使用旋转光束激光刻划工艺及等离子体蚀刻工艺的混合式晶片切割方法技术

描述了切割半导体晶片的方法，每个晶片具有多个集成电路。在一示例中，一种切割具有多个集成电路的半导体晶片的方法涉及：在该半导体晶片上方形成掩模，该掩模由覆盖且保护集成电路的一层组成。接着利用旋转激光光束激光刻划工艺图案化该掩模，以提供具有间隙的经图案化掩模，暴露该半导体晶片的集成电路之间的区域。接着穿过该经图案化掩模中的间隙等离子体蚀刻该半导体晶片以将集成电路切单。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用旋转光束激光刻划工艺及等离子体蚀刻工艺的混合式晶片切割方法相关申请的交叉引用本申请主张JungraePark等人于2016年3月25日提出的标题为“HYBRIDWAFERDICINGAPPROACHUSINGAROTATINGBEAMLASERSCRIBINGPROCESSANDPLASMAETCHPROCESS”的美国专利申请No.15/081,296的优先权。背景
本专利技术的实施例属于半导体处理的领域，且具体而言关于切割(dice)半导体晶片的方法，每个晶片在其上具有多个集成电路。
技术介绍
在半导体晶片处理中，集成电路形成于由硅或其他半导体材料组成的晶片(也称为基板)上。一般而言，半导电、导电或绝缘的各种材料的层用以形成集成电路。使用多种公知工艺掺杂、沉积及蚀刻这些材料以形成集成电路。每个晶片被处理为形成称为管芯的包含集成电路的大量个体区域。在集成电路形成工艺之后，晶片被“切割”以将个体管芯彼此分离以供封装或以未封装的形式使用在较大的电路内。用于晶片切割的两个主要技术为刻划及锯切。在刻划的情况下，金刚石尖端刻划器沿预先形成的刻线跨晶片表面而移动。这些刻线沿管芯之间的空间延本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种切割包括多个集成电路的半导体晶片的方法，所述方法包括以下步骤：在所述半导体晶片上方形成掩模，所述掩模包括覆盖且保护所述集成电路的一层；利用旋转激光光束激光刻划工艺对所述掩模进行图案化以提供具有间隙的经图案化掩模，从而暴露所述半导体晶片的所述集成电路之间的区域；以及穿过所述经图案化掩模中的所述间隙对所述半导体晶片进行等离子体蚀刻以将所述集成电路切单。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.25 US 15/081,2961.一种切割包括多个集成电路的半导体晶片的方法，所述方法包括以下步骤：在所述半导体晶片上方形成掩模，所述掩模包括覆盖且保护所述集成电路的一层；利用旋转激光光束激光刻划工艺对所述掩模进行图案化以提供具有间隙的经图案化掩模，从而暴露所述半导体晶片的所述集成电路之间的区域；以及穿过所述经图案化掩模中的所述间隙对所述半导体晶片进行等离子体蚀刻以将所述集成电路切单。2.如权利要求1所述的方法，其中所述旋转激光光束激光刻划工艺为旋转成形激光光束激光刻划工艺。3.如权利要求1所述的方法，其中所述旋转激光光束激光刻划工艺基于平滑的高斯光束。4.如权利要求1所述的方法，其中所述旋转激光光束激光刻划工艺基于具有平顶的平滑的线形光束。5.如权利要求1所述的方法，其中旋转激光光束激光刻划工艺包括以下步骤：绕输入激光光束的主轴旋转光束。6.如权利要求1所述的方法，其中旋转激光光束激光刻划工艺包括以下步骤：绕输入激光光束的偏轴旋转光束。7.如权利要求1所述的方法，其中利用所述旋转激光光束激光刻划工艺进行刻划的步骤包括以下步骤：利用旋转的基于飞秒的激光光束进行刻划。8.如权利要求1所述的方法，其中利用所述激光刻划工艺对所述掩模进行图案化的步骤包括以下步骤：所述半导体晶片的所述集成电路之间的所述区域中形成沟槽，且其中对所述半导体晶片进行等离子体蚀刻的步骤包括以下步骤：延伸所述沟槽以形成对应的沟槽延伸部。9.一种切割包括多个集成电路的半导体晶片的方法，所述方法包括以下步骤：利用旋转激光光束激光刻划工...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·朴，类维生，J·S·帕帕努，B·伊顿，A·库玛，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US