用于氧化硅化学气相沉积光刻胶平坦化的方法技术
Method for flattening photoresist for chemical vapor deposition of silicon oxide
An embodiment of the invention provides a method and apparatus for forming a patterned magnetic layer for use in the magnetic media. According to the embodiment of this case, silicon oxide layer formed by low temperature chemical vapor deposition is used to form patterns in hard mask layer, and patterned hard mask is used to form patterned magnetic layer through plasma ion implantation.
【技术实现步骤摘要】
用于氧化硅化学气相沉积光刻胶平坦化的方法本申请为2012年10月16日递交的申请号为201280057804.4并且专利技术名称为“用于氧化硅化学气相沉积光刻胶平坦化的方法”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术实施例通常涉及用于制造磁性媒体的设备和方法。更具体地说，本专利技术实施例涉及用于图案化磁性媒体上的磁性敏感层的设备和方法。
技术介绍
磁性媒体被用于各种电子装置中，所述电子装置诸如硬盘驱动器(harddiskdrive；HDD)和磁阻随机存取存储器(magnetoresistiverandomaccessmemory；MRAM)装置。磁性媒体装置使用磁畴存储和检索信息。硬盘驱动器通常包括磁盘形式的磁性媒体，所述磁盘具有分别地通过磁头可寻址的磁畴。磁头移动到接近于磁畴且改变磁畴的磁性以记录信息。为了恢复所记录的信息，磁头移动到接近于磁畴且检测磁畴的磁性。磁畴的磁性通常被解释为对应于两个可能状态中的一个状态，所述两个状态为“0”状态和“1”状态。以这种方法，数字信息可被记录在磁性媒体上且之后恢复。磁性媒体通常包含非磁性玻璃、复合玻璃/陶瓷，或金属基板，所述...
【技术保护点】
一种用于形成图案化磁性层的方法，包含：提供多个具有图案化光刻胶层的基板，所述图案化光刻胶层在硬掩模层之上，其中所述硬掩模层在磁性敏感层之上；通过化学气相沉积在所述图案化光刻胶层之上沉积氧化硅层以填充图案化光刻胶层之内的通孔；回蚀刻所述氧化硅层以暴露所述光刻胶层；去除所述光刻胶层以形成所述氧化硅层的图案；使用所述氧化硅层的所述图案蚀刻所述硬掩模层；和将能量朝向所述基板导向以改变所述磁性敏感层的磁性以形成所述图案化磁性层。
【技术特征摘要】
2011.11.23 US 61/563,1371.一种用于形成图案化磁性层的方法，包含：提供多个具有图案化光刻胶层的基板，所述图案化光刻胶层在硬掩模层之上，其中所述硬掩模层在磁性敏感层之上；通过化学气相沉积在所述图案化光刻胶层之上沉积氧化硅层以填充图案化光刻胶层之内的通孔；回蚀刻所述氧化硅层以暴露所述光刻胶层；去除所述光刻胶层以形成所述氧化硅层的图案；使用所述氧化硅层的所述图案蚀刻所述硬掩模层；和将能量朝向所述基板导向以改变所述磁性敏感层的磁性以形成所述图案化磁性层。2.如权利要求1所述的方法，其中沉积所述氧化硅层包含：流动含硅前驱物以沉积共形含硅半层；和流动反应性含氧气体以与所述共形含硅半层反应。3.如权利要求2所述的方法，其中所述含硅前驱物包含二(二乙氨基)硅烷(BDEAS)，且所述含氧气体包含臭氧和氧气混合物。4.如权利要求1所述的方法，其中沉积所述氧化硅层是在低于150℃的温度下执行。5.如权利要求4所述的方法，其中所述温度在20℃至100℃之间。6.如权利要求4所述的方法，其中所述温度在30℃至80℃之间。7.如权利要求1所述的方法，其中回蚀刻所述氧化硅层包含：使用含氟等离子体执行反应性离子蚀刻。8.如权利要求1所述的方法，其中去除所述光刻胶层包含：使用氧化气体等离子体执行反应性离子蚀刻。9.如权利要求1所述的方法，所述方法进一步包含：通过使用氧化气体等离子体执行反应性离子蚀刻工艺来去除所述硬掩模层。10.一种用于形成图案化磁性层的方法，包含：在基板的...
【专利技术属性】
技术研发人员：史蒂文·韦尔韦贝克，罗曼·古科，夏立群，石美仪，金宇，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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