本发明实施方式一般涉及用于检测晶片的方法。在砖料被切片成多个裸晶片后，拍摄各个晶片的二维(2D)光致发光(PL)图像，接着将晶片的PL图像以相继次序(即，晶片从砖料切片下来的顺序)合并以建构砖料的三维(3D)模型，砖料的三维模型突显(h...

本申请涉及照明系统。具体地，提供了一种照明系统以及用于控制该照明系统的方法。在一个实施例中，该方法包括：提供多个照明源；在一段时间内，监测多个照明源的光输出功率；以及控制多个照明源以维持预定水平的光输出功率。该方法还包括：补偿多个照明源...

一种通过工艺制造的薄膜电池(Thin film batteries,TFB)，所述工艺去除和/或最小化遮光掩模的使用。选择性激光烧蚀(ablation)工艺被用于满足某些或所有图案化的要求，在所述激光烧蚀工艺中，激光图案化工艺除去一层或...

本发明描述一种等离子体减量工艺以用于减少来自处理腔室的含有化合物的流出物。等离子体减量工艺取用来自处理腔室(例如，沉积腔室)的气态前级管道流出物，并使该流出物在位于前级管线路径上的等离子体腔室内进行反应。该等离子体使流出物中的化合物解离...

本公开的实施例提供用于使用等离子体修改工艺来修改基板表面的装置和方法。在一个实施例中，工艺一般包括：当基板设置在粒子束修改装置内时，通过使用高能粒子束来去除和/或再分配基板的被暴露表面的部分。实施例也可提供等离子体修改工艺，所述等离子体...

本公开内容涉及处理真空处理系统排放气体的方法和装置。此外，也公开了保养前级等离子体反应器子系统的方法和装置。在一些实施方式中，用于处理真空处理系统前级中排放气体的装置包括耦接于处理腔室前级的等离子体源、耦接于所述等离子体源的处理剂源、以...

提供一种用于在真空层沉积期间保持基板(20)的保持设备(10)。所述保持设备(10)包括：框架，所述框架具有一或多个框架元件；以及一或多个接触界面(50、500)，所述一或多个接触界面提供在所述框架元件中的一或多个处，并且被配置来接触输...

本发明实施例总体上涉及一种半导体处理腔室，并且更具体地涉及一种用于半导体处理腔室的受热支撑基座。在一个实施例中，所述基座包括基板支撑件、加热元件和第一中空轴，所述基板支撑件包含用于容纳基板的支撑表面，所述加热元件被封装在所述基板支撑件内...

披露了一种传输基板的机械手设备。所述机械手设备可包括上臂、前臂、腕部构件及末端执行器，所述前臂可相对于所述上臂独立旋转，所述腕部构件可相对于所述前臂独立旋转，所述末端执行器适合于承载基板。在某些方面中，独立旋转由机械手驱动组件提供，所述...

提供了一种耦接至工艺腔室的等离子体源，所述等离子体源包括沿第一轴从第一端延伸到第二端的核芯元件。耦接至工艺腔室的等离子体源进一步包括围绕核芯元件的相应的一个或多个第一部分而设置的一个或多个线圈。耦接至工艺腔室的等离子体源进一步包括具有一...

公开了用于外延生长装置的腔室部件。反应腔室由顶板来界定和形成。反应气体在侧壁中所设置的反应气体供应路径中整流，使得在所述反应腔室中的所述反应气体的流动方向上的水平分量对应于从所述反应气体供应路径的开口的中心延伸的方向上的水平分量。对所述...

公开了用于外延生长装置的腔室部件。反应腔室由顶板来界定和形成。反应气体在侧壁中所设置的反应气体供应路径中整流，使得在所述反应腔室中的所述反应气体的流动方向上的水平分量对应于从所述反应气体供应路径的开口的中心延伸的方向上的水平分量。对所述...

本申请提供了于阻障表面上的钴沉积。本发明的实施例提供一种在一阻障层上沉积一钴层并接着沉积一导电材料，如铜或一铜合金于其上的工艺。在一实施例中，提供一沉积材料于一基材表面的方法，其包括以下步骤:在一基材上形成一阻障层，于气相沉积工艺期间曝...

本发明一般而言包含加热的喷头组件，其可用来供应处理气体至处理腔室。该处理腔室可以是蚀刻腔室。当该处理气体从该处理腔室排出时，均匀处理该衬底会有难度。将该处理气体抽离该衬底并朝向该真空泵推送时，衬底上的等离子体，在蚀刻的情况下可能会不均匀...

根据本公开，提供一种柔性基板涂布装置。所述柔性基板涂布装置包括真空工艺腔室，用以处理柔性基板。所述真空工艺腔室包括一或多个沉积单元以及定位在所述一或多个沉积单元的直接下游的清洁单元。在另一方面中，提供一种用于将薄膜沉积在柔性基板上的方法...

公开了一种用于制造MRAM位的方法，所述方法包括沉积间隔层，所述间隔层用以在处理期间保护隧穿阻挡层。所沉积的间隔层防止在后续处理中形成的副产物再沉积在隧穿阻挡层上。这种再沉积会造成产品故障并降低制造产率。此方法进一步包括非侵蚀性的处理条...

本公开内容的实施方式提供用于稳定基板温度的设备及方法，通过：流动冷却气体流至基板支撑件中的冷却通道的入口，使用热交换器从冷却通道的出口接收冷却气体流，以及释放冷却气体至最近环境，例如清洁室或微环境。

本发明公开了一种保持环和一种化学机械抛光系统(CMP)。在一个实施方式中，用于抛光系统的保持环包括环形主体，所述环形主体具有抛光内径。所述主体具有：底表面，所述底表面具有形成在其中的槽；外径壁；和内径壁，其中所述内径壁被抛光至小于约30...

在本文中提供用于对基板进行处理的方法。在一些实施方式中，所述方法包括：提供被支撑在起始模板上的基板；将第一覆层粘附到所述基板的第一侧；将具有所述覆层的所述基板与所述起始模板分离；确定是否已经到达使用过的模板的使用寿命；以及如果尚未达到所...

本发明描述了一种用于处理柔性基板的处理设备，具体地是一种用于处理柔性基板的真空处理设备。所述处理设备包括真空腔室；处理滚筒，所述处理滚筒在所述真空腔室内，其中所述处理滚筒被配置成围绕沿第一方向延伸的轴线旋转；以及加热装置，所述加热装置邻...