用于真空处理的方法和设备技术

提供一种用于基板(10)的真空处理的方法。所述方法包括：在所述基板(10)沿着运输路径(20)移动通过处理区域(110)时，使用设于所述处理区域(110)中的离子蚀刻源(130)用离子来辐照基板表面(11)或所述基板(10)上的第一材料层的表面；沿着所述运输路径(20)将所述基板(10)移动到沉积区域(120)中；和在所述基板(10)静止时，在所述基板表面(11)上方或所述第一材料层上方沉积至少一个第二材料层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于真空处理的方法和设备
本公开内容的实施方式涉及一种用于基板的真空处理的方法和一种用于基板的真空处理的设备。本公开内容的实施方式特别涉及用于在显示装置的制造中使用的物理气相沉积(例如，溅射沉积)的方法和设备。
技术介绍
用于在基板上进行层沉积的技术包括例如溅射沉积、热蒸发和化学气相沉积(CVD)。溅射沉积工艺可以用于在基板上沉积材料层，诸如导电材料层。设在基板载体上的基板可被运输通过处理系统。为了在基板上执行多个处理措施，可以使用处理模块的直列(in-line)布置。直列处理系统包括多个连续处理模块，其中处理措施相继在各个处理模块中进行。多种材料(诸如金属，还包括金属的氧化物、氮化物或碳化物)可以用于沉积在基板上。涂覆材料可以在若干应用和若干
中使用。例如，用于显示器的基板通常通过物理气相沉积(PVD)工艺(诸如溅射工艺)涂覆，例如，以在基板上形成薄膜晶体管(TFT)。随着新的显示技术发展并且鉴于朝更大的显示器尺寸的趋势，对显示器中使用的提供改进的性能(例如，关于电气特性的性能)的层或层系统有持续需求。举例来说，在导电层之间的低接触电阻可能是有益的。在导电层之间的接触界面处的氧化材料可能增大接触电阻，从而降低制造的显示器的质量。鉴于上文，克服本领域的问题中的至少一些的用于基板的真空处理的新的方法和用于基板的真空处理的设备是有益的。特别地，允许在导电层之间的减小的接触电阻的方法和设备是有益的。
技术实现思路
鉴于上文，提供一种用于基板的真空处理的方法和一种用于基板的真空处理的设备。本公开内容的另外方面、益处和特征从权利要求书、说明书和随附附图显而易见。根据本公开内容的一个方面，提供一种用于基板的真空处理的方法。所述方法包括：在所述基板沿着运输路径移动通过处理区域时，使用设于所述处理区域中的离子蚀刻源用离子来辐照基板表面或所述基板上的第一材料层的表面；沿着所述运输路径将所述基板移动到沉积区域中；和在所述基板静止时，在所述基板表面上方或所述第一材料层上方沉积至少一个第二材料层。根据本公开内容的另一个方面，提供一种用于基板的真空处理的方法。所述方法包括：使设在处理区域中的离子蚀刻源相对于设在运输路径上的基板移动；在所述离子蚀刻源移动时用由所述离子蚀刻源提供的离子来辐照基板表面或所述基板上的第一材料层的表面；沿着所述运输路径将所述基板移动到沉积区域中；和在所述基板表面上方或所述第一材料层上方沉积至少一个第二材料层。根据本公开内容的一个方面，提供一种用于基板的真空处理的设备。所述设备包括：至少一个处理区域，具有至少一个离子蚀刻源；至少一个沉积区域，具有一个或多个沉积源；和运输路径，延伸通过所述至少一个处理区域和所述至少一个沉积区域。所述设备被配置为在所述基板通过所述至少一个离子蚀刻源时用由所述至少一个离子蚀刻源提供的离子来辐照基板表面或所述基板上的第一材料层的表面。所述设备被配置为在所述基板静止时，在所述基板表面上方或所述第一材料层上方沉积至少一个第二材料层。根据本公开内容的又一个方面，提供一种用于基板的真空处理的设备。所述设备包括：至少一个处理区域，具有至少一个离子蚀刻源；至少一个沉积区域，具有一个或多个沉积源；运输路径，延伸通过所述至少一个处理区域和所述至少一个沉积区域；和驱动器，被配置为使所述至少一个离子蚀刻源相对于所述运输路径移动。实施方式还涉及用于执行所公开的方法的设备并且包括用于执行每个所述的方法方面的设备零件。这些方法方面可以通过硬件部件、由适当的软件编程的计算机、这两者的任何组合或以任何其它方式执行。此外，根据本公开内容的实施方式还涉及用于操作所述的设备的方法。用于操作所述的设备的方法包括用于进行设备的每一功能的方法方面。附图说明为了能详细地理解本公开内容的上述特征，可通过参考实施方式来获得上文简要地概述的本公开内容的更特定的描述。随附附图涉及本公开内容的实施方式，并且描述于下：图1示出了根据本文所述的实施方式的用于基板的真空处理的方法的流程图；图2示出了根据本文所述的实施方式的用于基板的真空处理的设备的示意图；图3示出了根据本文所述的另外实施方式的用于基板的真空处理的设备的示意图；图4示出了根据本文所述的实施方式的用于基板的真空处理的设备的横截面示意图；图5示出了根据本文所述的实施方式的用于基板的真空处理的设备的示意图；图6示出了根据本文所述的另外实施方式的用于基板的真空处理的设备的示意图；和图7示出了根据本文所述的实施方式的显示器的具有薄膜晶体管和像素电极的部段的横截面示意图。具体实施方式现在将详细地参考本公开内容的各种实施方式，这些实施方式的一个或多个示例示于附图中。在以下对附图的描述内，相同标号表示相同部件。