多区半导体基板支撑件制造技术

公开了多区半导体基板支撑件。示例性支撑组件可包括顶部圆盘和与顶部圆盘耦合的背托板。支撑组件可包括与背托板耦合的冷却板。支撑组件可包括耦合在冷却板和背托板之间的加热器。支撑组件还可包括围绕背托板的外部与背托板耦合的背板。背板可至少部分地限定一容积，并且加热器和冷却板可被容纳在该容积内。

【技术实现步骤摘要】
多区半导体基板支撑件
本技术涉及用于半导体制造的部件和装置。更具体地，本技术涉及基板支撑组件和其他半导体处理设备。
技术介绍
通过在基板表面上产生复杂图案化材料层的工艺而使集成电路成为可能。在基板上产生图案化材料需要用于形成和去除材料的受控的方法。这些工艺发生时所处的温度可直接影响最终产品。在处理期间，常常利用支撑基板的组件来控制和维持基板温度。可横跨支撑组件的表面或穿过支撑组件的深度而发生的温度波动可能创建横跨基板的温度区或区域。具有不同的温度的这些区域可能影响在基板上执行的或对基板执行的工艺，这往往可能降低沿着基板沉积的膜或蚀刻的结构的均匀性。取决于沿着基板的表面的变化的程度，器件失效可能因由应用产生的不一致性而发生。另外，容纳在半导体处理腔室内的结构可受在腔室内执行的工艺影响。例如，在腔室内沉积的材料可沉积在腔室内的设备上和在基板本身上。材料还可沉积在支撑基座上，这可能引起基板对准的问题以及在正被处理的基板上再沉积的问题。因此，需要改进的可用于生产高质量器件和结构的系统和方法。本技术解决了这些和其他需要。
技术实现思路
示例性支撑组件可包括顶部圆盘和与顶部圆盘耦合的背托板。支撑组件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板支撑组件，包括：顶部圆盘；背托板，所述背托板与所述顶部圆盘耦合；冷却板，所述冷却板与所述背托板耦合；加热器，所述加热器耦合在所述冷却板和所述背托板之间；以及背板，所述背板围绕所述背托板的外部与所述背托板耦合，其中所述背板至少部分地限定容积，并且其中所述加热器和所述冷却板被容纳在所述容积内。

【技术特征摘要】
2017.05.17 US 15/597,9491.一种基板支撑组件，包括：顶部圆盘；背托板，所述背托板与所述顶部圆盘耦合；冷却板，所述冷却板与所述背托板耦合；加热器，所述加热器耦合在所述冷却板和所述背托板之间；以及背板，所述背板围绕所述背托板的外部与所述背托板耦合，其中所述背板至少部分地限定容积，并且其中所述加热器和所述冷却板被容纳在所述容积内。2.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述顶部圆盘限定在所述顶部圆盘的内区和外区之间的热中断部，并且其中所述热中断部包括围绕所述顶部圆盘的内半径限定的沟槽。3.如权利要求2所述的基板支撑组件，其中所述热中断部包括围绕所述顶部圆盘的内半径在所述顶部圆盘的第一表面处限定的第一沟槽，以及围绕所述顶部圆盘的第二内半径在所述顶部圆盘的与所述第一表面相对的第二表面处限定的第二沟槽。4.如权利要求3所述的基板支撑组件，其中所述第一沟槽和所述第二沟槽中的至少一者围绕所述顶部圆盘不连续地延伸。5.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述冷却板限定在所述冷却板内的至少一个通道，所述至少一个通道被配置成在所述冷却板中分配从中央端口输送的流体。6.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述加热器包括与所述背托板在第一位置处耦合的第一加热器，以及与所述背托板在从所述第一位置径向向外的第二位置处耦合的第二加热器。7.如权利要求6所述的基板支撑组件，其中所述冷却板和所述背托板限定径向位于所述第一加热器和所述第二加热器之间的间隙，并且其中所述第二加热器延伸到所述冷却板的顶表面的径向边缘。8.如权利要求7所述的基板支撑组件，其中所述第一加热器和所述第二加热器被配置成彼此独立地操作，并且其中所述第一加热器和所述第二加热器被配置成维持+/-0.5℃的横跨在所述基板支撑组件上的基板的温度...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·T·萨米尔，D·杨，D·卢伯米尔斯基，P·希尔曼，S·帕克，M·Y·崔，L·朱，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US