及真空镀膜生产线
,具体来说,是涉及一种真空镀膜生产线用阴极平台。
技术介绍
真空镀膜是一种在真空中制备膜层产生薄膜材料的技术,有三种形式,即蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀。其中溅射镀膜是真空镀膜中最主要的方法,该技术是在真空中利用荷能粒子轰击靶表面,使被轰击出的粒子沉积在基片上。在磁控溅射镀膜工艺中,对磁控溅射镀膜设备的质量要求很高,而在磁控溅射镀膜设备中,各部件温度的控制尤为重要,但目前的散热控温装置冷却效果欠缺,往往起不到优良的温控效果,导致阴极平台内部温度过高,从而不但会造成靶材的浪费而且无法获得最优的镀膜效果。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决以上现有技术的不足,提供一种新型的的阴极平台。一种新型的阴极平台,包括底座、固定在底座上的供气装置和对称设置在供气装置两侧的两个阴极体;所述底座的下表面设有第一液冷管;所述的供气装置包括固定在底座上的供气装置主体和设置在供气装置主体两侧的左、右挡板,所述供气装置主体与左、右挡板之间设有第二液冷管,所述的第二液冷管呈环形环绕在供气装置主体和左、右挡板之间。为了整合整体供气与局部供气的优点,所述的供气装置主体包括固定在底座上的底架、与底架相连的中架、设置在中架两侧的左、右侧板和横截面呈工字形的顶架;所述中架的左侧面设有主过气凹槽,主过气凹槽经左侧板封闭形成主供气管路,中架的右侧面设有若干个独立的辅过气凹槽,辅过气凹槽经右侧板封闭形成若干个独立的辅供气管路;所述顶架与中架通过通气板相连,所述的通气板内部设有若干个横截面呈Y字形的气道;所述Y字形气道的底部入口同时与主供气管路的出口以及辅供气管路的出口相连,所述主供气管路的入口与主进气管道相连,若干个辅供气管路的入口与若干个辅进气管道一一对应相连。相对于传统的分开供气设计,上述供气可调的阴极平台通过中架与通气板的组合完美的实现了将集中主供气与分别辅供气结合的一体化设计,将主供气管路与辅供气管路集中放置在中架上,主、辅供气管路又同时与Y字形气道的底部入口相连,使用时,无论是哪个供气管路进行供气,都会通过Y字形气道两侧的气体出口向两侧的阴极体进行供气操作。在操作时,我们希望主供气管路就可以完成稳定均匀供气的效果,但当某一段靶材的使用情况异常或某一段成膜效果不均匀时,此时可以通过辅供气管路对局部的供气情况进行微调,从而提高靶材的利用率及成膜的均匀性。优选地,所述的每个辅供气管路均包括三个辅气支路出口,每个辅气支路出口都单独与一个Y字形气道的底部入口相连。优选地,所述的主供气管路设有九个主气支路出口,每个主气支路出口都单独与一个Y字形气道的底部入口相连。为了引导从气体出口出来的气体,优选地,所述的左挡板上端向左弯折形成左弯折部,所述的右挡板上端向右弯折形成右弯折部;所述通气板的横截面为箭头形。为了增加冷却效果,所述的阴极体包括带有环形凹槽的底板和设置在底板下部的若干个绝缘支架,所述的绝缘支架固定于底座上;所述的环形凹槽内装有磁靴;所述的底板上由下至上依次设置有液冷板、铜背板、用于压紧铜背板的第二压板、靶材和用于压紧靶材的第一压板;所述的液冷板上表面与所述的环形凹槽相对应位置处设置有环形凸槽,所述的环形凸槽伸入环形凹槽内,且该环形凸槽的外形与环形凹槽内部的形状相匹配,所述的环形凸槽背面经铜背板封闭形成冷却腔体;所述冷却腔体的底部设有冷却液的出、入口。上述结构的阴极体可同时对靶材及磁靴进行冷却,大大缩减了冷却设备的数量,液冷板中不断通入恒温的液冷液,可以保证阴极体、靶材及两者之间的惰性气体以及其余部件都保持在一个可控的恒温状态下,从而保证溅射镀膜反应的稳定进行,进而提高靶材的利用率和成膜的均匀性。优选地,所述底座下表面设置有第一液冷管,所述的第一液冷管为呈回转式的弯折管道。在传统散热系统的基础上,增加了用于给底座降温的第一液冷管和用于给供气装置降温的第二液冷管,且第一、第二液冷管均采用回转环绕的安装方式,一方面可以大大提高底座和供气装置的散热效果,另一方面也不会造成设备的臃肿有益效果:1、设置两个阴极体,并把供气装置设置在两者之间,一方面可以最大程度的利用空间来加工更多的需镀膜工件,另一方面通过磁场的对称分布可以得到高的沉积速率。2、本专利技术使得轰击靶材的粒子处于稳定可控的恒温状态,可以保证溅射镀膜反应的稳定进行,而不会产生突发状况,从而保证各段靶材的高利用率以及提高成膜的均匀性。