具有开槽接地板的等离子体模块制造技术

一种等离子体源组件，包括壳体；与壳体电连通的阻隔板，与壳体电连通的阻隔板，该阻隔板具有限定场域的内周边缘、外周边缘、第一侧和第二侧，细长槽在所述场域内并且延伸穿过所述阻隔板，细长槽具有长度与宽度；以及在壳体内的RF热电极，RF热电极具有正面和背面，内周端和外周端，RF热电极的正面与阻隔板隔开以限定间隙。

Plasma module with slotted floor

A plasma source assembly consisting of a shell; a barrier plate electrically connected with the shell and a barrier plate electrically connected with the shell. The barrier plate has a circumferential edge, a peripheral edge, a first side, and second sides in a limited field. The slender slot is in the field and extends through the barrier plate, the slender slot has length and width; And the RF thermoelectric pole in the shell, RF thermoelectric has a positive and a backside, the inner circumference and the peripheral end. The front of the RF thermoelectric pole is separated from the baffle plate to define the gap.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有开槽接地板的等离子体模块
本公开的实施例大致上是关于用于处理基板的设备。更特别地，本公开的实施例是关于用于与如批处理器之类的处理腔室一起使用的模块化电容耦合等离子体源。
技术介绍
半导体器件的形成通常在含有多个腔室的基板处理平台中进行。在一些情况中，多腔室处理平台或群集工具的目的是用以在受控环境中依序在基板上执行二或更多个处理。然而，在其他情况中，多腔室处理平台可以在基板上仅执行单一处理步骤；附加腔室意欲最大化平台处理基板的速率。在后者的情况中，在基板上执行的工艺通常是批处理，其中在给定腔室中同时处理相对大数目的基板(例如，25或50)。批处理对于以经济上可行的方式在个体的基板上执行是过于耗时的处理是特别有利的，例如原子层沉积(ALD)处理及一些化学气相沉积(CVD)处理。一些ALD系统(特别是具有旋转基板台板的空间ALD系统)得益于模块化等离子体源，即，可容易地插入到系统中的源。等离子体源包含产生等离子体的容积，以及将工件暴露于带电粒子的通量与活性化学自由基物种的途径。因为容易在通常用于ALD应用中的压力范围(1-50Torr)中于CCP中产生等离子体，因此在这些应用中通常使用电容耦合等离子体(CCP)源。孔阵列通常用于将晶片暴露于等离子体的活性物种。然而，已发现活性物种的相对密度并非是跨整个孔阵列而均匀的。因此，在本领域中需要提供经增加的活性物种密度均匀性的电容耦合等离子体源。
技术实现思路
本公开的一或更多个实施例针对包含壳体、阻隔板、及RF热电极的等离子体源组件。阻隔板与壳体电连通。阻隔板具有限定场域的内周边缘、外周边缘、第一侧、及第二侧。细长槽是在场域中，并延伸穿过阻隔板。细长槽具有长度与宽度。RF热电极是在壳体中，并具有正面与背面、内周端、及外周端。RF热电极的正面与阻隔板隔开以限定间隙。本公开的附加实施例针对包含具有内周端、外周、第一侧、及第二侧的楔形壳体的等离子体源组件。楔形阻隔板与壳体电连通。阻隔板具有限定场域的内周边缘、外周边缘、第一侧、及第二侧。场域包含基本上平行于阻隔板的第一侧的第一细长槽、延伸穿过阻隔板而基本上平行于阻隔板的第二侧的第二细长槽、及第一细长槽与第二细长槽之间的第三细长槽。第三细长槽具有在第二细长槽的长度的约20％到约80％的范围中的长度。第二细长槽具有在第一细长槽的长度的约20％到约80％的范围中的长度。楔形RF热电极是在壳体中，并具有正面与背面、内周端、及外周端，RF热电极的正面与阻隔板隔开以限定间隙。本公开的进一步实施例针对处理腔室。基座组件是在处理腔室中。基座组件具有顶表面，以支撑多个基板并围绕中心轴旋转多个基板。气体分配组件是在处理腔室中，并具有面向基座组件的顶表面的前表面，以朝向基座组件的顶表面引导气体流。气体分配组件包括等离子体源组件，等离子体源组件包含具有内周端、外周、第一侧、及第二侧的楔形壳体。楔形阻隔板与壳体电连通。阻隔板具有限定场域的内周边缘、外周边缘、第一侧、及第二侧。场域包含基本上平行于阻隔板的第一侧的第一细长槽、延伸穿过阻隔板而基本上平行于阻隔板的第二侧的第二细长槽、及第一细长槽与第二细长槽之间的第三细长槽。第三细长槽具有在第二细长槽的长度的约20％到约80％的范围中的长度，而第二细长槽具有在第一细长槽的长度的约20％到约80％的范围中的长度。楔形RF热电极是在壳体中。RF热电极具有正面与背面、内周端、及外周端。RF热电极的正面与阻隔板隔开以限定间隙。阻隔板的内周端比阻隔板的外周端更进一步与基座组件的顶表面隔开。附图说明为使本公开的实施例的以上所述特征可详细地被理解，本公开的实施例(简短概要如上)的较具体的描述可参照实施例而得，该等实施例中的一些描绘于随附附图中。