用于在较低温度下使用远程等离子体源进行选择性氧化的设备和方法技术

本文描述用于选择性地氧化硅的装置和方法。用于对暴露的硅表面进行选择性氧化的设备包括：热处理腔室，所述热处理腔室具有多个壁、第一入口连接件和第二入口连接件，其中壁界定处理腔室内的处理区域；处理腔室内的基板支撑件；与第一入口连接件连接的氢源；与氢源连接的热源；和与第二入口连接件和氧源连接的远程等离子体源。一种用于对非金属表面进行选择性氧化的方法，所述方法可包括：在小于800℃的温度下的处理腔室中定位基板；使氢流入处理腔室中；产生含氧远程等离子体；在处理腔室中将远程等离子体与氢气混合以产生活性处理气体；和使基板暴露于活性气体。

Equipment and methods for selective oxidation using a remote plasma source at lower temperatures

This article describes a device and method for selectively oxidizing silicon. For the selective oxidation of the silicon surface of the exposed device comprises a heat treatment chamber, wherein the heat treatment chamber having a plurality of wall, the first connecting piece and the second entrance entrance connector, wherein the walls defining the processing area inside the processing chamber; a substrate processing chamber support; connecting hydrogen source connected with the first entrance heat source; connected with the hydrogen source; and connected to the second entrance connector and oxygen source remote plasma source. A method for the selective oxidation of the metal surface, the method can include: positioning processing chamber at temperatures less than 800 DEG C in the substrate; the hydrogen into the processing chamber; the oxygen generated in the remote plasma processing chamber; the remote plasma and the hydrogen gas mixture to produce gas and make active treatment; the substrate is exposed to reactive gas.

【技术实现步骤摘要】
用于在较低温度下使用远程等离子体源进行选择性氧化的设备和方法本申请是申请日为2013年7月25日、申请号为201380040767.0、专利技术名称为“用于在较低温度下使用远程等离子体源进行选择性氧化的设备和方法”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术的实施方式大体涉及用于选择性地氧化硅的设备和方法。
技术介绍
硅的氧化对CMOS制造而言是基本的技术。用于硅的氧化的最常见方法依赖于在O2、H2O/H2、H2O/O2、O2/H2或上述各者的组合的环境中的热处理。在IC制造中用以提供硅氧化处理的硬件是分批热熔炉(batchthermalfurnace)和RTP。在传统的氧化系统和处理中，需要高温(700℃以上)来为在硅或多晶硅上的氧化物生长提供活化能。先进的集成电路制造需要数个处理步骤，在所述步骤中，氧化硅薄膜在硅或多晶硅结构上生长。对于一些应用，氧化处理必须是选择性的，以使包括钨在内的其他材料不被氧化。目前，在高温(大于700℃)下的在O2、H2O/H2或H2O/O2任一环境中的热处理被用以执行此氧化处理。为达到氧化物的生长速率以使处理实际有效，高温是必需的，并且在一些情况下，氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种设备，所述设备包括：具有多个壁的处理腔室，所述处理腔室具有第一入口连接件和第二入口连接件，其中所述多个壁界定所述处理腔室内的处理区域；能量源，所述能量源被安置成将辐射能输送至所述处理区域；基板支撑件，所述基板支撑件位于所述处理腔室内；氢源，所述氢源与所述处理腔室的所述第一入口连接件流体连通；热源，所述热源与所述氢源和所述处理区域连接，所述热源安置在所述氢源与所述处理区域之间；远程等离子体源，所述远程等离子体源与所述处理腔室的所述第二入口连接件流体连接；和氧源，所述氧源与所述远程等离子体源流体连接。

【技术特征摘要】
2012.08.01 US 61/678,452;2013.04.24 US 13/869,2081.一种设备，所述设备包括：具有多个壁的处理腔室，所述处理腔室具有第一入口连接件和第二入口连接件，其中所述多个壁界定所述处理腔室内的处理区域；能量源，所述能量源被安置成将辐射能输送至所述处理区域；基板支撑件，所述基板支撑件位于所述处理腔室内；氢源，所述氢源与所述处理腔室的所述第一入口连接件流体连通；热源，所述热源与所述氢源和所述处理区域连接，所述热源安置在所述氢源与所述处理区域之间；远程等离子体源，所述远程等离子体源与所述处理腔室的所述第二入口连接件流体连接；和氧源，所述氧源与所述远程等离子体源流体连接。2.如权利要求1所述的设备，其中所述热源是热线设备，所述热线设备流体连通在所述氢源与所述处理腔室之间。3.如权利要求1所述的设备，其中所述热源将所述氢源连接至所述处理腔室的所述第一入口连接件。4.如权利要求3所述的设备，其中所述热源是热线设备。5.如权利要求1所述的设备，其中与所述氢源的流体连通包括管件，所述管件包括惰性材料。6.如权利要求1所述的设备，其中所述能量源产生导向所述基板支撑件的辐射能。7.如权利要求6所述的设备，其中所述能量源是热灯。8.如权利要求6所述的设备，其中所述能量源是激光退火系统。9.如权利要求1所述的设备，其中所述远程等离子体源是感应耦合远程等离子体源。10.如权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘恒，马修·斯科特·罗杰斯，阿古斯·S·查德拉，克里斯托弗·S·奥尔森，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US