在通孔或沟槽中沉积层的方法以及由此获得的产品技术

描述了一种在设在沉积于基板上方的第一层中的通孔或沟槽中沉积材料的方法。所述方法包含以下步骤：提供具有通孔或沟槽的第一层；在具有通孔或沟槽的第一层上沉积第二层的第一部分，其中利用具有第一磁体布置的磁控管溅射阴极执行第二层的第一部分的沉积，第一磁体布置绕第一旋转轴是可旋转的，其中第一磁体布置设在造成第一沉积方向的第一角坐标处；以及在具有通孔或沟槽的第一层上沉积第二层的第二部分，其中利用磁控管溅射阴极执行第二层的第二部分的沉积，其中第一磁体布置设在造成第二沉积方向的第二角坐标处，其中第二角坐标不同于第一角坐标。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
实施例关于填充通孔或沟槽的层的沉积、以填充在通孔或沟槽中的材料制造的器件以及用于沉积具有填充在通孔或沟槽中的材料的层的设备。特别地，实施例关于在设在沉积在基板上方的第一层中的通孔或沟槽中沉积材料的方法、在基板上制造晶体管的方法、用于电子器件的层叠层以及电子器件。
技术介绍
在许多应用中，希望在基板上(例如，在玻璃基板)上沉积薄层。常规方法是在涂覆设备的不同腔室中涂覆基板。对于一些应用，使用气相沉积技术，在真空中涂覆基板。已知用于在基板上沉积材料的若干方法。例如，可通过物理气相沉积(physicalvapordeposition；PVD)工艺、化学气相沉积(chemicalvapordeposition；CVD)工艺或等离子体增强型化学气相沉积(plasmaenhancedchemicalvapordeposition；PECVD)等来涂覆基板。通常，在待涂覆基板所在的工艺设备或工艺腔室中执行工艺。在最近几年，电子器件、特别是光电器件在价格上已显著下降。此外，显示器中的像素密度持续地增加。对于TFT(薄膜晶体管)显示器，希望具有高密度TFT集成。然而，尽管器件内薄膜晶体管(TFT)的数目增加，仍尝试提高良率并尝试降低制造成本。用于增加例如显示器的像素密度的一个方面是利用LTPS-TFT，所述LTPS-TFT可例如用于LCD(液晶显示器)或AMOLED(有源有机发光二极管)显示器。在制造LTPS-TFT期间，以导电材料填充通孔。增加的像素数目(即，增加的TFT数目)造成更高深宽比的通孔，所述通孔将以导电材料填充。从制造成本和扩大工艺规模的潜力的观点来看，以溅射工艺填充通孔是有益的。在其中通孔或沟槽需要被填充的其他应用(即，除了制造LTPS-TFT之外)也可从改善的工艺中受益。对于PVD工艺，沉积材料能以固相存在于靶材中。通过以高能粒子轰击靶材，靶材材料(待沉积的材料)的原子从靶材被喷出。靶材材料的原子被沉积在待涂覆的基板上。在PVD工艺中，能以不同的方式布置溅射材料(即，待沉积在基板上的材料)。例如，靶材可由待沉积的材料制成，或可具有待沉积的材料固定在其上背衬元件。包含待沉积的材料的靶材被支撑或固定在沉积腔室中的预定位置。通常，溅射可执行为磁控管溅射，其中利用磁体组件约束等离子体以获得改善的溅射条件。需要控制等离子体分布、等离子体特性和其他沉积参数以在基板上得到期望的层沉积。例如，希望具有期望的层性质的均匀的层。据此，考虑到对于大规模制造光电器件和其他器件的增加的需求，需要更进一步改善用于制造器件(诸如，显示器)的工艺。
技术实现思路
