用于减少基板附近的电场影响的单件式处理配件屏蔽件制造技术

本发明专利技术提供处理配件屏蔽件和包含所述处理配件屏蔽件的处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，经配置于处理腔室中使用的单件式处理配件屏蔽件用于处理具有给定直径的基板，所述单件式处理配件屏蔽件包括：具有上部和下部的圆柱体；设置在所述上部内的环形传热沟道；和盖环部，所述盖环部从所述下部径向向内延伸且具有从所述盖环部的底表面延伸的环形腿部，其中所述环形腿部经配置而与沉积环界面连接以在所述底表面和所述沉积环之间形成迂曲路径。

Single piece processing accessories shielding for reducing electric field effect near substrate

The present invention provides a processing accessory shield and an embodiment of a processing chamber including the processing accessory shield. In some embodiments, a single piece processing accessory shield, configured in the processing chamber, is used for processing a base plate with a given diameter. The single piece processing accessory shield includes a cylinder with an upper and lower parts, a circular heat transfer groove set in the upper part, and a cover ring, and the cover ring from the cover ring. The lower part of the lower part extends inward and has an annular leg extending from the bottom surface of the cover ring, wherein the ring leg is configured to be connected with the deposition ring interface to form a circuitous path between the bottom surface and the sedimentary ring.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于减少基板附近的电场影响的单件式处理配件屏蔽件
本公开内容的实施方式大体涉及基板处理装备。
技术介绍
物理气相沉积(PVD)腔室将膜沉积在围绕等离子体的所有部件上。沉积层可以随着时间去除污染正在处理的基板的颗粒。当处理配件(processkit)经历来自等离子体加热和关闭等离子体时随后的冷却的热循环时，沉积的膜经受由膜与下方部件材料之间的热膨胀系数(CTE)的失配导致的热应力。当所述应力超过粘着限制时，颗粒从处理配件剥落并落在基板上。高温铝PVD腔室可以在基板上产生铝晶须(aluminumwhiskers)。当围绕基板的处理配件没有足够时间在接续处理之间冷却时，形成这些晶须。沉积处理加热基板比被加热的基座显著更多。因为基板被静电夹持到基座，在厚铝膜与基板(如硅)之间的CTE失配导致的热应力下晶片无法自由弯曲。当基板上的膜应力变得够高时，晶须突然出来，因而降低了膜应力。本专利技术人已经观察到，盖环和屏蔽件的温度在经由热辐射冷却基板以及最小化晶须形成中扮演重要角色。因此，本专利技术人提供了改良的处理配件。
技术实现思路
本专利技术提供处理配件屏蔽件和包含所述处理配件屏蔽件的处理腔室的实施方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单件式处理配件屏蔽件，所述单件式处理配件屏蔽件经配置在处理腔室中使用而用于处理具有给定直径的基板，所述单件式处理配件屏蔽件包括：圆柱体，所述圆柱体具有上部和下部；环形传热沟道，所述环形传热沟道设置在所述上部内；和盖环部，所述盖环部从所述下部径向向内延伸且具有从所述盖环部的底表面延伸的环形腿部，其中所述环形腿部经配置而与沉积环界面连接以在所述底表面和所述沉积环之间形成迂曲路径。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.11 IN 2866/DEL/2015;2016.09.08 US 15/260,11.一种单件式处理配件屏蔽件，所述单件式处理配件屏蔽件经配置在处理腔室中使用而用于处理具有给定直径的基板，所述单件式处理配件屏蔽件包括：圆柱体，所述圆柱体具有上部和下部；环形传热沟道，所述环形传热沟道设置在所述上部内；和盖环部，所述盖环部从所述下部径向向内延伸且具有从所述盖环部的底表面延伸的环形腿部，其中所述环形腿部经配置而与沉积环界面连接以在所述底表面和所述沉积环之间形成迂曲路径。2.如权利要求1所述的单件式处理配件屏蔽件，其中所述上部包括：适配器部分，所述适配器部分径向向外延伸且具有静置面和密封面，所述静置面将所述单件式处理配件屏蔽件支撑于腔室的壁上，当所述单件式处理配件屏蔽件放置于所述腔室中时，腔室盖件静置于所述密封面上以密封所述腔室的内部容积，其中所述环形传热沟道设置在所述适配器部分中。3.如权利要求1所述的单件式处理配件屏蔽件，其中所述盖环部包括径向向内延伸的唇部，所述径向向内延伸的唇部具有比所述给定直径多约1英寸至约2英寸的内径。4.如权利要求1所述的单件式处理配件屏蔽件，其中所述圆柱体垂直延伸，并且所述盖环部实质垂直于所述圆柱体的所述下部。5.如权利要求1至4中任一项所述的单件式处理配件屏蔽件，其中所述单件式处理配件屏蔽件由铝或不锈钢形成。6.一种处理配件，所述处理配件经配置在处理腔室中使用而用于处理具有给定直径的基板，所述处理配件包括：单件式处理配件屏蔽件，包括：圆柱体，所述圆柱体具有上部和下部；适配器部分，所述适配器部分从所述上部径向向外延伸且具有静置面和密封面，所述静置面将所述单件式处理配件屏蔽件支撑于腔室的壁上，当所述单件式处理配件屏蔽件放置于所述腔室中时，腔室盖件静置于所述密封面上以密封所述腔室的内部容积，环形传热沟道，所述环形传热沟道设置在所述适配器部分内；和盖环部，所述盖环部从所述下部径向向内延伸；和沉积环，所述沉积环设置在所述盖环部下方，其中，当所述单件式处理配件屏蔽件设置在基板周围时，所述盖环部经配置而与所述基板以预定距离分隔开，其中，所述盖环部的底表面经配置而与所述沉积环的上表面界面连接，并且其中在所述底表面和所述上表面之间形成迂曲路径。7.如权利要求6所述的处理配件，其中所述盖环部包括径向向内延伸的唇部，所述径向向内延伸的唇...

【专利技术属性】
技术研发人员：威廉·约翰森，希兰库玛·萨万戴亚，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US