用于处理基板的射频脉冲反射减量制造技术

本文提供用于处理腔室中的RF脉冲反射减量的方法与系统。在一些实施例中，方法包括以下步骤：(a)在第一时间周期期间从多个RF产生器提供多个脉冲RF功率波形，(b)确定多个脉冲RF功率波形中的每一者的初始反射功率分布，(c)针对多个脉冲RF功率波形中的每一者，确定反射功率的最高水平，并控制匹配网络或RF产生器中的至少一者，以减少反射功率的最高水平，(d)确定多个脉冲RF功率波形中的每一者的经调整反射功率分布，以及(e)重复(c)与(d)，直到多个脉冲RF功率波形中的每一者的经调整反射功率分布在阈值调谐范围中。

Radiofrequency pulse reflection reduction for processing substrates

This paper provides a method and system for processing the reduction of RF pulse reflection in the chamber. In some embodiments, the method comprises the following steps: (a) providing a plurality of pulse RF power waveforms from a plurality of RF generators during the first time period, (b) determining the initial reflection power distribution of each of the multiple pulse RF power waveforms, and (c) determining the highest water of the reflected power for each of the multiple pulse RF power rate waveforms. Leveling, and controlling at least one of the matching network or RF generator to reduce the highest level of reflection power, (d) determines the adjusted reflected power distribution of each of the multiple pulse RF power waveforms, and (E) repetition (c) and (d), until the adjusted reflected power of each of the multiple pulse RF power waveforms is distributed at the threshold In the tuning range.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于处理基板的射频脉冲反射减量
本公开的实施例一般关于用于处理基板的RF功率输送方法。
技术介绍
在习知射频(RF)等离子体处理中，例如用于许多半导体器件制造阶段期间；可经由RF能量源，提供可以以连续或脉冲波模式产生的RF能量至基板处理腔室。由于RF能量源的阻抗与处理腔室内形成的等离子体阻抗不匹配，故RF能量将反射回RF能量源，导致RF能量利用效率低又浪费能量，并且可能损坏处理腔室或RF能量源及可能造成基板处理不一致/无再现性的问题。因此，RF能量往往通过固定式或可调式匹配网络耦接到处理腔室中的等离子体，匹配网络则操作以通过更密切匹配等离子体阻抗与RF能量源的阻抗来最小化反射RF能量。匹配网络确保RF源的输出有效地耦接至等离子体，以最大化耦接至等离子体的能量的量(例如，称为调谐RF功率输送)。因此，匹配网络确保总阻抗(即，等离子体阻抗+腔室阻抗+匹配网络阻抗)与RF功率输送的输出阻抗相同。在一些实施例中，RF能量源亦能够频率调谐或调整RF能量源提供的RF能量的频率，以协助阻抗匹配。在使用在多个功率水平脉冲的多个单独RF功率信号的处理腔室中，通常使用同步RF脉冲。多个单独RF功率信号可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包含以下步骤：(a)在第一时间周期期间从多个RF产生器提供多个脉冲RF功率波形到处理腔室；(b)确定所述多个脉冲RF功率波形中的每一者的初始反射功率分布；(c)针对所述多个脉冲RF功率波形中的每一者，确定所述第一时间周期期间的反射功率的最高水平，并控制耦接至产生所述脉冲RF功率波形的RF产生器的匹配网络或产生所述脉冲RF功率波形的所述RF产生器中的至少一者，以减少反射功率的所述最高水平；(d)确定所述多个脉冲RF功率波形中的每一者的经调整反射功率分布；以及(e)重复(c)与(d)，直到所述多个脉冲RF功率波形中的每一者的所述经调整反射功率分布在阈值调谐范围中。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.10.13 US 62/241,008;2016.07.18 US 15/212,8791.一种方法，包含以下步骤：(a)在第一时间周期期间从多个RF产生器提供多个脉冲RF功率波形到处理腔室；(b)确定所述多个脉冲RF功率波形中的每一者的初始反射功率分布；(c)针对所述多个脉冲RF功率波形中的每一者，确定所述第一时间周期期间的反射功率的最高水平，并控制耦接至产生所述脉冲RF功率波形的RF产生器的匹配网络或产生所述脉冲RF功率波形的所述RF产生器中的至少一者，以减少反射功率的所述最高水平；(d)确定所述多个脉冲RF功率波形中的每一者的经调整反射功率分布；以及(e)重复(c)与(d)，直到所述多个脉冲RF功率波形中的每一者的所述经调整反射功率分布在阈值调谐范围中。2.如权利要求1所述的方法，其中每一初始反射功率分布包括所述第一时间周期期间的多个不同水平的反射功率。3.如权利要求1所述的方法，其中所述多个脉冲RF功率波形中的每一者的所述反射功率分布受到任何给定时间提供到所述处理腔室的所有所述脉冲RF功率波形影响。4.如权利要求1所述的方法，其中所述多个脉冲RF功率波形的第一脉冲RF功率波形是RF源信号。5.如权利要求4所述的方法，其中所述多个脉冲RF功率波形的第二脉冲RF功率波形是RF偏压信号。6.如权利要求1-5中任一者所述的方法，其中所述初始反射功率分布与所述经调整反射功率分布是所测量的反射功率值。7.如权利要求1-5中任一者所述的方法，其中所述多个脉冲RF功率波形中的每一者的频率彼此不同。8.如权利要求1-5中任一者所述的方法，其中所...

【专利技术属性】
技术研发人员：川崎胜正，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US