用于蚀刻系统的晶片轮廓技术方案

基板蚀刻系统包含将晶片保持在面朝上方向上的支撑件、可横向移动跨越支撑件上的晶片的分配器臂(该分配器臂支撑输送端口以选择性地将液体蚀刻剂分配至晶片的顶面的一部分上)及监测系统，该监测系统包含可横向移动跨越支撑件上的晶片的探针。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于蚀刻系统的晶片轮廓
本公开内容涉及蚀刻系统中的基板监测。
技术介绍
通常通过在硅晶片上的连续沉积、图案化、及蚀刻导电、半导电或绝缘层来在基板上形成集成电路。一个制造步骤涉及了沉积导电层、图案化蚀刻掩模以保护导电层、及使用液体蚀刻剂(“湿蚀刻”)来蚀刻导电层以形成隔离的导电线路。蚀刻掩模层保护膜的经屏蔽区域不被蚀刻。对于某些应用来说，直到导电层的未经屏蔽区域“清除”及下层的顶表面经暴露前，皆通过蚀刻经沉积的导电层来形成隔离的导电线路。在一些应用中，对未经屏蔽区域的清除的检测被称为终点检测，且该清除的检测可用于决定何时停止蚀刻工艺。上游工艺步骤及湿蚀刻工艺的差异通常导致跨越晶片的经蚀刻导电线路的不均匀性。可(举例而言)使用临界尺寸(CD)测量来决定非均匀性。CD测量的方法包含使用扫描式电子显微镜(SEM)的自上而下测量或横截面测量。举例而言，可使用聚焦离子束(FIB)工艺来制备横截面。导电线路的横截面测量可提供包含线路的宽度、高度及底切程度的信息。
技术实现思路
在一态样中，基板蚀刻系统包含将晶片保持在面朝上方向上的支撑件、可横向移动跨越支撑件上的晶片的分配器臂(该分配器臂支撑输送端口以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板蚀刻系统，包含：支撑件，所述支撑件将晶片保持在面朝上方向上；分配器臂，所述分配器臂可横向移动跨越所述支撑件上的所述晶片，所述分配器臂支撑输送端口以选择性地将液体蚀刻剂分配至所述晶片的顶面的一部分上；和监测系统，所述监测系统包含可横向移动跨越所述支撑件上的所述晶片的探针。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.05.06 US 62/332,992;2017.04.24 US 62/489,3291.一种基板蚀刻系统，包含：支撑件，所述支撑件将晶片保持在面朝上方向上；分配器臂，所述分配器臂可横向移动跨越所述支撑件上的所述晶片，所述分配器臂支撑输送端口以选择性地将液体蚀刻剂分配至所述晶片的顶面的一部分上；和监测系统，所述监测系统包含可横向移动跨越所述支撑件上的所述晶片的探针。2.如权利要求1所述的系统，其中以所述分配器臂固定所述探针且所述探针与所述分配器臂一起移动。3.如权利要求1所述的系统，其中以第二臂固定所述探针且所述探针与所述第二臂一起移动。4.如权利要求1所述的系统，其中所述监测系统包含光学监测系统。5.如权利要求4所述的系统，其中所述光学监测系统包括光源、检测器及光学组件，以将来自所述光源的光传送至所述基板及将来自所述基板的反射光传送至所述检测器。6.如权利要求5所述的系统，其中所述光学组件包含光纤，及所述探针包含邻近所述支撑件定位的所述光纤的一端。7.如权利要求1所述的系统，包含经配置以从所述光学监测系统接收测量的控制器。8.如权利要求7所述的系统，其中所述控制器经配置以决定是否放置不正确类型的晶片于所述支撑件上。9.如权利要求7所述的系统，其中所述控制器经配置以检测所述晶片在所述支撑件上的错置。10.如权利要求7所述的系统，其中所述控制器经配置以检测目标蚀刻速率分布与蚀刻速率的差异，及调整所述端口的停留时间或所述蚀刻剂的流速以减小所述蚀刻速率与所述目标蚀刻速率分布的差异。11.一种基板蚀刻系统，包含：支撑件，所述支撑件将晶片保持在面朝上方向上；分配器臂，所述分配器臂可横向移动跨越所...

【专利技术属性】
技术研发人员：杰夫瑞·奇·张，约翰·盖基尔，杰瑞·D·莱昂哈德，大卫·P·苏尔杜克，本杰明·谢弗，雷·扬，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US