然而，应注意随附附图仅图示本公开的典型实施例，因而不被视为限定本公开的保护范围，因为本公开可接纳其他等效实施例。图1图示根据本公开的一或更多个实施例的基板处理系统的示意剖面图；图2图示根据本公开的一或更多个实施例的基板处理系统的透视图；图3图示根据本公开的一或更多个实施例的基板处理系统的示意图；图4图示根据本公开的一或更多个实施例的气体分配组件的正面的示意图；图5图示根据本公开的一或更多个实施例的处理腔室的示意图；图6图示根据本公开的一或更多个实施例的等离子体源组件的示意剖面图；图7图示根据本公开的一或更多个实施例的阻隔板的透视图；图8图示根据本公开的一或更多个实施例的阻隔板的示意前视图；图9图示根据本公开的一或更多个实施例的阻隔板的示意前视图；图10图示根据本公开的一或更多个实施例的阻隔板的示意前视图；图11图示根据本公开的一或更多个实施例的阻隔板的示意前视图；图12图示根据本公开的一或更多个实施例的阻隔板的示意前视图；图13图示根据本公开的一或更多个实施例的具有倾斜阻隔板的等离子体源组件的示意剖面图；图14图示根据本公开的一或更多个实施例的阻隔板的示意剖视图；图15图示因变于槽宽度的等离子体离子通量的曲线图；以及图16图示因变于槽宽度的等离子体离子通量的曲线图。具体实施方式本公开的实施例提供用于连续基板沉积的基板处理系统，以最大化产量并改进处理效率。基板处理系统亦可用于预沉积及后沉积等离子体加工(treatment)。如在此说明书及随附权利要求中所使用，术语“基板”及“晶片”可互换使用，两者均指称处理在其上作用的表面、或表面的一部分。本领域技术人员亦了解对基板的引述亦可指称基板的仅一部分，除非上下文清楚地指明为其他情况。此外，对在基板上沉积的引述可意指裸基板、以及具有一或更多个膜或特征沉积或形成于其上的基板两者。如在此说明书及随附权利要求中所使用，术语“反应气体”、“前体”、“反应物”、及类似者可互换使用，用以意指包括与基板表面可反应的物种的气体。举例而言，第一“反应气体”可简单地吸附至基板的表面上，并且可用于与第二反应气体的进一步化学反应。如在此说明书及随附权利要求中所使用，术语“经减少的压力”意指少于约100Torr，或少于约75Torr，或少于约50Torr，或少于约25Torr的压力。举例而言，限定为约1Torr到约25Torr的范围中的“中等压力”是经减少的压力。考虑将旋转台板腔室用于许多应用。在此类腔室中，一或更多个晶片放置于旋转支架(“台板”)上。随着台板旋转，晶片在各个处理区域之间移动。举例而言，在ALD中，处理区域将晶片暴露于前体与反应物。此外，等离子体暴露可用作反应物，或用以加工用于增强膜生长的膜或基板表面，或用以修改膜的属性。在使用旋转台板ALD腔室时，本公开的一些实施例提供ALD膜的均匀沉积与后加工(例如，致密化)。旋转台板ALD腔室可通过传统时域处理或通过空间ALD沉积膜，传统时域处理将整个晶片暴露于第一气体，净化，随后暴露于第二气体，而空间ALD将晶片的部分暴露于第一气体，部分暴露于第二气体，以及让晶片移动通过这些气体流以沉积层。如在此说明书及随附权利要求中所使用，术语“饼形”与“楔形”可互换使用，以描述大致圆形的扇区的主体。举例而言，楔形区段可以是圆形或盘形结构的一小部分。饼形区段的内边缘可以是一个点，或者可截短成平边或圆形。基板的路径可与气体端口垂直。在一些实施例中，气体喷射组件的每一者包含多个细长气体端口，多个细长气体端口在基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体源组件，包含：壳体；阻隔板，所述阻隔板与所述壳体电连通，所述阻隔板具有限定场域的内周边缘、外周边缘、第一侧、及第二侧，细长槽在所述场域中，并延伸穿过所述阻隔板，所述细长槽具有长度与宽度；以及RF热电极，所述RF热电极在所述壳体中，所述RF热电极具有正面与背面、内周端、及外周端，所述RF热电极的所述正面与所述阻隔板隔开以限定间隙。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.11 US 62/217,7051.一种等离子体源组件，包含：壳体；阻隔板，所述阻隔板与所述壳体电连通，所述阻隔板具有限定场域的内周边缘、外周边缘、第一侧、及第二侧，细长槽在所述场域中，并延伸穿过所述阻隔板，所述细长槽具有长度与宽度；以及RF热电极，所述RF热电极在所述壳体中，所述RF热电极具有正面与背面、内周端、及外周端，所述RF热电极的所述正面与所述阻隔板隔开以限定间隙。2.如权利要求1所述的等离子体源组件，其中所述细长槽的所述长度基本上平行于所述阻隔板的所述第一侧和/或所述第二侧中的至少一者。3.如权利要求1所述的等离子体源组件，其中所述细长槽具有约2mm到约20mm的范围中的宽度。4.如权利要求1所述的等离子体源组件，其中所述细长槽的所述长度是在所述内周边缘与所述外周边缘之间的距离的约50％到约95％的范围中。5.如权利要求1所述的等离子体源组件，其中所述阻隔板是楔形的，在所述内周边缘处具有比在所述外周边缘处更窄的宽度。6.如权利要求5所述的等离子体源组件，其中所述细长槽平行于所述阻隔板的所述第一侧或所述第二侧中的一者。7.如权利要求5所述的等离子体源组件，其中所述细长槽沿着所述场域的中心轴而居中。8.如权利要求7所述的等离子体源组件，其中所述细长槽是楔形的，在靠近所述场域的所述内周边缘处具有比在靠近所述场域的所述外周边缘处更窄的宽度。9.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·约德伏斯基，J·C·福斯特，K·贝拉，S·坎德沃尔，M·斯里拉姆，田中启一，K·竹下，N·坂本，T·柳川，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US