在半导体腔室中的晶片旋转制造技术

提供一种用于处理基板的方法与设备。该设备包括基座与旋转构件，基座与旋转构件可移动地设置在处理腔室内。旋转构件适配成旋转设置在腔室中的基板。在处理期间，基板可由边缘环支撑。边缘环可选择性地啮合基座或旋转构件。在一个实施例中，在沉积工艺期间，边缘环啮合基座，并且在基板的旋转期间，边缘环啮合旋转构件。处理期间的基板的旋转可以是不连续的或连续的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】背景
本专利技术所述的实施例总体上涉及用于处理基板的设备与方法。更具体地，本专利技术所述的实施例涉及半导体基板中的基板旋转。
技术介绍
半导体器件性能由各种因素所决定。一个重要因素是沉积在基板上的膜的均匀性。期望均匀地沉积膜以使得跨基板表面最小化厚度变化。例如，可能期望形成具有跨基板表面的小于约5％的厚度变化的膜。然而，膜均匀性可能受若干因素不利地影响，这些因素包括加热器温度、腔室几何形状、工艺气流非均匀性，及等离子体非均匀性等。这些因素可能导致非均匀膜沉积在基板表面上，从而可能最终减低器件性能。因此，在本领域中存在对改善半导体处理中的膜均匀性的设备与方法的需要。
技术实现思路
在一个实施例中，提供一种用于处理基板的设备。该设备包括腔室主体和面板，所述腔室主体和所述面板界定处理容积。基座可移动地设置于处理容积内并且旋转构件也可移动地设置于所述处理容积内。可从基座径向向外设置旋转构件。可经配置以支撑基板的边缘环可经适配成选择性地与基座或旋转构件接合。在另一个实施例中，提供一种处理基板的方法。该方法包括将膜的第一部分沉积在第一位置中的基板上。接着可停止膜的第一部分的沉积并可将基板从第一位置旋本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于处理基板的设备，包括：腔室主体与面板，所述腔室主体与所述面板界定处理容积；基座，所述基座可移动地设置在所述处理容积内；旋转构件，所述旋转构件可移动地设置在所述处理容积内且从所述基座径向向外；边缘环，所述边缘环配置成支撑基板，其中所述边缘环经适配成选择性地与所述基座或所述旋转构件接合。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.03.12 US 61/951,9201.一种用于处理基板的设备，包括：腔室主体与面板，所述腔室主体与所述面板界定处理容积；基座，所述基座可移动地设置在所述处理容积内；旋转构件，所述旋转构件可移动地设置在所述处理容积内且从所述基座径向向外；边缘环，所述边缘环配置成支撑基板，其中所述边缘环经适配成选择性地与所述基座或所述旋转构件接合。2.如权利要求1所述的设备，进一步包括可调电极，所述可调电极设置在所述腔室主体上且邻近所述面板。3.如权利要求2所述的设备，其中所述可调电极进一步包括：支撑突出部。4.如权利要求1所述的设备，进一步包括：遮蔽环，所述遮蔽环经适配成与所述边缘环的顶表面耦接。5.如权利要求3所述的设备，进一步包括：遮蔽环，所述遮蔽环经适配成与所述可调电极的所述支撑突出部耦接。6.如权利要求1所述的设备，进一步包括：衬垫组件，所述衬垫组件与所述腔室主体的底表面耦接。7.如权利要求1所述的设备，进一步包括：多个升举销，所述多个升举销耦接穿过所述基座。8.如权利要求4所述的设备，其中所述基座、所述旋转构件、所述边缘环，以及所述遮蔽环由具有相似的热膨胀系数的陶瓷材料形成。9.一种处理基板的方法，包括以下步骤：将膜的第一部分沉积在处于第一位置中的基板上；停止所述膜的所述第一部分的沉...

【专利技术属性】
技术研发人员：G·巴拉苏布拉马尼恩，J·C·罗查阿尔瓦雷斯，R·萨卡拉克利施纳，R·金，D·R·杜鲍斯，K·H·弗劳德，A·K·班塞尔，T·A·恩古耶，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US