用于晶片放气的等离子体增强退火腔室制造技术

本文所述的实施方式提供具有原位清洁能力的热基板处理装置。本文所述的装置可包括热处理腔室，所述热处理腔室限定处理容积并且基板支撑件可布置于处理容积内。一个或多个远程等离子体源可与处理容积流体连通，并且远程等离子体源可配置成将等离子体传送到处理容积。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于晶片放气的等离子体增强退火腔室背景
本公开内容的实施方式大致涉及半导体处理腔室。更具体而言，本文所述的实施方式涉及用于基板放气的等离子体增强退火腔室。
技术介绍
通常在半导体制造中出于各种目的采用半导体基板的热处理。不同类型的热处理包括快速热处理、激光处理、浸泡退火(soakannealing)等等。在热处理期间所采用的温度可配置成改变基板和设置在基板上的材料的各种特性。例如，掺杂剂扩散、结晶材料改性和表面改性仅仅是可通过热处理实现的一些类型的处理。在某些热处理中，材料可从正受到热处理的基板放气。经放气的材料通常被从热处理腔室的处理容积排放，然而，经放气的材料也可能沉积在腔室壁和设置在腔室内的部件上。所沉积的材料可在腔室内产生颗粒，并且重新沉积在基板上，这可导致最终形成于基板上的微电子器件的故障。腔室的清洁通常需要在预防性维护期间长时间的停机时间，而降低热处理的效率。因此，在本领域中需要改良的热处理腔室。
技术实现思路
在一个实施方式中，提供一种基板处理装置。所述装置包括第一热处理腔室，所述第一热处理腔室限定第一处理容积。第一基板支撑件可设置在第一处理容积内，第一远程等离子体源可流体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，包含：第一热处理腔室，所述第一热处理腔室限定第一处理容积；第二热处理腔室，所述第二热处理腔室限定第二处理容积；第一远程等离子体源，所述第一远程等离子体源通过第一等离子体导管耦合至所述第一热处理腔室；排放装置，所述排放装置通过第一排放导管耦合至所述第一热处理腔室，并且通过第二排放导管耦合至所述第二热处理腔室；共同排放导管，所述共同排放导管将所述第一排放导管和所述第二排放导管耦合至所述排放装置；总排放流量控制器，所述总排放流量控制器设置在所述共同排放导管中；和腔室排放流量控制器，所述腔室排放流量控制器设置在所述第一排放导管中。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.04.11 US 62/320,9321.一种基板处理装置，包含：第一热处理腔室，所述第一热处理腔室限定第一处理容积；第二热处理腔室，所述第二热处理腔室限定第二处理容积；第一远程等离子体源，所述第一远程等离子体源通过第一等离子体导管耦合至所述第一热处理腔室；排放装置，所述排放装置通过第一排放导管耦合至所述第一热处理腔室，并且通过第二排放导管耦合至所述第二热处理腔室；共同排放导管，所述共同排放导管将所述第一排放导管和所述第二排放导管耦合至所述排放装置；总排放流量控制器，所述总排放流量控制器设置在所述共同排放导管中；和腔室排放流量控制器，所述腔室排放流量控制器设置在所述第一排放导管中。2.如权利要求1所述的装置，进一步包含：设置在所述第一热处理腔室中的第一压力传感器，和设置在所述第二热处理腔室中的第二压力传感器。3.如权利要求2所述的装置，进一步包含：控制器，所述控制器耦合至所述第一压力传感器和所述第二压力传感器、和所述总排放流量控制器、和所述腔室排放流量控制器。4.如权利要求3所述的装置，进一步包含：第二远程等离子体源，所述第二远程等离子体源通过第三导管耦合至所述第二热处理腔室，其中所述第一远程等离子体源通过第二等离子体导管也耦合至所述第二热处理腔室。5.如权利要求4所述的装置，进一步包含：等离子体流量控制器，所述等离子体流量控制器设置在所述第二等离子体导管中，其中所述第一远程等离子体源通过第二等离子体导管也耦合至所述第二热处理腔室。6.如权利要求5所述的装置，进一步包含：设置在所述第一热处理腔室中的第一成分传感器，和设置在所述第二热处理腔室中的第二成分传感器，其中第一气源通过第一源导管耦合至所述第一等离子体源，第二气源通过第二源导管耦合至所述第二等离子体源，第一源流量控制器设置在所述第一源导管中，并且第二源流量控制器设置在所述第二源导管中。7.如权利要求6所述的装置，其中所述控制器也耦合至所述等离子体流量控制器、所述第一源流量控制器、所述第二源流量控制器、所述第一成分传感器和所述第二成分传感器。8.一种基板处理装置，包含：第一热处理腔室，所述第一热处理腔室限定第一处理容积；第二热处理腔室，所述第二热处理腔室限定第二处理容积；第一远程等离子体源，所述第一远程等离子体源通过第一等离子体导管耦合至所述第一热处理腔室；第二远程等离子体源，所述第二远程等离子体源通过第二等离子体导管耦合至所述第二热处理腔室；载气源，所述载气源通过第一载气导管耦合至所述第一热处理腔室，并且通过第二载气导管耦合至所述第二热处理腔室；排放装置，所述排放装置通过第一排放导管耦合至所述第一热处理腔室，并且通过第二排放导管耦合至所述第二热处理腔室；共同排放导管，所述共同排放导管将所述第一排放导管和所述第二排放导管耦合至所述排放装置；总排...

【专利技术属性】
技术研发人员：劳拉·哈夫雷查克，马修·D·斯科特奈伊卡斯尔，诺曼·L·塔姆，马修·斯伯勒，刚·龙·塞缪尔·陈，姚东明，斯蒂芬·莫法特，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US