腔室部件、抗等离子体盖或喷嘴及制造制品的方法技术
【技术实现步骤摘要】
腔室部件、抗等离子体盖或喷嘴及制造制品的方法本申请是申请日为2014年7月15日、申请号为201480041007.6、名称为“用于盖与喷嘴上的稀土氧化物基涂层的离子辅助沉积”的中国专利申请的分案申请。
本专利技术的实施例大体涉及具有抗等离子体的薄膜保护层的腔室盖和腔室喷嘴。
技术介绍
在半导体产业中，器件由生产尺寸持续减小的结构的制造工艺来制造。诸如等离子体蚀刻和等离子体清洗工艺之类的一些制造工艺使基板暴露于高速等离子体流以蚀刻或清洗基板。等离子体可能是高度侵蚀性的，并可能侵蚀处理腔室以及暴露于等离子体的其他表面。盖和喷嘴是导体与电介质蚀刻中的两个重要的蚀刻腔室部件。通常，盖和喷嘴由块状(bulk)陶瓷制成。然而，随着器件节点的持续减小，提出了严格的缺陷要求。这些新应用中的一些使用高操作温度(例如，约300℃或更高)。当用于此类高温应用时，许多块状陶瓷可能因热冲击而破裂。此外，抗等离子体的块状陶瓷通常非常昂贵。由于Al2O3的高热导率和弯曲强度，Al2O3可用于盖和喷嘴。然而，在氟化学品作用下，被暴露的Al2O3在经处理的晶片上形成AlF颗粒和Al金属污染物。近...
【技术保护点】
一种用于处理腔室的腔室部件，包括：陶瓷主体，所述陶瓷主体具有至少一个表面，所述至少一个表面具有8‑16微英寸的第一平均表面粗糙度；以及在所述陶瓷主体的所述至少一个表面上的共形保护层，其中所述共形保护层是包含40‑100mol％的Y2O3、0‑60mol％的ZrO2和0‑10mol％的Al2O3的抗等离子体稀土氧化物膜，所述共形保护层在所述至少一个表面上面具有小于300μm的均匀厚度，并且所述共形保护层具有小于10微英寸的第二平均表面粗糙度，其中所述第二平均表面粗糙度小于所述第一平均表面粗糙度。
【技术特征摘要】
2013.07.20 US 61/856,696;2013.09.23 US 14/034,3151.一种用于处理腔室的腔室部件，包括：陶瓷主体，所述陶瓷主体具有至少一个表面，所述至少一个表面具有8-16微英寸的第一平均表面粗糙度；以及在所述陶瓷主体的所述至少一个表面上的共形保护层，其中所述共形保护层是包含40-100mol％的Y2O3、0-60mol％的ZrO2和0-10mol％的Al2O3的抗等离子体稀土氧化物膜，所述共形保护层在所述至少一个表面上面具有小于300μm的均匀厚度，并且所述共形保护层具有小于10微英寸的第二平均表面粗糙度，其中所述第二平均表面粗糙度小于所述第一平均表面粗糙度。2.如权利要求1所述的腔室部件，其中所述共形保护层具有10-30μm的厚度。3.如权利要求1所述的腔室部件，其中所述共形保护层的孔隙度小于1％。4.如权利要求1所述的腔室部件，其中所述共形保护层具有小于8微英寸的抛光后粗糙度。5.如权利要求1所述的腔室部件，其中所述陶瓷主体是块状烧结陶瓷体，所述块状烧结陶瓷体包含以下中的至少一者：Y2O3或包含Y4Al2O9与Y2O3-ZrO2固溶体的陶瓷化合物。6.如权利要求1所述的腔室部件，其中所述共形保护层包括共形保护层叠层，所述共形保护层叠层包括在所述至少一个表面上的第一抗等离子体稀土氧化物膜和在所述第一抗等离子体稀土氧化物膜上的第二抗等离子体稀土氧化物膜。7.如权利要求6所述的腔室部件，其中所述第一抗等离子体稀土氧化物膜包含着色剂，所述着色剂使所述第一抗等离子体稀土氧化物膜具有与所述第二抗等离子体稀土氧化物膜不同的颜色。8.如权利要求7所述的腔室部件，其中所述着色剂包含以下中的至少一者：Sm2O3或Er2O3。9.一种用于处理腔室的抗等离子体盖或喷嘴，包括陶瓷主体以及在所述陶瓷主体的至少一个表面上的共形保护层，所述盖或喷嘴已由包括以下步骤的工艺制造：提供具有8-16微英寸的第一平均表面粗糙度的所述盖或喷嘴；执行电子束离子辅助沉积以在所述盖或喷嘴的所述至少一个表面上沉积所述共形保护层，所述共形保护层在沉积之后具有所述第一平均表面粗糙度，其中所述共形保护层是在所述至少一个表面上面具有小于50μm的均匀厚度的抗等离子体稀土氧化物膜，并且其中所述共形保护层包含40-100mol％的Y2O3、0-60mol％的ZrO2和0-10mol％的Al2O3；以...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·Y·孙，B·P·卡农戈，V·菲鲁兹多尔，Y·张，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。