描述了一种包含具有支撑柱的基座的基座组件。所述基座具有主体，所述主体具有顶表面与底表面。所述顶表面具有多个凹部。所述支撑柱连接至所述基座的底表面，以旋转所述基座组件。所述支撑柱包括支撑柱真空气室，所述支撑柱真空气室与所述基座的主体中的基...

于此公开的实施例一般相关于用于在处理腔室中高温处理基板的腔室衬垫。处理腔室利用惰性底部净化流来屏蔽基板支撑件以免于卤素反应物的影响，使得基板支撑件可被加热至高于约摄氏650度的温度。腔室衬垫控制流轮廓，使得沉积期间，底部净化流限制反应物...

本公开内容提供一种用于基板的真空处理的设备(100)。此设备(100)包括处理真空腔室(110)、维护真空腔室(120)、开口(130)、及磁性闭合布置(140)。开口(130)用于在处理真空腔室(110)及维护真空腔室(120)之间传...

提供一种用于基板(10)的真空处理的方法。所述方法包括：在所述基板(10)沿着运输路径(20)移动通过处理区域(110)时，使用设于所述处理区域(110)中的离子蚀刻源(130)用离子来辐照基板表面(11)或所述基板(10)上的第一材料...

一种用于生产在电化学装置中使用的电绝缘隔板的方法和设备。所述方法包括提供具有正面和背面的柔性基板，以及施加包括陶瓷材料的多孔涂层至柔性基板的正面和背面中的至少一个，其中施加多孔涂层包括在感应加热的坩埚中将金属蒸发。

一种用于形成陶瓷部件的增材制造设备，该设备包括用以支撑待形成的陶瓷部件的平台及用以在该平台上方分配供给材料的连续层的分配器。该供给材料包含可固化成分。该设备进一步包括可朝向该平台的顶面发射辐射的辐射源及微波源，该微波源可以施加朝向该平台...

本公开案的实施例一般是关于用于清洗排放系统，例如与用于形成外延硅的处理腔室一起使用的排放系统的方法及设备。排放系统包含用于供应离子化气体穿过排放系统的远端等离子来源，及置于远端等离子来源下游的一或更多个温度感测器。

公开了用于半导体处理腔室隔离以实现减少的颗粒和改善的均匀性的方法和设备。本公开内容的实现方式总体涉及用于在基板上均匀沉积薄膜的设备和方法。在一个实现方式中，等离子体处理腔室包括腔室主体，腔室主体包括腔室壁、腔室底板和盖支撑件。等离子体处...

描述了一种用以于处理系统的真空腔室中导引多条供应接线的供应接线导件(100)。供应接线导件包括导引布置(110)，导引布置(110)包括多个连接元件(115)，其中这些连接元件(115)相对于彼此可调整角度。再者，供应接线导件包括围绕导...

描述了用于高深宽比特征的间隙填充的方法。将第一膜沉积在特征的底部和上部侧壁上。从所述特征的所述侧壁蚀刻所述第一膜，并且处理在所述特征的所述底壁中的所述第一膜以形成第二膜。重复所述沉积工艺、所述蚀刻工艺和所述处理工艺以填充所述特征。

根据本实用新型用于装载及卸载基板的负载锁定腔室和直列基板处理系统，提供了一种用于处理基本上竖直取向的基板(131)的直列基板处理系统(100)。所述直列基板处理系统包括：第一处理腔室(110)，所述第一处理腔室具有第一处理区域(116)...

本公开涉及通过独立控制TEOS流量的沉积径向和边缘轮廓可维持性。本公开披露了用于处理基板的串联处理系统。至少一个处理腔室包括穿孔盖、设置在穿孔盖上的气体阻滞器以及设置在穿孔盖下方的基板支撑件。气体阻滞器包括：气体歧管、在气体歧管中形成的...

本发明的实施例大体包含用于制备圆筒状溅射标靶管且将圆筒状溅射标靶管接合至背衬管以形成旋转标靶组件的方法及装置。在一个实施例中，圆筒状标靶组件包括接合材料，该接合材料具有圆筒状表面且与背衬管大致上同心。在一个实施例中，用于形成圆筒状标靶组...

说明一种处理掩模装置的方法，所述掩模装置经构造以用于在基板上的带掩模的沉积。所述方法包括：装载(Y1)掩模装置(10)至真空系统(100)中；在真空系统中附接(Y3)掩模装置(10)至掩模载体(15)；和在真空系统(100)中以非水平定...

说明一种用于在处理系统中路由载体的设备。所述设备包括第一保持组件，附接于真空腔室，用于沿着第一方向传送载体；第二保持组件，附接于真空腔室，用于沿着第二方向传送载体，第二方向不同于第一方向；和可旋转支撑件，用于从第一方向旋转载体至第二方向。

本公开内容提供一种用于基板(10)的真空处理的设备(100)。此设备(100)包括第一压力区域(110)、第二压力区域(120)、位于第一压力区域(110)与第二压力区域(120)之间的开口(130)、和用以关闭开口(130)的关闭配置...

描述一种用于在真空沉积室中在基板上沉积材料的材料沉积布置结构(100)。材料沉积布置结构(100)包括至少一个材料沉积源(105)，材料沉积源(105)具有被配置为蒸发材料的坩埚(110)、被配置为用于将蒸发的材料提供至基板的分配组件(...

描述了一种用于沉积已蒸发材料于基板上的沉积系统(100)。沉积系统(100)包括蒸汽源(120)，具有一个或多个蒸汽出口(125)；屏蔽物(110)；和冷却装置(112)，用于冷却屏蔽物，其中蒸汽源(120)可移动至空载位置(I)，一个...

本公开内容提供一种用于真空沉积工艺的沉积设备(100)。沉积设备包括真空腔室(130)；可移动沉积源(110)，布置于真空腔室中；及供应布置(120)，提供用于数个媒介供应线的供应通道，这些媒介供应线用于可移动沉积源，其中供应布置包括轴...

说明一种用于在真空系统中使用的载体(20)。所述载体(20)包括：磁体布置(30)，所述磁体布置(30)包括一个或多个第一永磁体(32)；一个或多个第二永磁体(34)；和磁体装置(36)，经构造以改变一个或多个第一永磁体的磁化。载体可用...