氮化硅在高深宽比结构上的低温保形沉积制造技术
Low temperature conformal deposition of silicon nitride on high aspect ratio structure
The embodiments described herein relate to a method for forming conformal silicon nitride layers at low temperatures. When the gas mixture including tridylsilanyl amine is inflow into the processing chamber, a silicon nitride layer can be formed by pulse (RF) power pulse to the processing chamber. The pulse RF power increases the ratio of neutral material to the ionic substance and the active substance of trimethylamine has a low adhesion coefficient and a larger surface mobility. Therefore, the degree of conformation of the deposited silicon nitride layer is improved.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氮化硅在高深宽比结构上的低温保形沉积背景
本文所述实施方式整体涉及用于在低温下形成保形氮化硅层的方法。相关技术描述电子器件工业和半导体工业一直力争实现更大生产产量，同时增加沉积在具有越来越大的表面积的基板上的层的均匀性。这些相同因素与新的材料结合还在基板上提供了每单位面积的电路的更高的集成度。随着电路集成度增加，对更大的均匀性和关于层特性的工艺控制的需要上升。电介质层在高深宽比结构和/或三维(3D)结构上以低的图案负载效应的保形覆盖是在设备节点缩减到22nm以下时和在3D晶体管的制造增加时的关键要求。在整个集成电路形成中可使用到氮化硅层，诸如栅极间隔件、衬里层、牺牲层、阻挡层等。使用热工艺形成的氮化硅层提供良好的保形度。然而，缺点包括高温要求(典型地是大于400℃)和为不同应用设计膜组成和性质的能力不足。替代地，常规等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition；PECVD)氮化硅层因自由基的通量的方向性而具有较差的阶梯覆盖。因此，需要一种低温工艺来形成保形氮化硅层。
技术实现思路
本文所述实施方式整体涉及用于...
【技术保护点】
一种用于形成氮化硅层的方法，包括：使三甲硅烷基胺流入处理腔室中；在使所述三甲硅烷基胺流入所述处理腔室中时，通过形成等离子体来激活所述三甲硅烷基胺，其中所述等离子体是通过脉冲射频功率形成的；和在安置在所述处理腔室中的基板上形成所述氮化硅层。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.18 US 62/220,4221.一种用于形成氮化硅层的方法，包括：使三甲硅烷基胺流入处理腔室中；在使所述三甲硅烷基胺流入所述处理腔室中时，通过形成等离子体来激活所述三甲硅烷基胺，其中所述等离子体是通过脉冲射频功率形成的；和在安置在所述处理腔室中的基板上形成所述氮化硅层。2.如权利要求1所述的方法，进一步包括在使所述三甲硅烷基胺流入所述处理腔室中的同时使第二含氮前驱物流入所述处理腔室中。3.如权利要求2所述的方法，其中所述第二含氮前驱物是氮气、氨、或肼。4.如权利要求2所述的方法，其中所述使所述三甲硅烷基胺流入所述处理腔室中具有第一流率并且所述使所述第二含氮前驱物流入所述处理腔室中具有第二流率，其中所述第二流率大于所述第一流率。5.如权利要求2所述的方法，进一步包括使载气流入所述处理腔室中，其中所述第二含氮前驱物、所述三甲硅烷基胺、和所述载气同时流入所述处理腔室中。6.如权利要求1所述的方法，其中所述射频功率的频率的范围为从约1Hz至约100,000Hz。7.如权利要求1所述的方法，其中所述射频功率的频率为约1,000Hz。8.一种用于形成氮化硅层的方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·N·巴曼，J·J·陈，P·P·杰哈，金柏涵，M·S·方，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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