用于稳定蚀刻后界面以使下一处理步骤之前的队列时间问题最小化的方法技术

提供了用于使用低温蚀刻工艺以及后续的界面保护层沉积工艺来蚀刻设置在基板上的电介质阻挡层的方法。在一个实施例中，用于蚀刻设置在基板上的电介质阻挡层的方法包括以下步骤：将基板转移至蚀刻处理腔室中，所述基板具有设置在所述基板上的电介质阻挡层；对电介质阻挡层执行处理工艺；在供应至蚀刻处理腔室中的蚀刻气体混合物中远程地生成等离子体以蚀刻设置在所述基板上的经处理电介质阻挡层；对所述电介质阻挡层进行等离子体退火以将所述电介质阻挡层从所述基板去除；以及将所述电介质阻挡从所述基板去除之后，形成界面保护层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】专利技术的背景
本专利技术的实施例大体上关于用于形成半导体器件的方法。更具体而言，本专利技术的实施例大体上关于用于制造半导体器件的蚀刻电介质阻挡层以及随后的界面保护层沉积工艺的方法。
技术介绍
可靠地生产亚半微米和更小的特征是半导体器件的下一代超大规模集成(verylargescaleintegration；VLSI)和极大规模集成(ultralarge-scaleintegration；ULSI)的关键技术挑战中的一项。然而，随着电路技术的极限被推动，VLSI和ULSI互连技术的缩小的尺寸已对处理能力提出了额外的要求。栅极结构在基板上的可靠的形成对于VLSI与ULSI的成功以及对于增加单个基板和管芯的电路密度和质量的持续工作是重要的。通常在蚀刻结构期间使用经图案化的掩模(诸如，光阻剂层)，所述结构诸如，基板上的栅极结构、浅沟槽隔离(shallowtrenchisolation；STI)、位线等，或后端双重式金属镶嵌(damascene)结构。常规意义上通过使用光刻工艺来将具有所需的关键尺本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于蚀刻设置在基板上的电介质阻挡层的方法，所述方法包含以下步骤：将基板转移到蚀刻处理腔室中，所述基板具有设置在所述基板上的电介质阻挡层；对所述电介质阻挡层执行处理工艺；在供应至所述蚀刻处理腔室中的蚀刻气体混合物中远程地生成等离子体以蚀刻设置在所述基板上的所述经处理电介质阻挡层；对所述电介质阻挡层进行等离子体退火以将所述电介质阻挡层从所述基板去除；以及在将所述电介质阻挡从所述基板去除之后，形成界面保护层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.09.17 US 14/029,7711.一种用于蚀刻设置在基板上的电介质阻挡层的方法，所述方法包含以下步骤：
将基板转移到蚀刻处理腔室中，所述基板具有设置在所述基板上的电介质阻挡层；
对所述电介质阻挡层执行处理工艺；
在供应至所述蚀刻处理腔室中的蚀刻气体混合物中远程地生成等离子体以蚀刻设置
在所述基板上的所述经处理电介质阻挡层；
对所述电介质阻挡层进行等离子体退火以将所述电介质阻挡层从所述基板去除；以及
在将所述电介质阻挡从所述基板去除之后，形成界面保护层。
2.如权利要求1所述的方法，其中在所述蚀刻气体混合物中远程地生成所述等离子体
的步骤进一步包含以下步骤：
在所述蚀刻气体混合物中，以约5:1至约30:1的摩尔比来供应氨气和三氟化氮。
3.如权利要求1所述的方法，其中在所述蚀刻气体混合物中远程地生成所述等离子体
的步骤进一步包含以下步骤：
将基板温度维持在小于约100摄氏度。
4.如权利要求1所述的方法，其中对所述电介质阻挡层进行等离子体退火的步骤进一
步包含以下步骤：
使蚀刻副产物从所述基板升华。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述电介质阻挡层是碳化硅层。
6.如权利要求1所述的方法，其中在所述蚀刻气体混合物中远程地生成所述等离子体
的步骤进一步包含以下步骤：
施加RF源功率以从所述蚀刻气体混合物远程地生成所述等离子体。
7.如权利要求6所述的方法，其中所述RF源功率具有约80KHz的频率。
8.如权利要求1所述的方法，其中形成所述界面保护层的步骤进一步包含以下步骤：
将伴随至少一种载气的聚合物气体供应至所述蚀刻处理腔室中。
9.如权利要求8所述的方法，其中所述载气是以下各项中的至少一种：...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·D·耐马尼，P·古帕拉加，T·越泽，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US