鉴于上述内容，提供一种在通孔或沟槽中沉积材料的方法、一种在基板上制造晶体管的方法、一种层叠层以及一种电子器件。根据一个实施例，提供一种在设在沉积于基板上方的第一层中的通孔或沟槽中沉积材料的方法。所述方法包含以下步骤：提供具有通孔或沟槽的第一层；在具有通孔或沟槽的第一层上沉积第二层的第一部分，其中利用具有第一磁体布置的磁控管溅射阴极执行第二层的第一部分的沉积，其中第一磁体布置设在造成第一沉积方向的第一角坐标处；以及在具有通孔或沟槽的第一层上沉积第二层的第二部分，其中利用磁控管溅射阴极执行第二层的第二部分的沉积，其中第一磁体布置设在造成第二沉积方向的第二角坐标处，其中第二角坐标不同于第一角坐标。根据一个示例，第一磁体布置可以是绕第一旋转轴可旋转的。根据另一实施例，提供一种在基板上制造晶体管的方法。所述方法包含以下步骤：在设在沉积于基板上方的第一层中的通孔或沟槽中沉积材料。在通孔或沟槽中沉积材料的步骤包含以下步骤：提供具有通孔或沟槽的第一层；在具有通孔或沟槽的第一层上沉积第二层的第一部分，其中利用具有第一磁体布置的磁控管溅射阴极执行第二层的第一部分的沉积，第一磁体布置是绕第一旋转轴可旋转的，其中第一磁体布置设在造成第一沉积方向的第一角坐标处；以及在具有通孔或沟槽的第一层上沉积第二层的第二部分，其中利用磁控管溅射阴极执行第二层的第二部分的沉积，其中第一磁体布置设在造成第二沉积方向的第二角坐标处，其中第二角坐标不同于第一角坐标。根据又一实施例，提供用于电子器件的层叠层。所述层叠层包含沉积在基板上方的材料的第一层和第二层。所述第一层和第二层是利用在设在沉积于基板上方的第一层中的通孔或沟槽中沉积材料的方法来沉积的。所述方法包含以下步骤：提供具有通孔或沟槽的第一层；在具有通孔或沟槽的第一层上沉积第二层的第一部分，其中利用具有第一磁体布置的磁控管溅射阴极执行第二层的第一部分的沉积，第一磁体布置绕第一旋转轴是可旋转的，其中第一磁体布置设在造成第一沉积方向的第一角坐标处；以及在具有通孔或沟槽的第一层上沉积第二层的第二部分，其中利用磁控管溅射阴极执行第二层的第二部分之沉积，其中第一磁体布置设在造成第二沉积方向的第二角坐标处，其中第二角坐标不同于第一角坐标。根据又一实施例，提供电子器件。所述电子器件包含层叠层。所述层叠层包含沉积在基板上方的材料的第一层和第二层。所述第一层和第二层是以在设在沉积于基板上方的第一层中的通孔或沟槽中沉积材料的方法来沉积的。所述方法包含以下步骤：提供具有通孔或沟槽的第一层；在具有通孔或沟槽的第一层上沉积第二层的第一部分，其中利用具有第一磁体布置的磁控管溅射阴极执行第二层的第一部分，第一磁体布置绕第一旋转轴是可旋转的，其中第一磁体布置设在造成第一沉积方向的第一角坐标处；以及在具有通孔或沟槽的第一层上沉积第二层的第二部分，其中利用磁控管溅射阴极执行第二层的第二部分的沉积，其中第一磁体布置设在造成第二沉积方向的第二角坐标处，其中第二角坐标不同于第一角坐标。通过从属权利要求、说明书和附图，进一步的优点、特征、方面和细节是明显的。附图说明因此，为了可详细地理解本专利技术的上述的特征的方式，可通过参照实施例进行对上文简要概述的本专利技术的更特定的描述。所附附图关于本专利技术的实施例，并且在下文中描述：图1A至图1I示出基板的部分的示意图，其中根据实施例的层叠层沉积在基板上；图2示出绘示根据本文中所述的实施例并对应于图1A至图1E的在基板上方沉积层的方法的流程图；图3A示出根据本文中所述的实施例的用于在第一处理条件中沉积材料层的设备的示意图；图3B示出根据本文中所述实施例的用于在第二处理条件中沉积材料层的设备的示意图；图4A和图4B绘示根据本文中所述的实施例的第一和第二处理条件；图5A和图5B示出所沉积的层的示意性结果，其中图5A示出根据本文中所述的实施例的层的第一部分，而图5B示出本文中所述的实施例的层的第一和第二部分；以及图6示出绘示根据本文中所述的实施例的在基板上方沉积材料层的方法的流程图。