针对先进元件的晶圆上粒子性能的化学相容性涂层材料制造技术

本发明专利技术涉及针对先进元件的晶圆上粒子性能的化学相容性涂层材料。为了针对一种用于半导体处理腔室的制品制造涂层，该制品包括Al、Al2O3或SiC中的至少一者的主体及主体上的陶瓷涂层。陶瓷涂层包括一化合物，该化合物包含自约50摩尔％至约75摩尔％范围内的Y2O3、自约10摩尔％至约30摩尔％范围内的ZrO2及自约10摩尔％至约30摩尔％范围内的Al2O3，其中每英寸节结的数目处于自约30个节结至约45个节结的范围内且孔隙率处于自约2.5％至约3.2％的范围内。

Chemical compatibility coating material for particle performance on the wafer of advanced components

The present invention relates to a chemically compatible coating material for particle performance on a wafer of an advanced element. In order to manufacture a coating for products used for semiconductor processing chamber, the product includes the body of at least one of Al, Al2O3 or SiC and ceramic coating on the main body. The ceramic coating consists of a compound, the compound comprises from about 50 to about 75 mole% mol% Y2O3, about 10 mole% to about 30 mol% in the range of ZrO2 and about 10 mole% to about 30 mol% in the range of Al2O3, in which the number of nodes per inch is about 30 nodes to about 45 nodes within the range and scope of porosity in from about 2.5% to about 3.2% in.

【技术实现步骤摘要】
针对先进元件的晶圆上粒子性能的化学相容性涂层材料本申请是申请日为2013年7月26日、申请号为201380039967.4、题为“针对先进元件的晶圆上粒子性能的化学相容性涂层材料”的分案申请。
本揭示案的实施例大体而言是关于陶瓷涂布制品及是关于一种用于向介电蚀刻处理组件涂覆陶瓷涂层的工艺。
技术介绍
在半导体工业中，通过众多用于生产尺寸日益缩小的结构的制造工艺来制造元件。一些制造工艺(诸如等离子体蚀刻及等离子体清洗工艺)将基板曝露于高速等离子体流中，以蚀刻或清洗基板。等离子体可为强腐蚀性，且可腐蚀处理腔室及其他曝露于等离子体的表面。此腐蚀可产生经常污染正经处理的基板的粒子，从而导致元件缺陷。随着元件几何形状缩小，对缺陷的易感性增加且粒子污染物要求变得更加严格。因此，随着元件几何形状缩小，可降低粒子污染的容许水准。为了最小化由等离子体蚀刻工艺及/或等离子体清洗工艺引入的粒子污染，已经开发出抗等离子体的腔室材料。不同材料提供不同材料特性，诸如等离子体抗性、刚性、弯曲强度、耐热冲击性等等。又，不同材料具有不同材料成本。因此，一些材料具有优良的等离子体抗性，其他材料具有较低成本，而还有其他材本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于半导体处理腔室的制品，所述制品包含：Al、Al2O3或SiC中的至少一者的主体；以及所述主体上的陶瓷涂层，所述陶瓷涂层由具有环形的粒子的粉末形成，所述粉末包含Y2O3和ZrO2的混合物，其中所述陶瓷涂层的每英寸的节结数目在自约30个节结至45个节结的范围内且所述陶瓷涂层的孔隙率在自2.5％至3.2％的范围内。

【技术特征摘要】
2012.07.27 US 61/676,818;2013.03.14 US 13/830,6081.一种用于半导体处理腔室的制品，所述制品包含：Al、Al2O3或SiC中的至少一者的主体；以及所述主体上的陶瓷涂层，所述陶瓷涂层由具有环形的粒子的粉末形成，所述粉末包含Y2O3和ZrO2的混合物，其中所述陶瓷涂层的每英寸的节结数目在自约30个节结至45个节结的范围内且所述陶瓷涂层的孔隙率在自2.5％至3.2％的范围内。2.如权利要求1所述的制品，其特征在于，所述陶瓷涂层的表面粗糙度自220微英寸至约250微英寸。3.如权利要求1所述的制品，其特征在于，在所述主体的前侧及所述主体的后侧上的所述陶瓷涂层比在所述主体的外径上的所述陶瓷涂层更厚。4.一种用于半导体处理腔室的制品，所述制品包含：Al、Al2O3或SiC中的至少一者的主体；以及所述主体上的陶瓷涂层，所述陶瓷涂层由具有环形的粒子的粉末形成，所述粉末包含Y2O3和ZrO2的混合物，其中所述陶瓷涂层通过一种方法涂覆于所述主体，该方法包括：提供具有在90A至150A的范围内的等离子体电流的等离子体喷涂系统；在距离所述主体60mm与120mm之间处安置所述等离子体喷涂系统的喷灯支架；使得气体以80升/分钟与130升/分钟之间的速率流过所述等离子体喷涂系统；将包含Y2O3和ZrO2的混合物的所述粉末馈送入所述等离子体喷涂系统中，其中所述粉末的大部分粒子具有环形，每个环形的粒子具有球形，在所述球形相对侧上具有深凹痕；以及用陶瓷涂层对所述制品进行等离子体喷涂，其中与其他形状的粉末粒子相比较，由所述具有环形的粒子形成的所述陶瓷涂层具有改良后的形态及降低的孔隙率，其中改良后的表面形态包括表面节结的数量减少。5.如权利要求4所述的制品，其特征在于，使得所述气体以90升/分钟与130升/分钟之间的速率流过所述等离子体喷涂系统。6.如权利要求4所述的制品，其特征在于，在所述主体的前侧及所述主体的后侧上的所述涂层比在所述制品的外径上的所述涂层更厚。7.如权利要求4所述的制品，其特征在于，所述涂层的节结计数为每英寸30个节结至45个节结，所述涂层的粗糙度为220微英寸至250微英寸，以及所述涂层的横断面孔隙率为2.5％至3.2％。8.一...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·Y·孙，B·P·卡农戈，D·卢博米尔斯基，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US