喷头支撑结构制造技术

本公开内容的实施方式大体提供用于在处理腔室中支撑气体分配喷头的设备和方法。在一个实施方式中，用于真空腔室的气体分配喷头包括：矩形主体，所述矩形主体具有四个侧面、第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面、在第一主表面和第二主表面之间的在纵向方向上穿过主体形成的多个气体通道；中心支撑构件，所述中心支撑构件耦接至在其中心区域中的主体；和中间支撑构件，所述中间支撑构件耦接至在中心区域和侧面之间的主体。

Nozzle support structure

The embodiments of the disclosure generally provide an apparatus and method for supporting gas distribution sprinklers in a processing chamber. In an implementation, the gas distribution nozzle for the vacuum chamber includes a rectangular body, which has four sides, a first main surface and a second main surface relative to the first main surface, a plurality of gas channels formed through the main body between the first main surface and the second main surface in the longitudinal direction; The central support member is coupled to the main body in its central area and the middle support member coupled to the main body between the central region and the side.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】喷头支撑结构
本公开内容的实施方式总体大体涉及在等离子体腔室内支撑气体分配喷头。更具体地，本公开内容涉及允许气体经由气体分配喷头流向腔室的支撑结构。
技术介绍
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是用来将处理气体经由气体分配喷头引入处理腔室内的沉积方法。喷头被电偏置以将处理气体点燃成等离子体。与喷头相对地安置的基座电接地并且充当阳极。当处理气体流入喷头和基座之间的处理空间中时，喷头扩散处理气体。PECVD近来普遍用于在大面积基板上沉积材料。大面积基板可具有大于约1平方米的表面积。大面积基板可用于平板显示器(FPD)、太阳能电池板(solarpanel)、有机发光显示器(OLED)和其他应用。这些工艺要求大面积基板经受300℃至400℃或更高的温度，并且在沉积期间维持在相对于喷头的固定位置以确保沉积层均匀性。喷头通常是以间隔关系被支撑在大面积基板上方的多孔板，大面积基板适合用于分散处理气体并且一般具有与待处理基板实质上相同的面积。喷头一般由铝制成并且当在PECVD处理期间承受温度时经受膨胀和收缩。通常围绕边缘和中心支撑喷头以维持基板和喷头之间的处理空间。然而，典型的喷头支撑体系可能会在高温下下垂，这可能会影响处理空间。另外，当气流在沉积期间未充分地分配穿过喷头时，工艺在基板上可能无法产生均匀沉积，这可能会产生不可用的大面积基板。因此，需要用于支撑气体分配喷头的设备和方法以维持基板和气体分配喷头之间的处理空间和维持充足的气流流过气体分配喷头。
技术实现思路
本公开内容大体涉及用于在真空腔室中支撑气体分配喷头的方法和设备。在一个实施方式中，用于真空腔室的气体分配喷头包括：矩形主体，所述矩形主体具有四个侧面、第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面、和在第一主表面和第二主表面之间的在纵向方向上穿过主体形成的多个气体通道；多个中心支撑构件，所述多个中心支撑构件耦接至在其中心区域中的主体；和多个中间支撑构件，所述多个中间支撑构件耦接至在中心区域和侧面之间的主体。在另一实施方式中，提供用于真空腔室的气体分配喷头，并且所述气体分配喷头包括：具有第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面的主体，所述主体具有在第一主表面和第二主表面之间形成的多个气体通道，所述多个气体通道中的每一者具有形成在第一主表面中的第一开口，所述第一开口通过限制孔口(restrictingorifice)流体地耦接至形成在第二主表面中的第二开口；耦接至在其中心区域中的主体的多个中心支撑构件；和耦接至在中心区域和侧面之间的主体的多个中间支撑构件。在另一实施方式中，提供用于真空腔室的气体分配喷头，并且所述气体分配喷头包括：具有第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面的主体，所述主体具有在第一主表面和第二主表面之间形成的多个气体通道，所述多个气体通道中的每一者具有形成在第一主表面中的第一孔(bore)，所述第一孔通过限制孔口流体地耦接至形成在第二主表面中的第二孔；围绕所述多个气体通道的气体通道的多个气体旁通孔(gasby-passhole)，所述多个气体旁通孔中的每一者以相对于所述多个气体通道的气体通道的纵向方向成一定角度从第一主表面穿过主体形成并且在主体内终止以与所述气体通道相交；通过第一悬架特征结构(suspensionfeature)耦接至在其中心区域中的主体的中心支撑构件；和通过第二悬架特征结构耦接至在中心区域和侧面之间的主体的中间支撑构件。附图说明可参照实施方式(一些实施方式描绘于附图中)来详细地理解本公开内容的上述特征结构以及上文简要概述的本公开内容的更具体的描述。然而，应当注意，附图仅示出本公开内容的典型实施方式并且因此不应视为对本公开内容的范围的限制，因为本公开内容可承认其他同等有效的实施方式。