附图说明图1是本专利技术的总体示意图;图2是本专利技术的阴极体的爆炸图;图3是本专利技术的供气装置的示意图;图4是本专利技术的通气板的剖视图;图5是本专利技术的中架的左视图;图6是本专利技术的中架的右视图;图7是第一液冷管的结构示意图;图8是第二液冷管的结构示意图;图9是图8的剖视图;1.底座11.第一液冷管12.第二液冷管2.供气装置主体21.底架22.中架221.主过气凹槽222.辅过气凹槽23.左侧板24.右侧板25.顶架26.通气板27.左挡板28.右挡板3.阴极体31.底板32.绝缘支架33.磁靴34.液冷板35.铜背板36.第二压板37.第一压板38.环形不锈钢垫圈39.环形铝合金垫圈。具体实施方式为了加深对本专利技术的理解,下面将结合实施例和附图对本专利技术作进一步详述,该实施例仅用于解释本专利技术,并不构成对本专利技术保护范围的限定。如图1-9所示,一种新型的阴极平台,包括底座1、固定在底座上的供气装置和对称设置在供气装置两侧的两个阴极体3;如图7所示,所述底座1的下表面设有第一液冷管11,所述的第一液冷管11为呈回转式的弯折管道。如图2所示,所述的阴极体3包括带有环形凹槽的底板31和设置在底板下部的若干个绝缘支架32,所述的绝缘支架32固定于底座1上;所述的环形凹槽内装有磁靴33;所述的底板31上由下至上依次设置有液冷板34、铜背板35、用于压紧铜背板的第二压板36、靶材(图中未显示)和用于压紧靶材的第一压板37;所述的液冷板34上表面与所述的环形凹槽相对应位置处设置有环形凸槽,所述的环形凸槽伸入环形凹槽内,且该环形凸槽的外形与环形凹槽内部的形状相匹配,所述的环形凸槽背面经铜背板35封闭形成冷却腔体;所述冷却腔体的底部设有冷却液的出、入口。所述的磁靴33的外表面与环形凹槽的内壁间还依次设有环形不锈钢垫圈38和环形铝合金垫圈39。液冷板34与铜背板35的组合,可同时对靶材(图中未显示)及磁靴33进行冷却,大大缩减了冷却设备的数量,同时,将液冷板34上的环形凸槽,伸入到底板31环形凹槽的内部,增大了冷却腔体与环形凹槽内磁靴的接触面积,从而提升了液冷板34对磁靴33的冷却效果。如图3所示,所述的供气装置包括固定在底座上的供气装置主体2和设置在供气装置主体两侧的左挡板27及右挡板28,如图8-9所示,所述供气装置主体2与左、右挡板之间设有第二液冷管12,所述的第二液冷管12呈环形环绕在供气装置主体2与左、右挡板之间;所述的供气装置主体2包括固定在底座上的底架21、与底架相连的中架22、设置在中架两侧的左、右侧板和横截面呈工字形的顶架25;如图5所示,所述中架的左侧面设有主过气凹槽221,主过气凹槽221经左侧板23封闭形成主供气管路,如图6所示,中架的右侧面设有若干个独立的辅过气凹槽222,辅过气凹槽222经右侧板24封闭形成若干个独本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型的阴极平台,其特征在于,包括底座、固定在底座上的供气装置和对称设置在供气装置两侧的两个阴极体;所述的供气装置包括固定在底座上的供气装置主体和设置在供气装置主体两侧的左、右挡板,所述供气装置主体与左、右挡板之间设有第二液冷管,所述的第二液冷管呈环形环绕在供气装置主体和左、右挡板之间。

【技术特征摘要】
1.一种新型的阴极平台,其特征在于,包括底座、固定在底座上的供气装置和对称设置在供气装置两侧的两个阴极体;所述的供气装置包括固定在底座上的供气装置主体和设置在供气装置主体两侧的左、右挡板,所述供气装置主体与左、右挡板之间设有第二液冷管,所述的第二液冷管呈环形环绕在供气装置主体和左、右挡板之间。2.根据权利要求1所述的一种新型的阴极平台,其特征在于,所述的供气装置主体包括固定在底座上的底架、与底架相连的中架、设置在中架两侧的左、右侧板和横截面呈工字形的顶架;所述中架的左侧面设有主过气凹槽,主过气凹槽经左侧板封闭形成主供气管路,中架的右侧面设有若干个独立的辅过气凹槽,辅过气凹槽经右侧板封闭形成若干个独立的辅供气管路;所述顶架与中架通过通气板相连,所述的通气板内部设有若干个横截面呈Y字形的气道;所述Y字形气道的底部入口同时与主供气管路的出口以及辅供气管路的出口相连,所述主供气管路的入口与主进气管道相连,若干个辅供气管路的入口与若干个辅进气管道一一对应相连。3.根据权利要求2所述的一种新型的阴极平台,其特征在于,所述的每个辅供气管路包括三个独立辅气支路出口...

【专利技术属性】
技术研发人员:匡国庆
申请(专利权)人:镇江市德利克真空设备科技有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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