本文提供用于将热线源耦接至处理腔室的装置。在某些实施方式中，一种用于将热线源耦接至处理腔室的装置可包括：壳体，所述壳体具有开放端与通孔，所述通孔形成为穿过所述壳体的顶部与底部；以及灯丝组件，所述灯丝组件被配置成设置于所述壳体内，所述灯丝...

提供了一种串行群集工具系统。所述系统包括：第一群集工具，具有第一多个处理腔室和至少一个第一周边腔室；第二群集工具，具有第二多个处理腔室和至少一个第二周边腔室；以及腔室间适配器元件，所述适配器元件将所述至少一个第一周边腔室联结到所述至少一...

本发明提供一种服务器计算机系统，所述服务器计算机系统为运行配方的第一工具建立参考指纹。服务器计算机系统使用参考数据来建立参考指纹，所述参考数据与在参数之内执行的第一工具相关。参考指纹包括目标基线及基于目标基线的允许范围。服务器计算机系统...

本文提供了用于在基板处理腔室中使用的转位式喷射器及基板处理工具。在一些实施方式中，用于在处理腔室中使用的转位式喷射器可包括：主体，所述主体具有实质上圆柱形的中央空间；气体输入端口，所述气体输入端口设置在所述主体的第一表面上；气体分配通道...

描述具有射频(RF)及温度均匀性的静电夹盘(ESC)。例如，ESC包括顶部介电层。上金属部设置于该顶部介电层之下。第二介电层设置于多个像素化的电阻式加热器之上，且所述第二介电层部分地由该上金属部所围绕。第三介电层设置于该第二介电层之下，...

本揭示案的实施方式大体涉及具有用于加热处理气体的预热环的处理室。在一个实施方式中，处理室包含：室主体，所述室主体界定内部处理区域；基板支撑件，所述基板支撑件设置于所述室主体内，所述基板支撑件具有基板支撑表面以支撑基板；及预热环，所述预热...

本发明的实施方式一般涉及无须培养延迟而在介电材料上形成钴层的方法。在使用CVD沉积钴层之前，介电材料的表面于100℃至250℃之间的温度预处理。由于后续的CVD钴工艺也在100℃至250℃之间的温度执行，所以使用一个处理腔室预处理介电材...

本文提供用于在半导体装置的特征结构界定中沉积金属层的方法。在一个实施方式中，提供用于沉积金属层以形成半导体装置的方法。所述方法包括执行循环金属沉积工艺以在基板上沉积金属层和将设置在基板上的金属层退火。循环金属沉积工艺包括将基板暴露于沉积...

本申请公开了用于PVD腔室的溅射靶材。本文公开靶材组件及包括靶材组件的PVD腔室。靶材组件包括具有凹面外形的靶材。当用于PVD腔室中时，凹面靶材在配置于溅射腔室中的基板上提供径向更均匀的沉积。

本发明提供一种对一基板进行热处理的方法与设备。基板设置在一处理腔室中，而处理腔室配置成通过将电磁能导引朝向基板的表面而进行热处理。提供有一能量阻挡器以阻挡导引朝向基板的能量的至少一部分。阻挡器防止了当入射能量接近基板边缘时所产生的热应力...

电镀装置搅动电解质以在晶片的表面处提供高速流体流。所述装置包括搅拌桨，所述搅拌桨在整个晶片上提供均匀的高质量传递，甚至在搅拌桨与晶片之间具有相对较大间隙的情况下也如此。因此，处理器可具有安置在搅拌桨与晶片之间的电场屏蔽件以便晶片的边缘处...

本文提供了一种具有陶瓷基板与陶瓷涂层的陶瓷物品，其中该陶瓷涂层具有初始孔隙度与初始裂缝量。该陶瓷物品以约每分钟0.1℃至约每分钟20℃的升降温速率被加热至介于约1000℃与约1800℃间的温度范围。以该温度范围内的一或多个温度热处理该陶...

本发明的实施方式大体涉及用于形成SiGe层的方法。在一个实施方式中，首先使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成种晶SiGe层，并且也使用PECVD在PECVD种晶层上直接形成主体SiGe层。用于种晶SiGe层和主体SiGe层二者...

本公开内容的实施方式涉及用于处理半导体基板的设备。所述设备包括处理腔室，所述处理腔室具有用于支撑基板的基板支撑件、下拱形结构和与所述下拱形结构相对的上拱形结构、设置于所述处理腔室的侧壁内的多个气体注射器。所述设备包括气体输送系统，所述气...

本发明公开了一种电镀处理器，所述电镀处理器具有容纳电解液的容器。所述容器中的惰性阳极具有在阳极膜管道中的阳极导线。头部用于固持晶片，所述晶片与所述容器中的电解液接触。晶片连接到阴极。阴极电解液补充器连接到所述容器。所述阴极电解液补充器通...

本申请公开了一种用于形成MRAM应用中使用的具有期望的结晶度的结构的方法。本公开的实施方式提供用于在基板上制造自旋转移扭矩磁阻式随机存取存储器(STT‑MRAM)应用中使用的磁隧道结(MTJ)结构的方法和装置。在一个实施方式中，所述方法...

一种用于预处理具有暴露钌表面的EUVL光掩模的方法包括使所述光掩模经受氧化和还原环境中的表面处理。另一种用于预处理具有暴露钌表面的EUVL光掩模的方法包括使所述光掩模经受氧化和还原环境中的表面处理，以及用清洁液清洁所述光掩模。

本公开内容提供了卡盘组件。本公开内容提供了用于晶片电镀系统中的卡盘组件。晶片被放置到电镀系统内的卡盘组件中。所述卡盘组件包括背板组件，所述背板组件可与环接合。轮毂可提供在所述背板组件的一侧上，用以将所述卡盘组件附接到用于电镀晶片的处理器...

本公开提供了一种用于半导体处理腔室的双通道喷头。在一个实施例中，该喷头包括主体，该主体包括导电材料，该导电材料具有多个第一开口和多个第二开口，该多个第一开口和多个第二开口形成为穿过该导电材料，该多个第一开口包括第一气体通道，该多个第二开...

晶片被放置到电镀系统内的卡盘组件中。所述卡盘组件包括背板组件，所述背板组件可与环接合。轮毂可提供在所述背板组件的一侧上，用以将所述卡盘组件附接到用于电镀晶片的处理器的转子。晶片板可提供在所述背板组件的另外一侧上。所述环具有接触指，所述接...