图1为腔室的一个实施方式的示意性侧视截面图。图2为图1的腔室的放大局部截面图。图3为设置在气体分配喷头145中的悬架配件的一个实施方式的放大截面图。图4A为支撑构件的一个实施方式的侧视图。图4B为图4A的支撑构件的平面图。图5A为悬架配件的一个实施方式的侧视截面图。图5B为在图5A中示出的悬架配件的俯视图。图5C为在图5B中示出的悬架配件的俯视图。图6为耦接在背板和气体分配喷头之间的支撑构件的另一实施方式的截面图。图7为耦接在背板和气体分配喷头之间的支撑构件的另一实施方式的截面图。图8为可在图1的腔室中使用的背板的一个实施方式的平面图。图9为根据本文所述的实施方式的气体分配喷头的一个实施方式的一部分的示意性仰视图。图10A和图10B为气体分配喷头的替代实施方式的示意性局部截面图。为了便于理解，在可能的情况下使用相同的附图标记来表示附图中共有的相同元件。还可以设想，一个实施方式的元素和特征可以有利地并入其他实施方式中而无需进一步叙述。具体实施方式本公开内容的实施方式大体提供用于在处理腔室中支撑气体分配喷头的设备和方法。在一个实施方式中，在气体分配喷头的中心和侧面之间的区域耦接至气体分配喷头的至少一个支撑构件被配置成支撑气体分配喷头。至少一个支撑构件用于便于抵抗由重力、高处理温度和负向压力引起的下垂或凹陷，从而在气体分配喷头中维持所需的水平剖面(horizontalprofile)。所需的水平剖面可为齐平的(例如，平坦的)水平剖面、凸出水平剖面或凹入水平剖面中的至少一者。所需的水平剖面可至少部分地由至少一个支撑构件提供的力形成或维持。如本文使用的气体分配喷头或扩散器的水平剖面指在合适的图中示出的气体分配喷头的截面。本公开内容将在下文针对PECVD设备进行描述，所述PECVD设备从加利福尼亚州圣克拉拉市的应用材料公司的子公司AKT美国公司(AKTAmerica,Inc.)购买。应理解，本公开内容在其他沉积腔室中也具有适用性，包括从其他厂商购买的沉积腔室和PECVD设备。图1为腔室100的一个实施方式的示意性侧视截面图。腔室100适合于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺，所述工艺用于在由玻璃、聚合物或其他适合基板制成的大面积基板105上制造电路。腔室100被配置成在大面积基板105上形成结构和装置，以用于制造液晶显示器(LCD)或平板显示器、用于太阳能电池阵列的光伏装置(photovoltaicdevice)、或其他结构。结构可为包括多个顺序沉积和掩模步骤的多个反向沟道蚀刻逆交错型(底部栅极)薄膜晶体管。其他结构可包括p-n结以形成用于光伏电池的二极管。腔室100包括腔室侧壁110、底部115、在处理期间支撑大面积基板105的基板支撑件120(诸如基座)。气体分配喷头145位于基板支撑件120和大面积基板105对面。腔室100还具有端口125(诸如狭缝阀)，端口125通过选择性地打开和关闭来便于大面积基板105的传递和在大面积基板105上的沉积工艺。腔室100还包括盖结构130、背板140和气体分配喷头145。在一个实施方式中，盖结构130支撑背板140和气体分配喷头145。在一个实施方式中，背板140的内表面146和腔室侧壁110的内表面147限定可变压力区域148。一个方面，腔室100包括主体，所述主体包括限定可变压力区域148的腔室侧壁110、底部115和背板140。背板140在界面处由合适的O形环密封在其周边上，背板140和盖结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于真空腔室的气体分配喷头，所述气体分配喷头包括：矩形主体，所述矩形主体具有四个侧面、第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面、和在所述第一主表面和第二主表面之间的在纵向方向上穿过所述主体形成的多个气体通道；多个中心支撑构件，所述多个中心支撑构件耦接至在其中心区域中的所述主体；和多个中间支撑构件，所述多个中间支撑构件耦接至在所述中心区域和所述侧面之间的所述主体。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.22 US 62/222,1731.一种用于真空腔室的气体分配喷头，所述气体分配喷头包括：矩形主体，所述矩形主体具有四个侧面、第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面、和在所述第一主表面和第二主表面之间的在纵向方向上穿过所述主体形成的多个气体通道；多个中心支撑构件，所述多个中心支撑构件耦接至在其中心区域中的所述主体；和多个中间支撑构件，所述多个中间支撑构件耦接至在所述中心区域和所述侧面之间的所述主体。2.如权利要求1所述的气体分配喷头，其中所述中心支撑构件和所述中间支撑构件的一者或两者的至少一部分包括悬架特征结构，所述悬架特征结构设置在所述气体分配喷头的所述多个气体通道的气体通道中。3.如权利要求2所述的气体分配喷头，其中所述多个气体通道的每一者包括形成在所述第一主表面中的第一孔，所述第一孔通过孔口流体地耦接至形成在所述第二主表面中的第二孔。4.如权利要求3所述的气体分配喷头，其中第一替代气体通道以相对于所述气体通道的纵向方向的倾斜角度穿过所述主体形成，所述第一替代气体通道与所述气体通道的所述第一孔相交。5.如权利要求1所述的气体分配喷头，其中所述中心支撑构件和所述中间支撑构件的一者或两者的至少一部分包括提供所述主体的横向运动的枢转结构。6.如权利要求5所述的气体分配喷头，其中所述中心支撑构件和所述中间支撑构件的一者或两者的至少一部分包括耦接至悬架特征结构的槽/键装置，所述悬架特征结构设置在所述气体分配喷头的所述多个气体通道的气体通道中。7.如权利要求6所述的气体分配喷头，其中所述悬架特征结构包括与所述气体分配喷头耦接的接口主体和紧固件。8.如权利要求6所述的气体分配喷头，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗宾·L·蒂纳，艾伦·K·劳，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US