一种用于真空处理基板的设备。该设备包括真空腔室、基板传送组件、掩模传送组件和具有致动器和位于致动器与真空腔室之间的机械隔离元件的对准系统。

描述了用于等离子体处理腔室中晶片载体的先进温度控制系统和方法。在一个示例中，热交换器向工件载体的流体通道提供温度受控的热流体以及接收来自流体通道的热流体。比例阀在热交换器和流体通道之间，以控制从热交换器到流体通道的热流体的流速。气动阀也...

描述了一种半导体处理装置，所述半导体处理装置具有：具有壁的主体，所述壁定义所述主体内的两个处理腔室；穿过所述壁的通路，在所述两个处理腔室之间形成流体耦合；盖，可移除地耦合至所述主体，所述盖具有与所述通路流体连通的门户；气体活化器，在所述...

本文所述的实施方式提供具有原位清洁能力的热基板处理装置。本文所述的装置可包括热处理腔室，所述热处理腔室限定处理容积并且基板支撑件可布置于处理容积内。一个或多个远程等离子体源可与处理容积流体连通，并且远程等离子体源可配置成将等离子体传送到...

提供了一种用于处理基板的系统。所述系统包括：处理腔室，包括封闭处理区域的一个或多个侧壁；以及基板支撑件。所述系统进一步包括：通道，连接到处理腔室；以及第一颗粒检测器，设置在沿着所述通道的第一位置处。第一颗粒检测器包括：能源，被构造为发射...

本公开内容的实施方式提供用于检查和处理基板的方法和系统。在一个实施方式中，提供一种方法，所述方法包括：将第一多个束从衍射分束器传输到基板的第一表面以产生第二多个束的反射，其中第一多个束在到达基板的第一表面时彼此间隔开；在光学装置的记录表...

一种包含具有保护性涂层的主体的物件。此保护性涂层是包含金属氟氧化物的薄膜。此金属氟氧化物具有实验式MxOyFz，其中M是金属，y具有的值为x值的0.1至1.9倍，z具有的值为x值的0.1至3.9倍。此保护性涂层具有1至30微米的厚度与小...

提供用于形成具有期望的膜密度、机械强度及光学膜性质的类金刚石碳层的方法。在一个实施方式中，形成类金刚石碳层的方法包括下列步骤：在设置于处理腔室中的基板的表面上方产生电子束等离子体，以及在该基板的该表面上形成类金刚石碳层。所述类金刚石碳层...

提供一种用于处理腔室的气体分配板组件，在一个实施例，该气体分配板组件包括主体、底板与穿孔面板，该主体由金属材料制成，该底板包含与该主体耦接的硅渗入的金属基质复合物，该穿孔面板包含通过黏接层与底板耦接的硅盘。

基板蚀刻系统包含将晶片保持在面朝上方向上的支撑件、可横向移动跨越支撑件上的晶片的分配器臂(该分配器臂支撑输送端口以选择性地将液体蚀刻剂分配至晶片的顶面的一部分上)及监测系统，该监测系统包含可横向移动跨越支撑件上的晶片的探针。

一种研磨模块，包括卡盘，所述卡盘具有基板接收表面和周边；以及一个或更多个研磨垫组件，所述一个或更多个研磨垫组件定位在所述卡盘的所述周边的周围，其中所述一个或更多个研磨垫组件的每一个耦合到致动器，所述致动器相对于所述基板接收表面在扫动方向...

本公开内容的实施方式包括用于半导体基板制造工艺的等离子体处理腔室的原位腔室清洁效率提高工艺的方法。在一个实施方式中，用于在清洁等离子体工艺之后执行等离子体处理工艺的方法包括以下步骤：在没有设置在等离子体处理腔室上的基板的情况下，在等离子...

本说明书所述实施例总体上有关在沉积工艺期间对基板支撑件与气体分配媒介之间的处理间距的动态、实时控制。于沉积工艺期间的任何时间，利用多维自由度来改变基板平面相对于气体分配媒介的角度及间距。如此，在沉积工艺期间可校平、倾斜、旋转、摇晃和/或...

描述了具有盖、基板支座及内挡环的处理腔室，该盖具有下表面，该基板支座具有面向该盖的上表面，该内挡环在该基板支座与该盖之间。描述了使用该处理腔室的方法。

在此所述的实施方式大体上涉及用于制造半导体装置的工艺，其中使用自组装单层(SAM)来实现选择性区域沉积。在此所述的方法涉及交替的SAM分子和羟基部分暴露操作，其可用以形成适于阻挡随后沉积材料的沉积的SAM层。

本发明的实施方式一般地涉及用于半导体处理腔室的阳极。更具体而言，本文描述的实施方式涉及处理配件，该处理配件包括屏蔽件，该屏蔽件用作在物理沉积腔室中的阳极。屏蔽件具有圆柱带，该圆柱带具有顶部和底部，该圆柱带尺寸设为围绕设置在靠近该顶部处的...

本文公开的实施方式总体涉及一种用于使光均匀的光管或万花筒式光管，使得一旦光离开光管，光就是均匀的。通过在所述光管内反射光，光均匀性得以提高。在一个实施方式中，提供一种用于图像投影设备的光管。所述光管包括拉长的矩形主体，所述拉长的矩形主体...

本文公开的实施方式总体涉及调整数字光刻系统的聚焦设置。方法包括扫描光刻胶的表面。所述光刻胶形成在基板上。确定数字光刻系统的聚焦设置。在光刻胶上定位多个曝光位置。针对多个聚焦设置测量曝光部的侧壁宽度。响应于确定最小侧壁宽度来调整聚焦设置。

本文公开的实施方式总体涉及响应于覆盖误差来调整基板的曝光参数。方法包括将基板划分为一个或多个区段。每个区段对应于图像投影系统。确定沉积在基板上的第一层的总覆盖误差。针对每个区段，计算区段覆盖误差。针对其中两个或多个区段重叠的每个重叠区域...

一种控制用于电镀半导体基板的设备的操作的系统，包含在高操作模式与低操作模式中进行操作，在高操作模式中现有的电源供应器提供直接用于产生通道控制信号的电流或电压，且在低操作模式中现有的电源供应器对提供电流或电压以产生通道控制信号的电路进行偏压。