用于防止空间ALD处理腔室中的背侧沉积的装置制造方法及图纸

描述了一种包含具有支撑柱的基座的基座组件。所述基座具有主体，所述主体具有顶表面与底表面。所述顶表面具有多个凹部。所述支撑柱连接至所述基座的底表面，以旋转所述基座组件。所述支撑柱包括支撑柱真空气室，所述支撑柱真空气室与所述基座的主体中的基座真空气室流体连通。所述支撑柱还包括净化气体管线，所述净化气体管线通过支撑柱延伸至所述基座的主体中的净化气体气室。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于防止空间ALD处理腔室中的背侧沉积的装置
本公开大体涉及防止背侧沉积的装置与方法。更具体地，本公开涉及用于防止空间原子层沉积处理腔室中的基板的背侧上沉积的装置与方法。
技术介绍
在空间原子层沉积(ALD)处理中，沉积气体可以接触基板的背面，从而导致背侧沉积。背侧沉积可能是使用多晶片基座布置的批处理腔室中的问题。当前批处理系统具有围绕晶片的外边缘多达30毫米幅度的背侧沉积。因此，在本领域中需要用于防止批处理腔室中的背侧沉积的装置与方法。
技术实现思路
本公开的一个或多个实施例针对包含具有支撑柱的基座的基座组件。基座具有主体，主体具有顶表面与底表面。顶表面中具有多个凹部。支撑柱连接至基座的底表面，以旋转基座组件。支撑柱包括支撑柱真空气室，支撑柱真空气室与基座的主体中的基座真空气室流体连通。支撑柱还包括净化气体管线，净化气体管线通过支撑柱延伸至基座的主体中的净化气体气室。本公开的附加实施例针对包括基座的基座组件，基座具有主体，主体具有顶表面和底表面。顶表面中具有多个凹部。每个凹部在凹部的外周边区域内具有净化环，从而形成环形腔。支撑柱连接到基座的底表面以旋转基座组件。支撑柱包括：与基座的主体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基座组件，包含：基座，具有主体，所述主体具有顶表面与底表面，所述顶表面中具有多个凹部；以及支撑柱，连接至所述基座的所述底表面，以旋转所述基座组件，所述支撑柱包括：支撑柱真空气室，所述支撑柱真空气室与所述基座的所述主体中的基座真空气室流体连通，以及净化气体管线，所述净化气体管线通过所述支撑柱延伸至所述基座的所述主体中的净化气体气室。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.04.24 US 62/326,8161.一种基座组件，包含：基座，具有主体，所述主体具有顶表面与底表面，所述顶表面中具有多个凹部；以及支撑柱，连接至所述基座的所述底表面，以旋转所述基座组件，所述支撑柱包括：支撑柱真空气室，所述支撑柱真空气室与所述基座的所述主体中的基座真空气室流体连通，以及净化气体管线，所述净化气体管线通过所述支撑柱延伸至所述基座的所述主体中的净化气体气室。2.如权利要求1所述的基座组件，其中，延伸通过所述支撑柱的所述净化气体管线在接合部处分开成多个上净化气体管线。3.如权利要求2所述的基座组件，其中，所述多个上净化气体管线中的每一个具有基本上相等的传导率。4.如权利要求3所述的基座组件，其中，所述支撑柱真空气室位于所述支撑柱的顶部的中央部分中。5.如权利要求4所述的基座组件，其中，所述多个上净化气体管线中的每一个从所述支撑柱真空气室下方的接合部围绕所述支撑柱真空气室延伸至所述基座的所述主体。6.如权利要求1所述的基座组件，进一步包含所述基座的所述主体中的多个径向净化气体馈送通道，所述径向净化气体馈送通道与所述净化气体气室流体连通。7.如权利要求6所述的基座组件，其中，存在至少两个径向净化气体馈送通道，所述至少两个径向净化气体馈送通道与所述凹部中的每一个流体连通。8.如权利要求7所述的基座组件，其中，存在两个径向净化气体馈送通道，所述至少两个径向净化气体馈送通道与每个凹部流体连通，所述两个径向净化气体馈送通道偏离中心地连接至所述凹部。9.如权利要求8所述的基座组件，其中，所述径向净化气体馈送通道中的每一个连接至所述凹部的具有两个孔洞的环形气室。10.如权利要求9所述的基座组件，其中，所述两个孔洞中的每一个具有不同的尺寸，以具有流入所述凹部的所述环形气室中的净化气体的相等传导率。11.如权利要求1所述的基座组件，进一步包含多个径向真空馈...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·约德伏斯基，A·S·波利亚克，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US