A method for forming boron carbide film on the substrate surface by exposing the substrate surface to borane precursors. Boron carbide films are chosen to contain nitrogen and / or hydrogen. Boron carbide films can be deposited on the surface that does not contain boron in general. The borane precursor may include a compound with a general type NHR2BH3, in which each R is independently selected from the following groups: hydrogen, C1 C10 alkyl, C1 C10 alkyl and aryl.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于沉积共形BCN膜的方法
本公开的实施方式总体涉及形成碳化硼膜的方法。更具体地，本公开的实施方式涉及形成碳化硼膜、碳氮化硼膜和/或氮化硼膜的方法。
技术介绍
由于强健的共价键，元素硼、碳和氮可形成具有许多有用性质的B-C-N材料。例如，材料可形成为具有高硬度、高温稳定性、增强的反应离子蚀刻(reactiveionetching；RIE)选择性和/或增强的溶剂蚀刻剂抵抗力。人们已经将努力的重点放在类金刚石碳(diamond-likecarbon；DLC)膜、碳化硼膜和氮化硼膜上。也已专注于对诸如BCN的三元化合物进行研究。常规工艺使用在大于约550℃的温度下的高温化学气相沉积(chemicalvapordeposition；CVD)或使用等离子体增强CVD。然而，高温限制了这种膜的应用，以及由于等离子体的分布，等离子体处理降低了膜的保形性。因此，在本
中需要在低温下形成具有良好的保形性和蚀刻选择性的膜的方法。
技术实现思路
本公开的一或多个实施方式涉及处理方法，所述处理方法包括在约300℃至约550℃范围中的温度下在处理腔室中将大体上不包含硼的基板表面暴露于硼烷...
【技术保护点】
一种处理方法，包括：在约300℃至约550℃范围中的温度下在处理腔室中将基板表面暴露于硼烷前驱物以形成碳化硼膜，其中所述基板表面大体上不包含硼。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.18 US 62/220,9591.一种处理方法，包括：在约300℃至约550℃范围中的温度下在处理腔室中将基板表面暴露于硼烷前驱物以形成碳化硼膜，其中所述基板表面大体上不包含硼。2.一种处理方法，包括：将具有表面的基板置于处理腔室中；在约300℃至约550℃范围中的温度下将所述基板的所述表面暴露于硼烷前驱物以形成碳化硼膜，所述硼烷前驱物包含具有通式NHR2BH3的化合物，其中每个R独立地从由以下组成的群组中选出：氢、C1-C10烷基、C1-C10烯基和芳基，条件为R基团的至少一个包含碳原子。3.如权利要求1所述的处理方法，其中所述硼烷前驱物包含具有通式NHR2BH3的化合物，其中每个R独立地从由以下组成的群组中选出：氢、C1-C10烷基、C1-C10烯基和芳基。4.如权利要求3所述的处理方法，其中R基团的至少一个包含碳原子。5.如权利要求1至4中任一项所述的处理方法，其中所述碳化硼膜基本上由硼原子、碳原子，以及任选地氢原子组成。6.如权利要求1至4中任一项所述的处理方法，其中所述硼烷前驱物包含NH(CH3)2BH3。7.如权利要求6所述的处理方法，其中所述碳化硼膜基本上由硼原子、碳原子、氮原子，以及任选地氢原子组成。8.如权利要求1至4中任一项所述的处理方法，其中所述硼烷前驱物与共反应物一起共同流进所述处理腔室中，所述共反应物从由以下组成...
【专利技术属性】
技术研发人员：程睿，A·B·玛里克，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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