内衬及反应腔室制造技术

本实用新型专利技术提供的内衬及反应腔室，内衬包括环形本体以及设置在环形本体的外周壁上的凸缘，环形本体具有冷却通道，且在凸缘中设置有与冷却通道相连通的出口通道和入口通道。通过将冷却通道直接设置在环形本体中，使得冷却通道能够直接对内衬进行冷却，从而提高冷却效率。进一步地，将出口通道和入口通道设置在与腔体接触的凸缘上，避免冷却通道、出口通道和入口通道在反应腔室内产生漏水，更进一步地，即便当出口通道和入口通道处出现漏水问题，由于出口通道和入口通道位于反应腔室的侧壁上，因此，漏水问题能够及时的被使用者发现，进而避免对腔室内造成影响。

【技术实现步骤摘要】
内衬及反应腔室
本技术属于半导体制造
，具体涉及一种内衬及反应腔室。
技术介绍
在集成电路的制备过程中，需要物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition，以下简称PVD)设备完成沉积薄膜工艺，常用的PVD设备采用磁控溅射方式沉积薄膜。典型的磁控溅射工艺的具体过程为：首先对基片进行加热，以去掉基片表面的水气；接着对基片表面进行预清洗工艺；然后在基片表面沉积一层氮化钽薄膜；最后在氮化钽薄膜上沉积一层铝薄膜。图1A为现有的一种物理气相沉积设备的结构图，请参阅图1A，在该设备中，在腔室内设置有基座，且在该基座的上方设置有靶材8，并且在腔室的侧壁内侧环绕设置有内衬9。靶材8、基座和内衬9共同构成了等离子体产生区域15。在进行工艺的过程中，由于在该等离子体产生区域15内充满的等离子体和金属原子会产生很高的能量，造成内衬9温度升高，当内衬9温度过高时，内衬9会释放一些气体和杂质204，如图1B所示，在进行铝薄膜沉积工艺时，内衬9释放的杂质204会随沉积材料一同沉积在基片203表面，基片经过冷却后，杂质204会形成晶须杂质(WhiskerDefect)205，如图1C所示，这些晶须杂质205最终影响薄膜的电性能。为避免因内衬温度过高而产生晶须杂质，现有技术中，在腔室侧壁3内部还设有冷却水路14，用于通过腔室侧壁3间接对内衬9进行冷却。但是，由于内衬9与腔室侧壁3仅在二者的搭接处有接触，腔室侧壁3与内衬9的接触面积有限，导致冷却效率较低。
技术实现思路
本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种防止工件重复工艺的方法、片盒监控装置及半导体加工系统，其用于提高内衬的冷却效率，避免产生晶须杂质。本技术提供一种内衬，内衬包括环形本体，在环形本体的外周壁上设置有凸缘；环形本体具有冷却通道，且在凸缘中设置有与冷却通道相连通的出口通道和入口通道。其中，冷却通道包括设置在环形本体的侧壁上的凹道，以及将封闭凹道以形成冷却通道的封闭件。其中，冷却通道设置在环形本体中。其中，冷却通道为环形，且沿环形本体的周向环绕。其中，冷却通道为多个，多个冷却通道沿环形本体的轴向间隔设置；并且，多个的冷却通道通过至少一个连接通道相连通。其中，每个冷却通道在周向上是非闭合的，且多个冷却通道的第一端沿环形本体的轴向排列，多个冷却通道的第二端沿环形本体的轴向排列；连接通道为两个，且均竖直设置，并且其中一个连接通道与多个冷却通道的第一端连接；其中另一个连接通道与多个冷却通道的第二端连接。其中，冷却通道为螺旋形，且沿环形本体的周向螺旋环绕。其中，出口通道和入口通道各自的远离冷却通道的一端位于凸缘的外周壁上。本技术还提供一种反应腔室，包括腔体，及环绕设置在腔体的侧壁内侧的内衬，内衬采用本技术提供的内衬。其中，在腔体的侧壁内侧设置有环形凸台，凸缘叠置在环形凸台上；出口通道和入口通道各自的远离冷却通道的一端位于凸缘的外周壁上；并且，在腔体的侧壁中，且与出口通道和入口通道相对应的位置处设置有开口，用于使冷却源的输入接头和输出接头能够通过开口与出口通道和入口通道连接。本技术具有以下有益效果：本技术提供的内衬，内衬包括环形本体以及设置在环形本体的外周壁上的凸缘，环形本体具有冷却通道，且在凸缘中设置有与冷却通道相连通的出口通道和入口通道。通过将冷却通道直接设置在环形本体中，使得冷却通道能够直接对内衬进行冷却，从而提高冷却效率。进一步地，将出口通道和入口通道设置在与腔体接触的凸缘上，避免冷却通道、出口通道和入口通道在反应腔室内产生漏水，更进一步地，即便当出口通道和入口通道处出现漏水问题，由于出口通道和入口通道位于反应腔室的侧壁上，因此，漏水问题能够及时的被使用者发现，进而避免对腔室内造成影响。本技术提供的反应腔室，其采用本技术提供的内衬，因此，本技术提供的反应腔室的内衬具有较高的冷却效率。