The method of implementation of the present invention provides a base support edge ring for supporting a substrate. In one embodiment, a substrate support ring is provided. The support ring of the substrate includes a ring body. The main body includes: outside the strip, the strip extends inward from the outer annular side wall radial; and substrate support area of the substrate support area extends inwardly from the outer stripe of the inner part of the ring, the body contains the first exposed material, and at least a portion of the substrate support region is coated, the coating contains second material different from the first material.
【技术实现步骤摘要】
用于改良的浸透性能的具有涂层的基板支撑边缘环本申请是申请日为2012年7月3日、申请号为201280037011.6、专利技术名称为“用于改良的浸透性能的具有涂层的基板支撑边缘环”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术的实施方式大体上涉及用于处理基板(诸如半导体基板)的方法和设备。更特别的是,本专利技术的实施方式提供用于在处理腔室中支撑基板的周围边缘的边缘环。
技术介绍
在诸如半导体基板、晶片和平板显示器的生产中的平面媒介物(flatmedia)之类的基板的处理中,在处理腔室中将基板放置于支撑结构上,且该基板稳定地受到支撑,同时在处理腔室中维持适合的处理条件。当在处理腔室中支撑基板时,可将该基板在受控的加热循环中加热,以热处理该基板。可例如通过在处理腔室中配置于基板下方或上方的加热灯阵列来加热基板。热处理基板可用于例如退火已注入基板上的层、用于在该基板上执行热氧化或氮化处理、或有助于在该基板上的化学气相沉积工艺。通常期望在热处理期间维持遍及基板的均匀的温度,以提供均匀的处理结果。然而,遍及基板的温度梯度的变化可能导致基板的处理不均匀。不均匀的温度发生在不同的基 ...
【技术保护点】
一种基板支撑环,包括:环状主体,包括:外条带,所述外条带从第一环状侧壁在平面中径向向内延伸,所述第一环状侧壁设置在第二环状侧壁外部;和基板支撑区域,所述基板支撑区域从所述第二环状侧壁向内延伸且在所述外条带的所述平面之下,其中所述环状主体包括暴露的第一材料,且所述基板支撑区域的至少一部分被涂层覆盖,所述涂层包括不同于所述第一材料的第二材料,其中所述基板支撑区域的平面与所述外条带的平面实质上平行。
【技术特征摘要】
2011.07.29 US 61/513,492;2012.06.01 US 13/486,8071.一种基板支撑环,包括:环状主体,包括:外条带,所述外条带从第一环状侧壁在平面中径向向内延伸,所述第一环状侧壁设置在第二环状侧壁外部;和基板支撑区域,所述基板支撑区域从所述第二环状侧壁向内延伸且在所述外条带的所述平面之下,其中所述环状主体包括暴露的第一材料,且所述基板支撑区域的至少一部分被涂层覆盖,所述涂层包括不同于所述第一材料的第二材料,其中所述基板支撑区域的平面与所述外条带的平面实质上平行。2.如权利要求1所述的环,其中所述第一材料包括碳化硅。3.如权利要求2所述的环,其中所述第二材料包括耐火材料。4.如权利要求3所述的环,其中所述耐火材料选自由陶瓷材料、蓝宝石以及碳材料构成的组。5.如权利要求3所述的环,其中所述耐火材料选自由氧化物膜、氮化物膜和上述膜的组合构成的组。6.如权利要求5所述的环,其中所述耐火材料选自由氧化铝(Al2O3)、氧化铍(BeO)、二氧化锆(ZrO2)、氧化铪(HfO2)、氧化钇(Y2O3)、氧化钍(ThO2)、氧化钪(Sc2O3)、稀土氧化物、氮化锆(ZrN)、氮化铪(HfN)和上述材料的组合构成的组。7.如权利要求1所述的环,其中所述外条带包括硅膜。8.如权利要求7所述的环,其中所述硅膜包括选自由非晶硅、单晶硅和多晶硅构成的组的膜。9.如权利要求7所述的环,其中所述硅膜包括第一硅层、氧化物层以及配置于所述氧化物层上的第二硅层。10.如权利要求1所述的环,其中所述环状主体包括下表面,所述下表面具有配置于所述下表面上的膜。11.一种基板支撑环,包括:环状主体,所述环状主体包括陶瓷材料,所述环状主体包括:第一环状侧壁;外条带,所述外条带从所述第一环状侧壁径向向外延伸,所述外条带包括第一硅层、氧化物层以及配置于所述氧化物层上的第二硅层;第二环状侧壁,所述第二环状侧壁耦接至所述外条带;以及内唇部,所述内唇部从所述第一环状侧...
【专利技术属性】
技术研发人员:约瑟夫·M·拉内什,阿伦·缪尔·亨特,
申请(专利权)人:应用材料公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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