用于热处理腔室的边缘环制造技术

本发明专利技术的实施例提供具有增加温度均匀度的用于支撑基板的边缘环。更特定言之，本发明专利技术的实施例提供边缘环，该边缘环具有形成于边缘环的能量接收表面上的一或更多个表面面积增加结构。

【技术实现步骤摘要】
用于热处理腔室的边缘环本申请是申请日为2012年2月20日、申请号为201280009401.2、专利技术名称为“用于热处理腔室的边缘环”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术的实施例大体而言关于用以于基板上制造器件的方法及设备。更特定言之，本专利技术的实施例提供基板支撑环以于处理腔室中绕边缘区域支撑基板。
技术介绍
于基板(如，半导体晶圆及显示器面板)的处理中，当合适的工艺条件维持于处理腔室中时，基板放置于处理腔室中的支撑件上。举例而言，基板可以受控加热循环而加热以受到热处理。于热处理期间，当设置于基板上方或下方的辐射能量源朝基板发射热能量时，基板可由绕边缘区域的支撑结构(如，边缘环)而支撑。图1A概要地图示使用于热处理腔室中的传统边缘环101的截面图。边缘环101具有一内径，该内径稍小于待处理的基板102的外径。于处理期间，基板102设置于边缘环101的支撑表面105上，使得边缘环101通过外缘区域104而接触并支撑基板102。于基板102及边缘环101下方的热能量103可导向基板102以加热基板102。然而，图示于图1A中的传统边缘环101有时绕基板102上的外缘区域104本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用以于处理腔室中支撑基板的边缘环，所述边缘环包含：环形主体，所述环形主体由内缘、外缘、上侧及下侧所界定，其中所述内缘及所述外缘绕中心轴而同心；唇部，所述唇部由所述环形主体的所述内缘向内径向延伸，所述唇部形成与所述内缘同心的中心开口；和一或更多个表面面积增加结构，所述一或更多个表面面积增加结构由所述环形主体的所述上侧或下侧的至少一侧延伸，其中所述一或更多个表面面积增加结构具有至少一个倾斜侧。

【技术特征摘要】
2011.02.23 US 61/446,026;2011.07.28 US 13/193,4891.一种用以于处理腔室中支撑基板的边缘环，所述边缘环包含：环形主体，所述环形主体由内缘、外缘、上侧及下侧所界定，其中所述内缘及所述外缘绕中心轴而同心；唇部，所述唇部由所述环形主体的所述内缘向内径向延伸，所述唇部形成与所述内缘同心的中心开口；和一或更多个表面面积增加结构，所述一或更多个表面面积增加结构由所述环形主体的所述上侧或下侧的至少一侧延伸，其中所述一或更多个表面面积增加结构具有至少一个倾斜侧。2.如权利要求1的边缘环，其中所述一或更多个表面面积增加结构包括鳍片，所述鳍片由所述环形主体的所述下侧而延伸，且所述鳍片具有相对于所述环形主体的至少一个倾斜侧。3.如权利要求2的边缘环，其中所述鳍片形成与所述内缘及所述外缘同心的圆形壁，且所述鳍片位于所述内缘与所述外缘之间。4.如权利要求3的边缘环，其中所述唇部的所述上表面位于所述环形主体的上表面下方，使得所述唇部及主体形成凹部。5.如权利要求1的边缘环，其中所述一或更多个表面面积增加结构包括鳍片，所述鳍片设置于所述环形主体的所述内缘处，且所述唇部由所述鳍片处延伸。6.如权利要求2的边缘环，其中所述唇部相对所述环形主体的主要平面以一角度而倾斜。7.如权利要求1的边缘环，还包括定位构件，所述定位构件由所述环形主体靠近所述外缘而延伸，并且其中所述一或更多个表面面积增加结构包括鳍片，所述鳍片在所述环形主体的所述上侧或下侧的至少一侧上形成于所述唇部和所述定位构件之间。8.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：布莱克·凯尔梅尔，约瑟夫·M·拉内什，阿布拉什·J·马约尔，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US