本公开内容提供一种用于制造柔性层堆叠(100)的方法。所述方法包括：提供(310)柔性基板(101)；在柔性基板(101)之上沉积(320)第一层(110)，第一层(110)包括第一材料；在第一层(110)之上沉积(330)第二层(12...

本公开的实施例是关于具有可调谐化学特性、材料特性及结构特性的先进抛光垫，及制造该等抛光垫的新方法。根据本公开的一或多个实施例，已发现具有改良特性的抛光垫可由诸如三维(3D)打印工艺之类的增材制造工艺来产生。因此，本公开的实施例可提供具有...

公开了用于可流动式CVD的双远程等离子体源的集成。本文中描述的实现方式总体涉及一种用于形成可流动膜的设备。在一个实现方式中，设备是包括第一RPS和第二RPS的处理腔室，第一RPS被耦接到处理腔室的盖，第二RPS被耦接到处理腔室的侧壁。第...

本公开涉及等离子体处理系统。一种基板支撑组件包括：轴组件；耦接至该轴组件的一部分的底座；以及耦接至该轴组件的第一旋转连接器，其中该第一旋转连接器包括：围绕可旋转的轴构件的第一线圈构件，该可旋转的轴构件与该轴组件电耦合，该第一线圈构件可与...

公开了热重复性和原位喷头温度监测。本文中描述的实施例总体涉及一种基板处理设备，并且更具体地涉及一种用于基板处理设备的改进喷头组件。喷头组件包括气体分配板和一个或多个温度检测组件。气体分配板包括具有顶表面和底表面的主体。一个或多个温度检测...

公开了真空处理腔室中的氢分压控制。本文所述的实施方式总体上涉及用于去除沉积系统中(诸如在气相沉积系统的真空前级管线中)发现的一种或多种处理副产物的方法。更具体地说，本公开的实施方式涉及减少系统中的氢积聚的方法。在另一实施方式中，提供了一...

在一些实施方式中，一种在物理气相沉积工艺腔室中处理设置在基板支撑件的顶部上的基板的方法包括：(a)经由物理气相沉积工艺在基板的第一表面的顶部上沉积介电层至第一厚度；(b)向物理气相沉积工艺腔室的处理区域提供第一等离子体形成气体，其中第一...

本文所述的实施例大体涉及用于加热基板的设备。所述设备通常包括处理腔室，所述处理腔室具有基板支撑件于所述处理腔室中。多个灯被定位以提供通过光学透明拱形结构的辐射能量至位于所述基板支撑件上的基板。聚光组件位于所述腔室内，用以影响所述基板上的...

本实用新型公开了一种气体分配组件。气体分配组件可以包括输出面和至少一个传感器，所述输出面具有用于引导气流的多个细长的气体端口，所述至少一个传感器经定位以在测量期间接触基座组件。

本文描述的实施方式涉及用于基板处理腔室的基环组件。在一实施方式中，所述基环组件包括环形主体、上环与下环，所述环形主体的尺寸被设计以容置在所述基板处理腔室的内圆周内，所述环形主体包括装载端口以使基板通过、气体入口以及气体出口，其中所述气体...

机械手组件允许载具支撑的机械手的远程致动。所述机械手组件包含轨道；载具，所述载具可沿着所述轨道移动；和机械手，所述机械手安装至所述载具。所述机械手包含至少第一臂和第一从动构件，所述第一从动构件耦接至所述第一臂。所述机械手组件进一步包含驱...

本发明提供处理配件屏蔽件和包含所述处理配件屏蔽件的处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，经配置于处理腔室中使用的单件式处理配件屏蔽件用于处理具有给定直径的基板，所述单件式处理配件屏蔽件包括：具有上部和下部的圆柱体；设置在所述上部内的环形...

用于通过将基板表面暴露于硼烷前驱物而在基板表面上形成碳化硼膜的方法。碳化硼膜任选地包含氮和/或氢。碳化硼膜可沉积在大体上不包含硼的表面上。硼烷前驱物可以包括具有通式NHR2BH3的化合物，其中每个R独立地从由以下组成的群组中选出：氢、C...

本公开内容的实施方式大体提供用于在处理腔室中支撑气体分配喷头的设备和方法。在一个实施方式中，用于真空腔室的气体分配喷头包括：矩形主体，所述矩形主体具有四个侧面、第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面、在第一主表面和第二主表面之间的在纵...

公开了用于通过原子层沉积选择性地沉积膜的方法。基板表面通过硅氢加成来钝化以防止沉积，并允许在未钝化的表面上选择性沉积。

本文所述实施方式整体涉及用于在低温下形成保形氮化硅层的方法。在使包括三甲硅烷基胺的气体混合物流入处理腔室中时，可通过将射频(RF)功率脉冲到处理腔室中来形成保形氮化硅层。经脉冲的RF功率增加中性物质与离子物质的比率并且三甲硅烷基胺的活化...

本文提供一种使用多电平脉冲RF功率来操作等离子体增强基板处理系统的方法。在一些实施例中，使用多电平脉冲RF功率来操作等离子体增强基板处理系统的方法包括以下步骤：提供第一多电平RF功率波形到处理腔室，所述第一多电平RF功率波形至少具有第一...

本文提供用于处理腔室中的RF脉冲反射减量的方法与系统。在一些实施例中，方法包括以下步骤：(a)在第一时间周期期间从多个RF产生器提供多个脉冲RF功率波形，(b)确定多个脉冲RF功率波形中的每一者的初始反射功率分布，(c)针对多个脉冲RF...

本文提供使用脉冲射频(RF)功率操作等离子体增强基板处理系统的方法。在一些实施例中，使用脉冲射频(RF)功率操作等离子体增强基板处理系统的方法包括以下步骤：在第一时间周期期间以第一功率水平将第一脉冲RF功率波形提供到处理腔室，在第一时间...

一种等离子体源组件，包括壳体；与壳体电连通的阻隔板，与壳体电连通的阻隔板，该阻隔板具有限定场域的内周边缘、外周边缘、第一侧和第二侧，细长槽在所述场域内并且延伸穿过所述阻隔板，细长槽具有长度与宽度；以及在壳体内的RF热电极，RF热电极具有...