进一步地，将出口通道和入口通道设置在与腔体接触的凸缘上，避免冷却通道、出口通道和入口通道在反应腔室内产生漏水，更进一步地，即便当出口通道和入口通道处出现漏水问题，由于出口通道和入口通道位于反应腔室的侧壁上，因此，漏水问题能够及时的被使用者发现，进而避免对腔室内造成影响。附图说明图1A为现有的一种物理气相沉积设备的结构图；图1B为在基片表面沉积杂质的示意图；图1C为在基片表面生长晶须杂质的示意图；图2为本技术实施例提供的内衬组件的结构图；图3为本技术实施例提供的内衬组件在入口通道处的剖视图；以及图4为本技术另一实施例提供的反应腔室。附图标记3-腔体；8-靶材；9-内衬；14-冷却水路；15-等离子体产生区域；20-绝缘环；30-腔体；203-晶片；204-杂质；205-晶须杂质；301-内衬；302-入口通道；303-出口通道；304-冷却通道；307-连接通道；310-环形本体；311-封闭件；320-凸缘；330-环形凸台。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本技术的技术方案，下面结合附图来对本技术提供的内衬组件及反应腔室进行详细描述。请一并参照图2及图3，本技术实施例提供了一种内衬组件，其包括内衬301，该内衬301包括环形本体310，在该环形本体310的外周壁上设置有凸缘320，环形本体310具有封闭的冷却通道，且在凸缘320中设置有与冷却通道相连通的出口通道(图中未示出)和入口通道302。其中，凸缘320为叠置在腔体的侧壁上用以固定内衬的结构，该凸缘是例如图1所示出相似的凸缘。本技术实施例提供的内衬组件，通过将冷却通道直接设置在环形本体中，使得冷却通道能够直接对内衬进行冷却，从而提高冷却效率。进一步地，将出口通道和入口通道设置在与腔体接触的凸缘上，避免冷却通道、出口通道和入口通道在反应腔室内产生漏水，更进一步地，即便当出口通道和入口通道处出现漏水问题，由于出口通道和入口通道位于反应腔室的侧壁上，因此，漏水问题能够及时的被使用者发现，进而避免对腔室内造成影响。下面对上述冷却通道的结构进行详细描述，具体地，如图3所示，冷却通道304包括设置在环形本体310的外侧壁上的凹道，以及将该凹道封闭的封闭件。即，封闭件311用于将凹道的开口封闭，从而凹道与封闭件311共同构成封闭的通道。在实际应用中，上述封闭件311可以焊接在环形本体310上，同时封堵凹道形成闭合通道。需要说明的是，在本实施例中，凹道设置在环形本体310的外侧壁上，但是，本技术并不局限于此，在实际应用中，凹道也可以设置在环形本体310的内侧壁上。或者，上述冷却通道还可以为设置在环形本体310中的通道，即，冷却通道内置在环形本体310中。在本实施例中，冷却通道304为环形，且沿环形本体310的周向环绕。可选的，该环形的冷却通道304的轴线与环形本体310的轴线重合，或者，该环形的冷却通道的轴线也可以相对于环形本体310的轴线倾斜。为了提高冷却效率，优选地，环形的冷却通道304为多个，多个冷却通道沿环形本体310的轴向间隔设置。为了提高轴向上的温度均匀性，优选地，多个冷却通道304沿轴向均匀间隔设置。冷却通道还可以包括沿环形本体的周向螺旋环绕的螺旋通道。螺旋通道的数量为一个或多个。当冷却通道304的数量为多个时本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种内衬，其特征在于，所述内衬包括环形本体，在所述环形本体的外周壁上设置有凸缘；所述环形本体具有冷却通道，且在所述凸缘中设置有与所述冷却通道相连通的出口通道和入口通道。

【技术特征摘要】
1.一种内衬，其特征在于，所述内衬包括环形本体，在所述环形本体的外周壁上设置有凸缘；所述环形本体具有冷却通道，且在所述凸缘中设置有与所述冷却通道相连通的出口通道和入口通道。2.根据权利要求1所述的内衬，其特征在于，所述冷却通道包括设置在所述环形本体的侧壁上的凹道，以及将封闭所述凹道以形成所述冷却通道的封闭件。3.根据权利要求1所述的内衬，其特征在于，所述冷却通道设置在所述环形本体中。4.根据权利要求1-3中任一所述的内衬，其特征在于，所述冷却通道为环形，且沿所述环形本体的周向环绕。5.根据权利要求4所述的内衬，其特征在于，所述冷却通道为多个，多个所述冷却通道沿所述环形本体的轴向间隔设置；并且，多个的所述冷却通道通过至少一个连接通道相连通。6.根据权利要求5所述的内衬，其特征在于，每个所述冷却通道在周向上是非闭合的，且多个所述冷却通道的第一端沿所述环形本体的轴向排列，多个所述冷却通道的第二端沿所述环形本体的轴向排列；所...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵康宁，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11