溶胶凝胶涂布的支撑环制造技术

描述了一种用于热处理腔室的支撑构件。所述支撑构件于至少一个表面上具有溶胶涂层。所述溶胶涂层含有阻挡预期波长或光谱的辐射的材料，使得所述辐射无法透过所述支撑构件的材料。所述溶胶涂层可为多层结构，除了辐射阻挡层以外，所述多层结构可还包含粘接层、过渡层与覆盖层。

Support ring of sol-gel coating

A supporting member for a heat treatment chamber is described. The support member has a sol-gel coating on at least one surface. The sol-gel coating contains material that prevents radiation from the desired wavelength or spectrum so that the radiation cannot be transmitted through the material of the supporting member. The sol coating can be a multilayer structure. In addition to the radiation barrier layer, the multilayer structure can also include a bonding layer, a transition layer and a covering layer.

【技术实现步骤摘要】
溶胶凝胶涂布的支撑环本申请是申请日为2014年10月22日、申请号为201480058904.8、专利技术名称为“溶胶凝胶涂布的支撑环”的专利技术专利申请的分案申请。
本公开内容的实施方式大体涉及用于处理半导体基板的方法和装置。更特定地，涉及一种用于热处理半导体基板的方法和装置。
技术介绍
热处理在半导体工业中是常见的。热处理被用于激活半导体基板中的化学与物理变化，以重新组织基板的原子结构与成分。在一种被称为快速热处理(RapidThermalProcessing)的常用方式中，基板以高达400℃/秒的速率被加热至目标温度，保持在该目标温度达一短时间(比如1秒)，然后再快速冷却至不会发生进一步变化的温度下。为了促进基板上所有区域的均匀处理，一般会布设温度传感器，以监测基板的不同位置处的温度。高温计被广泛地用来测量基板的温度。基板温度的控制与测量以及因此的局部层形成条件的控制与测量，都会因腔室部件的热吸收与光发射、以及传感器与腔室表面对处理腔室内的处理条件的暴露而变得复杂。仍需要有一种具有改进的温度控制、温度测量的热处理腔室，以及这种腔室的操作方法，以提高均匀性和可重复性。
技术实现思路
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【技术保护点】
一种用于热处理腔室的支撑构件，包括：主体，所述主体支撑被暴露于辐射的工件，所述主体包括硅氧化物且具有：第一侧和第二侧；及多孔涂层，所述多孔涂层包括：硅与二氧化硅，所述硅与二氧化硅在所述第一侧或所述第二侧上；硅层；和从类二氧化硅成分至所述硅层的成分渐变过程，所述多孔涂层具有介于约50纳米与约50微米之间的厚度。

【技术特征摘要】
2013.11.06 US 61/900,8351.一种用于热处理腔室的支撑构件，包括：主体，所述主体支撑被暴露于辐射的工件，所述主体包括硅氧化物且具有：第一侧和第二侧；及多孔涂层，所述多孔涂层包括：硅与二氧化硅，所述硅与二氧化硅在所述第一侧或所述第二侧上；硅层；和从类二氧化硅成分至所述硅层的成分渐变过程，所述多孔涂层具有介于约50纳米与约50微米之间的厚度。2.如权利要求1所述的支撑构件，其中所述多孔涂层包括具有不同成分的多层。3.如权利要求1所述的支撑构件，其中所述多孔涂层进一步包括碳。4.如权利要求1所述的支撑构件，进一步包括从所述第一侧凸出的第一凸出部和从所述第二侧凸出的第二凸出部。5.一种用于热处理腔室的支撑构件，包括：主体，所述主体支撑被暴露于辐射的工件，所述主体包括硅氧化物且具有：第一侧和第二侧；及多孔涂层，所述多孔涂层包括硅与二氧化硅，所述硅与二氧化硅在所述第一侧或所述第二侧上，其中所述多孔涂层具有渐变的成分和介于约50纳米与约50微米之间的厚度。6.如权利要求5所述的支撑构件，其中所述多孔涂层包括具有不同成分的多层。7.如权利要求6所述的支撑构件，其中所述多孔涂层具有从类二氧化硅成分至所述硅层的成分渐变过程。8.如权利要求7所述的支撑构件，其中所述多孔涂层具有变化...

【专利技术属性】
技术研发人员：约瑟夫·M·拉内什，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US