在此提出的概念和方法是通过免除和/或减少传统物理(遮荫)掩蔽的使用而降低大量制造薄膜电池(TFB)的成本和复杂度。激光划线和其它物理无掩蔽图案化技术可满足一些或所有图案化需求。在一实施例中，制造薄膜电池的方法包含提供基板、沉积对应薄膜电...

一种远紫外线(EUV)基板检查系统及其制造方法，包含：EUV来源，该EUV来源引导EUV照射穿过光圈；光检测器，该光检测器检测带有由基板反射离开的减低的偏离轴的射线的掩模照射；及计算机装置，该计算机装置处理由该光检测器检测到的图像数据。

本发明的实施方式一般关于用在处理腔室(诸如RTP腔室)中监控基板温度均匀性的方法及装置。基板温度的监控利用耦合至具有广角透镜的探头的红外线摄影机。所述广角透镜被定位于所述探头中并利用弹簧固定，且所述广角透镜能够承受高温处理。所述广角透镜...

描述了一种配置用于在半导体装置制造期间使用的传送腔室。传送腔室包括至少一个第一侧面，所述至少一个第一侧面具有第一宽度，所述至少一个第一侧面被配置成耦接至一个或更多个基板传送单元(例如，一个或更多个装载锁定腔室或一个或更多个通路单元)，并...

描述了一种用于在真空腔室中溅射沉积的溅射沉积源。该源包括：真空腔室的壁部分；目标，在溅射沉积期间提供待沉积的材料；RF电源，用于向目标提供RF功率；功率连接器，用于将目标与RF电源连接；以及导体棒，穿过壁部分从真空腔室内部延伸至真空腔室...

具体实施方式涉及静电卡盘表面，所述静电卡盘表面具有最小接触面积特征。更具体地，本发明的具体实施方式提供用于提供颗粒生成减少和基板和卡紧设备的磨损减少的静电卡盘组件，所述静电卡盘组件具有凸起伸长的表面特征图案。

本实用新型提供气体扩散组件、低温多晶硅处理腔室系统及令处理气体流入处理腔室的组件。本实用新型包括：背板，具有入口用以提供一处理气体至处理腔室；扩散板，包含数个开口用以允许处理气体流入处理腔室；阻隔板，设置于背板及扩散板之间，包含数个开口...

本文提供用于在衬底处理系统的前级管路中对排放气体进行处理的方法和设备。在一些实施例中，一种用于在衬底处理系统的前级管路中对排放气体进行处理的设备包括：等离子体源，联接至处理腔室的前级管路；反应物源，联接至等离子体源的上游的前级管路；和前...

在此揭示的多个具体实施方式提供了一种用于处理基板的快速热处理(RTP)系统。RTP腔室具有辐射源，所述辐射源经配置以供应辐射至安置于处理空间中的基板。一个或多个高温计耦接至所述腔室主体，与所述辐射源相对。在一个范例中，所述辐射源安置于所...

将取决于基板的区域的厚度的测量表征值输入到第一预测滤波器中。第一预测滤波器产生经滤波的表征值。将测量表征速率输入到第二预测滤波器中，测量表征值以该测量表征速率变化。第二预测滤波器产生基板的区域的经滤波的表征速率。基于在基板的抛光工艺期间...

本申请公开了多处气体馈送装置与方法。本发明的实施例大致提供用于将处理气体导入处理腔室中数个位置处的装置与方法。在一个实施例中，喷气头的中央区以及喷气头的角落区供给来自中央气源的处理气体，中央气源具有调控中央区中气流的第一质流控制器，以及...

提供一种用于处理多个基板的基板处理腔室与方法，所述基板处理腔室一般包括气体分配组件、基座组件与气体转向器，所述基座组件用于沿着邻近气体分配组件的每一个的路径旋转基板，气体转向器用于改变处理腔室中的气体流动的角度。

本文提供用于原位清洁基板处理腔室的方法和装置。一种基板处理腔室可以包括：腔室主体，所述腔室主体包封内部容积；腔室盖，所述腔室盖可移除地耦接到所述腔室主体上，并且包括第一流动通道，所述第一流动通道被流体耦接到所述内部容积，以便选择性地使所...

本公开案的实施方式涉及用于处理腔室的周缘泵送构件。所述周缘泵送构件包括环形主体，所述环形主体具有：沿着所述环形主体内的弧的第一弯曲通道；第一内部通道，所述第一内部通道将所述第一弯曲通道的第一区域连接至所述环形主体的内表面的第一区域；多个...

于此披露了用于支撑基板的设备的实施方式。在一些实施方式中，用于支撑基板的设备包括：支撑表面；和多个基板接触元件，所述多个基板接触元件从所述支撑表面突出，其中所述多个基板接触元件由一材料形成，所述材料具有小于或等于硅的硬度的硬度，具有低附...

在一些实施例中，提供一种用于清洁基板的装置，所述装置包含：(1)基板卡盘，经配置以利用可接取的基板的前侧来支撑所述基板；(2)抛光衬垫组件，经配置以支撑抛光衬垫，所述抛光衬垫的直径小于所述基板的直径；以及(3)摆动手臂，所述摆动手臂耦接...

本文公开了一种用于处理基板的处理腔室。在一个实施例中，所述处理腔室包括：衬层组件，所述衬层组件设置在所述处理腔室的内部容积内；以及C形通道，所述C形通道设置在所述腔室的内部容积内，并且包围所述衬层组件。在另一实施例中，本文公开了一种工艺...

本文揭示一种用于热处理系统的脉冲宽度控制器。脉冲电磁辐射被引导穿过转动式波片至偏振分束器，所述偏振分束器根据所述波片的相角而反射及透射。通过所述偏振分束器透射的辐射被引导至光路，所述光路经渡越时间后使所述辐射返回所述偏振分束器。第二转动...

提供了用于使用低温蚀刻工艺以及后续的界面保护层沉积工艺来蚀刻设置在基板上的电介质阻挡层的方法。在一个实施例中，用于蚀刻设置在基板上的电介质阻挡层的方法包括以下步骤：将基板转移至蚀刻处理腔室中，所述基板具有设置在所述基板上的电介质阻挡层；...

根据本公开案，提供一种半导体基板搬运系统和基板载体。用于支承待处理的基板并用于利用传输装置在处理区域中传输基板或将基板传输通过处理区域的所述基板载体包括：主要部分，所述主要部分用于支承所述基板；第一端部部分，所述第一端部部分适于由所述传...