一般，仅描述关于各别实施方式的差异。每个示例以解释本公开内容的方式提供，而不表示对本公开内容的限制。另外，被示出或描述为一个实施方式的部分的特征可以用于其它实施方式或结合其它实施方式使用以产生又进一步实施方式。本说明书旨在包括这样的修改和变化。随着新的显示技术发展并且鉴于朝更大的显示器尺寸的趋势，对显示器中使用的提供改进的性能(例如，关于电气特性的性能)的层或层系统有持续需求。举例来说，在层之间的低接触电阻可能是有益的。特别地，在层的接触界面处氧化物(诸如金属氧化物)的出现应最小化或甚至避免，以便提供在层之间的低接触电阻。根据本公开内容，使用诸如线性离子蚀刻源的离子蚀刻源从基板表面或基板上的第一材料层的表面去除氧化材料。当已经去除氧化材料时，将至少一个第二材料层沉积在基板表面或基板或第一材料层上。第一材料层和至少一个第二材料层可以是导电层。举例来说，导电层可以选自金属层和氧化铟锡(ITO)层。使用离子蚀刻源的蚀刻工艺和至少一个第二材料层的沉积可以在没有真空破坏的情况下执行。基板或第一材料层与第二材料层之间的接触电阻可以减小，特别地因为在基板或第一材料层与第二材料层之间的接触界面处存在减少量的氧化材料或甚至没有氧化材料。将理解，本公开内容不限于从基板表面或基板上的第一材料层的表面去除氧化材料。本文所述的实施方式，并特别是离子蚀刻源，可以用于其它表面处理工艺，例如，从基板或基板上的材料层去除其它材料或材料层。图1示出了根据本文所述的实施方式的用于基板的真空处理的方法的流程图。根据本公开内容的一个方面，所述方法包括，在框1100中，在基板沿着运输路径移动通过处理区域时，使用设于处理区域中的离子蚀刻源用离子来辐照基板表面或基板上的第一材料层的表面。所述方法包括，在框1200中，沿着运输路径将基板移动到沉积区域中，并且在框1300中，在基板静止时，将至少一个第二材料层沉积在基板表面上方或第一材料层上方。根据可与本文所述的其它实施方式组合的一些实施方式，离子蚀刻源是线性离子蚀刻源。在一些实现方式中，所述方法进一步包括在基板表面上方沉积第一材料层。特别地，可以在进行使用离子蚀刻源的蚀刻工艺之前沉积第一材料层。在沉积至少一个第二材料层之前，可以从基板表面或第一材料层的表面去除氧化材料，并且在至少一个第二材料层与基板或第一材料层之间的接触界面处的接触电阻可以改进。根据可与本文所述的其它实施方式组合的一些实施方式，所述方法可以进一步包括使用用于辐照基板表面或第一材料层的表面的离子蚀刻源或本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于基板的真空处理的方法，包括：在所述基板沿着运输路径移动通过处理区域时，使用设于所述处理区域中的离子蚀刻源用离子来辐照基板表面或所述基板上的第一材料层的表面；沿着所述运输路径将所述基板移动到沉积区域中；和在所述基板静止时，在所述基板表面上方或所述第一材料层上方沉积至少一个第二材料层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于基板的真空处理的方法，包括：在所述基板沿着运输路径移动通过处理区域时，使用设于所述处理区域中的离子蚀刻源用离子来辐照基板表面或所述基板上的第一材料层的表面；沿着所述运输路径将所述基板移动到沉积区域中；和在所述基板静止时，在所述基板表面上方或所述第一材料层上方沉积至少一个第二材料层。2.如权利要求1所述的方法，其中在用所述离子来辐照所述基板表面或所述第一材料层的所述表面时，所述离子蚀刻源是移动的或静止的。3.一种用于基板的真空处理的方法，包括：使设于处理区域中的离子蚀刻源相对于设于运输路径上的基板移动；在所述离子蚀刻源移动时，用由所述离子蚀刻源提供的离子来辐照基板表面或所述基板上的第一材料层的表面；沿着所述运输路径将所述基板移动到沉积区域中；和在所述基板表面上方或所述第一材料层上方沉积至少一个第二材料层。4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述离子蚀刻源是线性离子蚀刻源。5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，进一步包括：在所述基板表面上方沉积所述第一材料层。6.如权利要求2或3所述的方法，其中移动所述离子蚀刻源包括在平行于所述运输路径的第一方向和垂直于所述运输路径的第二方向中的至少一个方向上移动。7.如权利要求6所述的方法，其中所述离子蚀刻源在所述第一方向和所述第二方向上顺序地或同时地移动。8.如权利要求3至7中任一项所述的方法，其中在用所述离子来辐照所述基板表面或所述第一材料层的所述表面时，所述基板是静止的或沿着所述运输路径移动。9.如权利要求3至8中任一项所述的方法，其中在所述基板静止时，将所述至少一个第二材料层沉积在所述基板表面上方或所述第一材料层的所述表面上方。10.如权利要求3至8中任一项所述的方法，其中在所述基板沿着所述运输路径移动通过所述沉积区域时，...

【专利技术属性】
技术研发人员：马库斯·哈尼卡，奥利弗·格劳，托马斯·伯杰，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US