用于使预热构件自定中心的装置制造方法及图纸

在此所描述的具体实施方式一般地涉及用于对准预热构件的装置。在一个具体实施方式中，提供对准组件用于处理腔室。所述对准组件包括：下衬垫；预热构件；在所述预热构件的底表面上形成的对准机构；以及在所述下衬垫的顶表面内形成且经配置以与所述对准机构啮合的拉长的槽。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的具体实施方式一般地涉及等离子体处理腔室内的预热构件。
技术介绍
半导体基板被处理以用于多种应用，包括集成器件和微器件的制造。处理基板的一种方法包括将材料(例如介电材料或导电金属)沉积在基板的上表面上。例如，外延生长为在基板的表面上生长薄的、超纯层(通常为硅层或锗层)的沉积工艺。通过流动与安置在支座上的基板的表面平行的处理气体，以及热分解所述处理气体以将来自所述气体的材料沉积在基板表面上，可将所述材料沉积在横向流动腔室内。现代硅技术中使用的最常见的外延薄膜沉积反应器在设计上相类似。然而，除了基板和处理条件之外，沉积反应器(即处理腔室)的设计对在薄膜沉积中使用精密气流的外延生长中的薄膜品质而言是必不可少的。布置在沉积反应器中的基座支撑组件和预热构件的设计影响外延沉积的均匀性。在碳化硅微粒(silicon carbide particulate:SiCP)的外延处理中，厚度均匀性受基座与预热构件之间的缝隙距离变化的不利影响。在预热构件的安装或运动期间，由于热膨胀(例如行走)，预热构件的微小的对准不良都会引起基座与预热构件之间不对称的缝隙。所述不对称的缝隙导致在经受外延处理的基板上的“倾斜的”沉积图案，在所述基板上，基板的一边的沉积比另一边厚。因此，需要提供用于均匀沉积的在预热构件与基座之间的改良的缝隙均匀性。
技术实现思路
在此所描述的具体实施方式一般地涉及用于对准预热环的装置，以及具有所述预热环的沉积反应器。在一个具体实施方式中，用于对准预热环的装置为对准组件的形式。所述对准组件包括设置在拉长的径向对准的槽中的对准机构。所述对准机构和槽设置在预热环的底表面与下衬垫的顶表面之间。所述对准机构和槽经配置以限制预热环相对于下衬垫角向地(azthumally)和/或旋转地移动。附图说明以上简要总结的本专利技术的上述特征可被详细理解的方式、对本专利技术更加特定的描述可通过参考本专利技术的具体实施方式获得，所述具体实施方式中的一些在附图中示出。然而，需要注意的是，所述附图仅示出本专利技术的典型的具体实施方式，因此不能认为是对本专利技术的范围的限制，因为本专利技术可允许其它等效的具体实施方式。图1为处理腔室的示意图。图2示出了图1的处理腔室的俯视图，所述处理腔室移除了上圆顶，且以虚线显示用于预热环和下衬垫的对准组件。图3为截面图，显示了图2的对准组件。图4示出了用于图3的对准组件的下衬垫中的槽设计。图5示出了用于图3的对准组件的预热环中的对准机构。为便于理解，已在尽可能的情况下，使用相同的参考数字指示在这些附图共通的相同元件。可以考虑到的是，一个具体实施方式中的元件和特征可有利地并入其它具体实施方式中而无需赘述。具体实施方式为解释起见，在下面的描述中，许多具体细节被阐明以便为本公开内容的具体实施方式提供彻底的理解。在某些情况中，众所熟知的结构和器件以方块图形显示，而不是详细描述，以避免模糊本
公开内容。对所述具体实施方式进行足够详细的描述以使本领域技术人员能够实施本专利技术，且应当理解的是，可利用其它具体实施方式，以及可产生逻辑、机械、电和其它的改变而不脱离本公开内容的范围。图1示出了具有对准组件190的处理腔室100的示意图。处理腔室100可用来处理一个或多个基板108，包括在基板108的上表面上沉积材料。处理腔室100可包括连同其它部件一起用于加热的辐射加热灯102的阵列、基座支撑组件106的背侧104以及设置在处理腔室100的壁101内的预热构件180(所述预热构件可为环、矩形构件或具有任意方便形状的构件)。处理腔室100包括上圆顶110、下圆顶112以及设置在上圆顶110和下圆顶112之间的下衬垫114。上下圆顶110、112大体界定处理腔室100的内部区域。在一些具体实施方式中，辐射加热灯102的阵列可设置于上圆顶110上方。一般而言，上圆顶110的中央窗部分和下圆顶112的底部由例如石英的光学透明材料形成。可环绕基座支撑组件106，以规定的、最佳所期望的方式在靠近下圆顶112和下圆顶112的下方设置一个或多个灯(例如灯102的阵列)以当处理气体从此处流过的时候，独立控制基板108的各个区域的温度，进而便于材料沉积在基板108的上表面上。虽然在此并未详细论述，但是所述沉积材料可包括砷化镓、氮化镓、氮化铝镓以及类似材料。灯102可经配置以包括灯泡136且经配置以加热处理腔室100的内部至大约200摄氏度到大约1600摄氏度范围之内的一温度。每个灯102都被耦接至电力分配板(未示出)，经由电力分配板为每个灯102提供电力。将灯102安置在灯头138之内，在利用将例如冷却流体引入至位于灯102之间的通道140、152处理期间或之后，灯头138可被冷却。灯头138传导地和辐射地将下圆顶112冷却，部分是因为灯头138与下圆顶112极为接近。灯头138还可冷却灯壁和环绕灯的反射体(未示出)的壁。或者，可通过在本行业
