描述一种用于材料在基板上的静态沉积的设备。所述设备包括：气体分布系统，所述气体分布系统用于提供一或多种工艺气体，其中所述气体分布系统被配置成用于针对沿基板传送方向的两个或更多个位置独立控制所述一或多种工艺气体中的至少一种工艺气体的流率；...

本发明提供用于检测在快速热处理(RTP)工具中的灯泡故障的设备和方法。本发明提供灯泡故障检测系统，该灯泡故障检测系统可容纳DC和/或AC电压。系统沿着电路路径采样电压信号，该电路路径由至少两个串联连接的灯泡形成；基于采样的电压信号来计算...

用于将导电膜施加至具有种晶层的基板上的电化学工艺包含把基板放入以与含钴或镍的电化学电镀浴接触，且电镀浴的pH为4.0至9.0。引导电流通过浴而至基板。浴中的钴或镍离子沉积至种晶层上。电镀浴可含氯化钴和甘氨酸。电流可为1‑50毫安/平方厘...

本发明的一个或多个实施例涉及沉积设备，所述沉积设备包括接地顶壁、处理腔室和等离子体源组件，所述等离子体源组件具有导电中空圆柱及实质连续接地遮护板，所述接地遮护板实质顺应所述中空圆柱的形状。

本申请公开了多步骤和非对称塑形的激光束划线。提供了藉由激光划线和等离子体蚀刻二者分割基板的方法。一种方法包括：激光剥蚀材料层；以第一辐照度和后续的第二辐照度进行剥蚀，第二辐照度低于第一辐照度。可利用经调整而具有不同通量水平的射束的多重进...

描述于此的实施方式提供一种基板处理设备，所述基板处理设备包括：真空腔室，所述真空腔室包括第一拱形结构和第二拱形结构；基板支撑件，所述基板支撑件设置于所述真空腔室内部的所述第一拱形结构和所述第二拱形结构之间；准直能量源，所述准直能量源布置...

本公开提供了一种用于双通道喷头的方法和装置。在一个实施例中，该喷头包括主体，该主体包括导电材料，该导电材料具有通过该导电材料形成的多个第一开口和通过该导电材料形成的多个第二开口，该多个第一开口包括第一气体通道，该多个第二开口包括第二气体...

本发明的实施方式提供用于堆叠的材料的氮化作用的改良设备与方法。在一个实施方式中，远程等离子体系统包括远程等离子体腔室、处理腔室与输送构件，远程等离子体腔室界定第一区，第一区用于产生包括离子与游离基团的等离子体，处理腔室界定第二区，第二区...

一种用于处理器件(特别是在所述器件中包含有机材料的器件)的处理设备被描述。所述处理设备包含处理真空腔室；用于有机材料的至少一个蒸发源，其中所述至少一个蒸发源包含至少一个蒸发坩锅，其中所述至少一个蒸发坩锅经配置以蒸发所述有机材料，及具有一...

公开了一种半导体处理系统中的外部基板旋转。本文公开一种用于处理半导体的方法和设备。在一个实施例中，公开了一种用于半导体处理的处理系统。处理腔室包括两个传送腔室、处理腔室和旋转模块。处理腔室耦接至传送腔室。旋转模块定位在传送腔室之间。旋转...

本公开案的实现方式一般涉及结合高深宽比特征定义的薄膜及其形成方法。随着栅极高度增加，3D NAND栅极堆叠经受更高深宽比蚀刻。由于蚀刻技术的电流限制，竖直的蚀刻轮廓通常随着进入栅极堆叠中的深度增加而逐渐变尖细。本发明人已设想出通过新颖的...

描述了一种在经图案化的基板上的低k电介质层中形成特征的方法。可在低k电介质层中形成通孔、沟槽或双镶嵌结构。对低k电介质层的图案化也会增加介电常数。通过将UV光照射在低k电介质层上，同时使低k电介质层暴露于含碳和氢的前体来处理经图案化的基...

本发明描述了一种在抛光工艺期间控制抛光的方法等。所述方法包括以下步骤：在时刻t处从原位监测系统接收经历抛光的基板的导电层的厚度的测量thick(t)；在时刻t处接收与导电层相关联的所测量的温度T(t)；计算在所测量的温度T(t)下的导电...

本公开的实施例包括被用于减少来自基板周边区域(诸如基板的边缘或斜面)的残余膜层的方法与设备。可在等离子体工艺之后减少基板斜面、背侧与基板周边区域的污染。在一个实施例中，一种边缘环包括：基座圆形环，该基座圆形环具有限定形成在其上的中央开口...

公开一种在平板印刷术制造工艺中将掩模数据图案施加至基板的系统和方法。在一个实施方式中，平行成像写入系统包括多个空间光调制器(SLM)成像单元以及被配置成控制所述多个SLM成像单元的控制器。所述多个SLM成像单元中的每个包括一或多个照明光...

本文中公开的实施方式包括消除系统，所述消除系统用于消除在半导体工艺中产生的化合物。消除系统包括等离子体源，所述等离子体源具有第一板件及平行于第一板件的第二板件。电极安置于第一板件与第二板件之间，且外壁安置于第一板件与第二板件之间，所述外...

一种用于在工件上的特征中沉积金属的方法，所述方法包括：在工件上的特征中形成种晶层，其中种晶层包括选自由钴和镍组成的群组的金属；在种晶层上电化学沉积第一金属化层，其中电化学沉积金属化层包括使用具有电镀金属离子和处于6至13范围内的pH值的...

在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除...

在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除...

处理腔室包括腔室主体、一或多个监控装置，及一或多个天线，腔室主体具有设置于腔室主体上的腔室盖组件，一或多个监控装置与腔室盖组件耦接，一或多个天线邻近于与一或多个监控装置通信的腔室盖组件设置。