外延基环制造技术

本文描述的实施方式涉及用于基板处理腔室的基环组件。在一实施方式中，所述基环组件包括环形主体、上环与下环，所述环形主体的尺寸被设计以容置在所述基板处理腔室的内圆周内，所述环形主体包括装载端口以使基板通过、气体入口以及气体出口，其中所述气体入口与所述气体出口被设置在所述环形主体的相对端处，所述上环被配置以设于所述环形主体的顶表面上，所述下环被配置以设于所述环形主体的底表面上，其中所述上环、所述下环与所述环形主体一旦组装即大体呈同心或共轴的。

Epitaxial base ring

The embodiment described herein relates to a base ring assembly for a substrate processing chamber. In one embodiment, the base ring component includes a ring body, an upper ring, and a lower ring, and the size of the ring body is designed to be contained within the inner circle of the substrate processing chamber, which includes a loading port to enable the substrate to pass, the gas inlet, and the gas outlet, wherein the gas inlet and the gas are provided. The body exit is set at the relative end of the ring body, which is configured on the top surface of the ring body, and the lower ring is configured on the bottom surface of the ring body, wherein the upper ring, the lower ring and the ring body are generally concentric or coaxial once the assembly is assembled.

【技术实现步骤摘要】
外延基环本申请是申请日为2014年2月19日、申请号为201480008331.8、专利技术名称为“外延基环”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术的实施方式大体涉及在基板处理腔室中所使用的基环组件。
技术介绍
半导体基板被处理以用于广泛的应用，包括集成装置和微型装置的制造。一种处理基板的方法包括在基板的上表面上沉积材料，比如介电材料或导电金属。举例而言，外延即为一种沉积处理，外延于基板表面上生长超纯薄层，通常是硅或锗。可通过使处理气体平行于置放在支撑件上的基板的表面流动、并热分解所述处理气体而从气体沉积材料于基板表面上来在横流式腔室中沉积材料。对于使用精确气体流动与准确温度控制的组合的外延生长中的膜质量而言，腔室设计是极重要的。流动控制、腔室容积和腔室加热都仰赖基环的设计，基环一般设置在顶部拱形结构与底部拱形结构(界定基板的处理容积)之间，并且支配处理套件和注入/排放盖体的布局，所述布局续而影响外延沉积的均匀性。传统的外延腔室非常高，导致在顶部拱形结构、底部拱形结构与基板之间存在大距离。这会导致高度不均匀的流动、紊流、涡流以及整体上大的腔室容积。腔室容积限制了系统以瞬态沉积-蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于基板处理腔室的环组件，包括：环形主体，所述环形主体具有顶表面和与所述顶表面相对的底表面，所述环形主体包括：基板装载端口；气体入口，所述气体入口设置在所述环形主体的侧壁处；和气体出口，所述气体入口与所述气体出口被设置在所述环形主体的相对端处；上环，所述上环设置在所述顶表面上，所述上环与所述环形主体的所述顶表面在所述上环与所述环形主体的所述顶表面之间界定第一流体通道；和下环，所述下环设置在所述底表面上，所述下环与所述环形主体的所述底表面在所述下环与所述环形主体的所述底表面之间界定第二流体通道，其中所述环形主体、所述上环和所述下环是同心的。

【技术特征摘要】
2013.03.13 US 61/780,447;2013.03.14 US 61/781,960;1.一种用于基板处理腔室的环组件，包括：环形主体，所述环形主体具有顶表面和与所述顶表面相对的底表面，所述环形主体包括：基板装载端口；气体入口，所述气体入口设置在所述环形主体的侧壁处；和气体出口，所述气体入口与所述气体出口被设置在所述环形主体的相对端处；上环，所述上环设置在所述顶表面上，所述上环与所述环形主体的所述顶表面在所述上环与所述环形主体的所述顶表面之间界定第一流体通道；和下环，所述下环设置在所述底表面上，所述下环与所述环形主体的所述底表面在所述下环与所述环形主体的所述底表面之间界定第二流体通道，其中所述环形主体、所述上环和所述下环是同心的。2.如权利要求1所述的环组件，进一步包括：顶部壁，所述顶部壁从所述环形主体的所述顶表面向上延伸，所述顶部壁被设置成围绕所述环形主体的圆周，其中所述顶部壁的外部部分与所述上环的内部部分界定顶部沟槽。3.如权利要求2所述的环组件，其中所述顶部沟槽的尺寸被设计以接收O形环。4.如权利要求1所述的环组件，进一步包括：底部壁，所述底部壁从所述环形主体的所述底表面向下延伸，所述底部壁被设置成围绕所述环形主体的圆周，其中所述底部壁的外部部分与所述下环的内部部分界定底部沟槽。5.如权利要求4所述的环组件，其中所述底部沟槽的尺寸被设计以接收O形环。6.如权利要求1所述的环组件，其中所述环形主体由含铝材料形成。7.如权利要求1所述的环组件，其中所述环形主体由不锈钢形成。8.如权利要求1所述的环组件，其中所述基板装载端口相对于所述气体入口和所述气体出口呈约90°的角度偏移。9.如权利要求1所述的环组件，其中所述上环、所述下环与所述环形主体被形成为整合的主体。10.如权利要求1所述的环组件，其中所述上环和所述下环具有大体“H”形的横截面。11.一种用于处理基板的处理腔室，包括：基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述处理腔室内，所述基板支撑件具有基板支撑表面；下拱形结构，所述下拱形结构被设置在所述基板支撑件的相对下方；上拱形结构，所述上拱形结构被设置在所述基板支撑件的相对上方，所述上拱形结构与所述下拱形结构相对；以及环组件，所述环组件设置在所述上拱形结构与所述下拱形结构之间，其中所述上拱形结构、所...

【专利技术属性】
技术研发人员：史蒂夫·阿博阿杰，保罗·布里尔哈特，苏拉吉特·库马尔，常安忠，萨瑟施·库珀奥，穆罕默德·图格鲁利·萨米尔，戴维·K·卡尔森，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US