中已知的的对流方法冷却下圆顶112。取决于应用，灯头138可以与或可以不与下圆顶112接触。反射体144可以可选择地放置在上圆顶110外面以将从基板108辐射出去的红外光反射回基板108上。反射体144可由例如铝或不锈钢的金属制成。可以通过用例如黄金的高反射涂层涂布反射体区域以改良反射效率。可以通过一个或多个通道146将反射体144耦接至冷却源(未示出)。通道146与在反射体144的一侧面上或在反射体144中形成的通路(未图示)连接。所述通路经配置以传送流体(例如水)流且可沿着反射体144的侧面，以任意所期望的覆盖反射体144部分或整个表面的图案流动，以用于冷却反射体144。处理腔室100的内部容积被分成：在预热构件180和基板108之上的处理气体区域128；以及在预热构件180和基座支撑组件106之下的净化气体区域130。从处理气体供应源148供应的处理气体通过在下衬垫114的侧壁中形成的处理气体进口150引入至处理气体区域128。处理气体进口150经配置以大体径向向内的方向引导处理气体。在薄膜形成过程期间，基座支撑组件106可位于处理位置中，所述处理位置与处理气体进口150的高度接近且大致相同，允许处理气体沿着跨越基板108的上表面所界定的流动路径以层流方式流动。处理气体通过气体出口155流出处理气体区域128，所述气体出口位于处理腔室100的侧面，与处理气体进口150相对。耦接至气体出口155的真空泵156促进通过气体出口155的处理气体的移除。因为处理气体进口150和气体出口155彼此对准，且大约设置在相同高度，相信当与较平的上圆顶110组合使用时，如此平行的安排可以使得大体平坦、均匀的气流流过基板108。净化气体可自净化气源158通过在下衬垫114的侧壁中形成的可选净化气体进口160(或通过处理气体进口150)供应至净化气体区域130。将净化气体进口160的高度设置低于处理气体进口150的高度。净化气体进口160经配置以大体径向向内的方向引导
净化气体。在薄膜形成过程期间，预热构件180和基座支撑组件106可位于一个位置，以使得净化气体向下且环绕沿着跨越基座支撑组件106的背侧104所界定的流动路径以层流方式流动。未受任何特定理论限制，净化气体的流动被认为能大体上防止处理气本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于处理腔室的对准组件，所述对准组件包含：下衬垫，所述下衬垫具有唇部；预热构件，所述预热构件具有底表面；对准机构，所述对准机构从所述预热构件的所述底表面延伸；以及拉长的槽，所述拉长的槽在所述唇部的顶表面内形成，且经配置以接受所述对准机构。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.12.06 US 61/913,2451.一种用于处理腔室的对准组件，所述对准组件包含：下衬垫，所述下衬垫具有唇部；预热构件，所述预热构件具有底表面；对准机构，所述对准机构从所述预热构件的所述底表面延伸；以及拉长的槽，所述拉长的槽在所述唇部的顶表面内形成，且经配置以接受所述对准机构。2.如权利要求1所述的对准组件，其中，所述对准机构为所述预热构件的成整体的一部分。3.一种用于处理腔室的对准组件，所述对准组件包含：下衬垫，所述下衬垫具有唇部；预热构件，所述预热构件具有底表面；对准机构，所述对准机构从所述唇部的顶表面延伸；以及拉长的槽，所述拉长的槽在所述预热构件的所述底表面中形成，且经配置以接受所述对准机构。4.如权利要求3所述的对准组件，其中，所述对准机构为所述唇部的成整体的一部分。5.如权利要求3所述的对准组件，其中，所述对准机构独立位于且运动于狭缝内，所述狭缝由与在所述预热构件内的所述拉长的槽对准的在所述唇部内的槽形成。6.如权利要求4所述的对准组件，其中，所述对准机构为球状物。7.如权利要求1或3所述的对准组件，其中，所述预热构件和下衬垫具有相对于所述下衬垫的中线使所述预热构件自定中心的三个对准组件。8.如权利要求1或3所述的对准组件，所述对准组件进一步包含：当所述对准机构被设置在所述槽中时，在所述预热构件与所述下...

【专利技术属性】
技术研发人员：凯文·约瑟夫·鲍蒂斯塔，理查德·O·柯林斯，尼欧·谬，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US