LED阵列的线性高装填密度制造技术

技术编号:16548885 阅读:49 留言:0更新日期:2017-11-11 12:57
本发明专利技术涉及LED阵列的线性高装填密度。本文提供用于将能量提供至处理腔室的设备。在一个实施方式中,所述设备包括支撑基板、设置于支撑基板的第一表面上的第一多个固态光源和设置于支撑基板的顶表面上的第二多个固态光源,其中第一多个固态光源与第二多个固态光源对准且彼此电隔离,并且第一多个固态光源与第二多个固态光源物理接触。

Linear high packing density of LED array

The present invention relates to the linear high packing density of LED arrays. This article provides equipment for providing energy to the processing chamber. In one embodiment, the apparatus includes a top surface of the first plurality of solid-state light source on a first surface of the substrate and is arranged on the supporting substrate and is arranged on the supporting substrate on the more than 2 solid-state light source, wherein the first plurality of solid-state light source and the more than 2 light source on the quasi solid and electrically isolated from each other, and the first plurality of solid-state light source and the more than 2 light solid physical contact.

【技术实现步骤摘要】
LED阵列的线性高装填密度本申请是申请日为2014年8月22日申请的申请号为201480052653.2,并且专利技术名称为“LED阵列的线性高装填密度”的专利技术专利申请的分案申请。
本公开内容的实施方式大体涉及半导体处理系统,且更具体而言,涉及在半导体处理系统中使用的固态光源。
技术介绍
涉及基板(诸如半导体晶片及其他材料)热处理的数种应用涉及快速加热及冷却基板的处理步骤。这种处理的实例包括快速热处理(RTP)、物理气相沉积(PVD)处理和类似者,这些处理用于许多半导体制造处理。在半导体制造处理期间,来自灯的热能辐射进入处理腔室中且辐射在处理腔室中的半导体基板上。以此方式,将基板加热至所需的处理温度。通常,传统的灯(钨卤素灯、水银蒸气、弧放电)或电加热元件的使用已经是用来将能量传递至基板以掺杂退火、膜沉积或膜修饰(modification)的主导方式。这些处理经常基于热且通常需要范围从200℃至1600℃的高处理温度,高处理温度可能造成不利地影响装置性能的显著热预算问题。此外,传统灯的使用具有就操作寿命、材料和能量使用而言相关的高维持成本。传统灯发射广波长频谱的辐射,广波长频谱的本文档来自技高网...
LED阵列的线性高装填密度

【技术保护点】
一种用于将辐射能量提供至处理腔室的设备,所述设备包括:支撑构件;第一多个固态光源,所述第一多个固态光源设置于所述支撑基板的第一表面上;和第二多个固态光源,所述第二多个固态光源设置于所述支撑基板的所述第一表面上,其中在所述第一多个固态光源中的第一固态光源与与所述第一固态光源邻近的第二固态光源之间的电压降与在所述第二多个固态光源中的第三固态光源与与所述第三固态光源邻近的第四固态光源之间的电压降相等,所述第一固态光源与所述第三固态光源彼此邻近,所述第一固态光源的电压额定值与所述第三固态光源的电压额定值匹配,所述第二固态光源与所述第四固态光源彼此邻近,并且所述第二固态光源的电压额定值与所述第四固态光源...

【技术特征摘要】
2013.10.11 US 61/889,736;2014.05.07 US 61/989,736;1.一种用于将辐射能量提供至处理腔室的设备,所述设备包括:支撑构件;第一多个固态光源,所述第一多个固态光源设置于所述支撑基板的第一表面上;和第二多个固态光源,所述第二多个固态光源设置于所述支撑基板的所述第一表面上,其中在所述第一多个固态光源中的第一固态光源与与所述第一固态光源邻近的第二固态光源之间的电压降与在所述第二多个固态光源中的第三固态光源与与所述第三固态光源邻近的第四固态光源之间的电压降相等,所述第一固态光源与所述第三固态光源彼此邻近,所述第一固态光源的电压额定值与所述第三固态光源的电压额定值匹配,所述第二固态光源与所述第四固态光源彼此邻近,并且所述第二固态光源的电压额定值与所述第四固态光源的电压额定值匹配。2.如权利要求1所述的设备,其中所述第一多个固态光源中的各固态光源在第一触点与第二触点之间以串联方式电性连接,且所述第二多个固态光源中的各固态光源在第三触点与第四触点之间以串联方式电性连接,并且其中所述第一触点与所述第三触点具有第一电位,并且所述第二触点与所述第四触点具有不同于所述第一电位的第二电位。3.一种用于将辐射能量提供至处理腔室的设备,所述设备包括:支撑基板;第一多个固态光源,所述第一多个固态光源设置于所述支撑基板的第一表面上;和第二多个固态光源,所述第二多个固态光源设置于所述支撑基板的所述第一表面上,其中所述第一多个固态光源与所述第二多个固态光源之间的电位差小于电弧电位。4.如权利要求3所述的设备,其中所述第一多个固态光源中的各固态光源在第一触点与第二触点之间以串联方式电性连接,且所述第二多个固态光源中的各固态光源在第三触点与第四触点之间以串联方式电性连接。5.如权利要求4所述的设备,其中所述第一触点与所述第三触点具有不同的电位,并且其中所述第二触点与所述第四触点具有不同的电位。6.如权利要求3所述的设备,其中所述第一多个固态光源中的各固态光源在第一触点与第二触点之间以串联方式电性连接,且所述第二多...

【专利技术属性】
技术研发人员:约瑟夫·R·约翰逊约瑟夫·M·拉内什
申请(专利权)人:应用材料公司
类型:发明
国别省市:美国,US

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