用于消除遮蔽框架的气体限制器组件制造技术

本公开涉及一种气体限制器组件，所述气体限制器组件被设计成通过限制气流并改变在基板边缘区域附近的局部气流分布来降低不均匀的沉积速率。所述气体限制器组件的材料、尺寸、形状和其他特征可基于处理要求以及相关联的沉积速率而变化。在一个实施方式中，一种用于处理腔室的气体限制器组件包括气体限制器，所述气体限制器被配置成减少气流并且补偿基板边缘区域上的较高沉积速率。所述气体限制器组件还包括覆盖件，所述覆盖件设置在所述气体限制器下方。所述覆盖件被配置成防止基板支撑件暴露于等离子体下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本公开的背景
本公开的实施方式总体上涉及一种用于使分布均匀性提高的气体限制器组件以及用于在处理腔室中分布气体的方法。
技术介绍
液晶显示器或平板通常使用于有源矩阵显示器，诸如计算机和电视机监视器。一般采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在基板(诸如用于平板显示器或半导体晶片的透光基板)上沉积薄膜。一般通过将前驱气体或气体混合物(例如，硅烷(SiH4)和氮气(N2))引入容纳有基板的真空腔室中实现PECVD。前驱气体或气体混合物通常被向下引导以通过位于腔室顶部附近的分布板。通过从耦接到腔室的一或多个RF源将射频(RF)功率施加至腔室，腔室中的前驱气体或气体混合物被激发(例如激励)成等离子体。受激励的气体或气体混合物发生反应，以便在定位在温度受控的基板支撑件上的基板的表面上形成材料(例如，氮化硅(SiNx))的层。氮化硅层形成用于下一代薄膜晶体管(TFT)和有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)中的低温多晶硅(LTPS)膜堆叠的钝化层、栅极绝缘体、缓冲层和/或蚀刻停止层。TFT和AMOLED是用于形成平板显示器的两种类型器件。通过PECVD技术处理的平板通常较大，常常超过4平方米。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于处理腔室的气体限制器组件，所述气体限制器组件包括：气体限制器，所述气体限制器被配置成围绕基板设置；以及覆盖件，所述覆盖件设置在所述气体限制器下方并且在所述气体限制器与配置成将设置有所述基板的位置之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.01.30 US 61/933,8231.一种用于处理腔室的气体限制器组件，所述气体限制器组件包括：气体限制器，所述气体限制器被配置成围绕基板设置；以及覆盖件，所述覆盖件设置在所述气体限制器下方并且在所述气体限制器与配置成将设置有所述基板的位置之间。2.根据权利要求1所述的气体限制器组件，其进一步包括基底，所述基底设置在所述气体限制器下方。3.根据权利要求2所述的气体限制器组件，其特征在于，所述基底包括一或多个陶瓷扣状物，所述一或多个陶瓷扣状物被定位成面对设置在所述基板下方的基板支撑件。4.根据权利要求2所述的气体限制器组件，其特征在于，所述基底包括一或多个定位销，所述一或多个定位销被配置成将所述基底与所述气体限制器对准。5.根据权利要求2所述的气体限制器组件，其特征在于，所述基底包含氧化铝。6.根据权利要求1所述的气体限制器组件，其特征在于，所述覆盖件包括在一或多个相交处连结的一或多个陶瓷板，其中所述陶瓷板包括一或多个销或螺杆，所述一或多个销或螺杆被配置成在所述一或多个相交处连结所述一或多个陶瓷板。7.根据权利要求1项所述的气体限制器组件，其特征在于，所述气体限制器和所述覆盖件包含氧化铝。8.一种处理腔室，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵来，王群华，R·L·迪纳，崔寿永，B·S·朴，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US