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用于晶片放气的等离子体增强退火腔室制造技术
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文档序号:19879662
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本文所述的实施方式提供具有原位清洁能力的热基板处理装置。本文所述的装置可包括热处理腔室,所述热处理腔室限定处理容积并且基板支撑件可布置于处理容积内。一个或多个远程等离子体源可与处理容积流体连通,并且远程等离子体源可配置成将等离子体传送到处理...
该专利属于应用材料公司所有,仅供学习研究参考,未经过应用材料公司授权不得商用。
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