具体实施方式现在将详细地参照本专利技术的各种实施例，在附图中绘示实施例的一个或多个示例。在以下对于附图的描述中，相同的元件符号指示相同的元件。在下文中，仅描述相对于各个实施例间的差异。每一个示例通过解释本专利技术的方式来提供，并且不旨在限制本专利技术。此外，绘示或描述为一个实施例的部分的特征也可用于其他实施例或与其他实施例相结合，以产生更进一步的实施例。说明书旨在包括此类修改和变型。根据本文中所述的实施例，提供层叠层以填充通孔或沟槽，其中通过例如在线源中提供磁体组件的不同角坐标来改善阶梯覆盖。例如，可由旋转本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在设在沉积于基板上方的第一层中的通孔或沟槽中沉积材料的方法，所述方法包括以下步骤：提供具有所述通孔或沟槽的所述第一层；在具有所述通孔或沟槽的所述第一层上沉积第二层的第一部分，其中利用具有第一磁体布置的磁控管溅射阴极执行所述第二层的所述第一部分的沉积，其中所述第一磁体布置设在造成第一沉积方向的第一角坐标处；以及在具有所述通孔或沟槽的所述第一层上沉积所述第二层的第二部分，其中利用所述磁控管溅射阴极执行所述第二层的所述第二部分的沉积，其中所述第一磁体布置设在造成第二沉积方向的第二角坐标处，其中所述第二角坐标不同于所述第一角坐标。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种在设在沉积于基板上方的第一层中的通孔或沟槽中沉积材料的方法，所述方法包括以下步骤：提供具有所述通孔或沟槽的所述第一层；在具有所述通孔或沟槽的所述第一层上沉积第二层的第一部分，其中利用具有第一磁体布置的磁控管溅射阴极执行所述第二层的所述第一部分的沉积，其中所述第一磁体布置设在造成第一沉积方向的第一角坐标处；以及在具有所述通孔或沟槽的所述第一层上沉积所述第二层的第二部分，其中利用所述磁控管溅射阴极执行所述第二层的所述第二部分的沉积，其中所述第一磁体布置设在造成第二沉积方向的第二角坐标处，其中所述第二角坐标不同于所述第一角坐标。2.如权利要求1所述的方法，其中所述磁控管溅射阴极是具有旋转靶材的可旋转磁控管溅射阴极，其中所述可旋转磁控管溅射靶材形成线源。3.如权利要求2所述的方法，其中所述旋转靶材绕第一旋转轴旋转。4.如权利要求1至3中的任一项所述的方法，其中所述磁控管溅射阴极是沉积源阵列中的至少三个沉积源中的一个沉积源。5.如权利要求1至4中的任一项所述的方法，其中所述第二层具有60％或更多的阶梯覆盖。6.如权利要求1至5中的任一项所述的方法，其中所述沟槽或通孔在所述通孔或沟槽的底部具有3nm或更薄的宽度。7.如权利要求1至6中的任一项所述的方法，其中所述沟槽或通孔具有70°或更大的锥角。8.如权利要求1至7中的任一项所述的方法，其中所述层是金属层，特别是其中所述层是MoW层；Mo层；Ti层；Al层；Cu层；包括MoW、Mo、Ti、A...

【专利技术属性】
技术研发人员：达拉姆·戈塞恩，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US