用于晶片均匀性的轮廓凹坑和混合基座制造技术

本发明专利技术描述了基座组件，所述基座组件包括：基座基部；以及多个饼形蒙皮，所述多个饼形蒙皮在基座基部上。饼形锚件可以定位在基座基部的中心，以便在处理期间将所述饼形蒙皮保持于适当位置处。

Contour pits and mixed base for wafer uniformity

The invention describes a base assembly, wherein the base assembly includes a base base; and a plurality of pie skin, the plurality of pie in the base on the base of skin. Pie anchors can be positioned on the base of the base of the center, so that during the processing of the pie to keep skin at the proper position.

【技术实现步骤摘要】
用于晶片均匀性的轮廓凹坑和混合基座
本公开大体上涉及用于在基座中支撑晶片的凹坑。具体来说，本公开的实施例涉及用于成批处理腔室的具有晶片凹坑的基座组件。
技术介绍
在成批处理腔室中，膜厚度、折射率和湿蚀刻速率均匀性主要是取决于在径向和方位角方向的凹坑温度变化。一些沉积的膜如氮化硅(SiN)对于在两个方向上在凹坑内的热梯度和均匀性非常敏感。热不均匀性比大多数膜上的RF不均匀性更主要。使用具有一个狭缝阀、五个区加热器线圈的转盘基座的一些当前成批工艺腔室并不足以补偿晶片上的较大热梯度(>10℃)，即使是分区调谐和基座旋转也是如此。这可能部分是由于在狭缝阀和升降杆附近的冷点。当前碳化硅(SiC)涂覆的石墨基座是较大、整体的，并且清洁起来成本较高。为了得以清洁基座，保有备用基座以最小化腔室停机时间。无论新的基座何时安装，平度、径向振摆(runout)和其他测量值都会被记载下来。SiC涂覆的材料对于盐、有机试剂、一些稀酸(例如、稀氟化氢(HF)、氯化氢(HCl)、硫酸(H2SO4)、硝酸(HNO3))的水溶液和热的惰性气体具有耐性。然而，SiC涂层本身并不是惰性的，并且在三氟化氮(NF3)等本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基座组件，所述基座组件包括：基座基部；多个饼形蒙皮，在所述基座基部上；以及饼形锚件，在所述基座基部的中心，所述饼形锚件被配置为与所述饼形蒙皮协作地相互作用以将所述饼形蒙皮保持于适当位置。

【技术特征摘要】
2016.06.07 US 62/347,0621.一种基座组件，所述基座组件包括：基座基部；多个饼形蒙皮，在所述基座基部上；以及饼形锚件，在所述基座基部的中心，所述饼形锚件被配置为与所述饼形蒙皮协作地相互作用以将所述饼形蒙皮保持于适当位置。2.如权利要求1所述的基座组件，其特征在于，所述基座基部包括多个凹部。3.如权利要求2所述的基座组件，其还包括在所述基座基部的所述凹部内的多个凹坑盖件。4.如权利要求3所述的基座组件，其特征在于，所述凹坑盖件具有与所述凹部的深度基本上相同的厚度。5.如权利要求1所述的基座组件，其特征在于，所述饼形锚件包括至少一个突起，并且所述饼形蒙皮具有至少一个凹部，所述至少一个凹部与所述饼形蒙皮的内周边缘相邻并且大小适于与所述饼形锚件上的所述至少一个突起协作地相互作用。6.如权利要求5所述的基座组件，其特征在于，所述基座基部包括与外周边缘相邻的至少一个突起，并且所述饼形蒙皮具有至少一个凹部，所述至少一个凹部与所述饼形蒙皮的外周边缘相邻并且大小适于与所述基座基部上的所述至少一个突起协作地相互作用。7.如权利要求1所述的基座组件，其特征在于，所述饼形蒙皮包括与内周边缘相邻的突起和与外周边缘相邻的突起。8.如权利要求7所述的基座组件，其特征在于，所述基座基部具有与外周边缘相邻的凹部，并且所述锚件包括被定位为而且大小适于与所述饼形蒙皮上的所述突起协作地相互作用的凹部。9.如权利要求1所述的基座组件，其还包括夹板，所述夹板位于所述锚件和所述蒙皮的内周边缘上方。10.如权利要求3所述的基座组件，其特征在于，所述凹坑盖件包括多个细长孔洞，以允许升降杆从中穿过。11.如权利要求10所述的基座...

【专利技术属性】
技术研发人员：K·甘加基德加，K·贝拉，J·约德伏斯基，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US