本文所述的实施例总体上涉及防止半导体处理腔室内的污染物沉积以及从半导体处理腔室移除污染物。底部净化与泵送分别防止基座加热器下方的污染物沉积或从基座下方排出污染物。底部净化防止污染物沉积在基座下方，并且提供从定位成与被处理的基板基本上共面的处理腔室排气。底部泵送从处理腔室移除存在于基座下方的污染物。具体地，本文所述的实施例涉及经由基座波纹管和/或均衡端口的净化与泵送。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】背景
本文所述的实施例总体上涉及防止半导体处理腔室内的污染物沉积以及从半导体处理腔室移除污染物。更具体地，本文所述的实施例涉及用于减少掉落颗粒缺陷的底部泵送与净化以及底部臭氧清洁硬件。
技术介绍
紫外线(UV)半导体处理腔室和工艺可用于在半导体基板上形成含硅膜。这些膜包括低k和超低k电介质，分别具有小于大约4.0和2.5的k值。可通过将空隙并入低k电介质基质内以形成多孔的电介质材料来制造超低k电介质材料。制造多孔的电介质的方法通常涉及形成含有两种成分的前体膜：致孔剂(通常为有机材料，例如碳氢化合物)与结构化或电介质材料(例如，含硅材料)。一旦前体膜形成在基板上，就可移除致孔剂成分，从而留下结构完整的多孔电介质基质或氧化物网状物。用于形成低k与超低k电介质的UV处理腔室在移除致孔剂的UV固化工艺期间，可能具有通过腔室的不均匀的气体流动。因此，UV处理腔室会变成涂覆有致孔剂材料，包括对允许UV光到达基板的窗的涂覆，以及对经历不均匀的气体流动的UV处理腔室的其他区域的涂覆。例如，加热器(例如，基座)下方的UV处理腔室的区域往往变成受到致孔剂残余物的污染。UV腔室部件上积聚的或致孔剂残余物(通常为有机污染物)会导致跨基板表面的不均匀固化的膜。随着时间的推移，致孔剂残余物通过减少基板处可用的有效UV强度而减少后续UV致孔剂移除工艺的有效性。另外，过量残余物在UV腔室中的积聚是基板上的颗粒缺陷的来源。因此，热学上不稳定的有机材料(起因于用于增加多孔性的致孔剂)需要从UV处理腔室移除。用来移除致孔剂残余物的增加的清洗频率与时间不期望地导致了减少的产量。因此，本领域中存在对改进的UV处理腔室以及使用此改进的UV处理腔
室的方法的需要。
技术实现思路
在一个实施例中，提供一种用于处理基板的设备。所述设备包括处理腔室主体，所述处理腔室主体界定处理区域。可移动的基座组件设置在所述处理区域内，且紫外线辐射源耦接至所述腔室主体。光透射窗设置在紫外线辐射源与基座组件之间。第一端口设置成在第一区域处通过腔室主体，所述第一区域与所述基座组件的处理位置基本上共面，且第二端口设置成在第二区域处通过腔室主体的侧壁。所述第二区域位于所述第一区域下方。在另一实施例中，提供一种用于处理基板的设备。所述设备包括处理腔室主体，所述处理腔室主体界定处理区域。可移动的基座组件设置在处理区域内。基座组件具有基座组件表面、杆和波纹管组件，所述波纹管组件围绕所述杆的至少一部分。所述波纹管组件设置在所述处理容积的外部。紫外线辐射源耦接至腔室主体，且光透射窗设置在紫外线辐射源与基座组件之间。第一端口设置成在第一区域处通过腔室主体，所述第一区域与所述基座组件的处理位置基本上共面。第二端口设置成在第二区域处通过腔室主体的底部，所述第二区域圆周地围绕所述杆。在又另一实施例中，提供双容积处理腔室。所述腔室包括腔室主体，所述腔室主体界定第一内容积与第二内容积。第一基座组件设置在第一内容积内，第一紫外线辐射源耦接至所述腔室主体且与所述第一内容积相邻，且第一光透射窗设置在第一紫外线辐射源与第一基座组件之间。第二基座组件设置在第二内容积内，第二紫外线辐射源耦接至所述腔室主体且与所述第二内容积相邻，且第二光透射窗设置在第二紫外线辐射源与第二基座组件之间。第一端口设置在第一内容积与第二内容积之间的腔室主体的中心区域内。第一端口与第一基座组件和第二基座组件的处理位置基本上共面。第二端口设置在第一端口下方的腔室主体的中心区域内。第一端口与第二端口将第一内容积与第二内容积在容积上耦接。附图说明因此，为了能够详细地理解本公开的上述特征的方式，可通过参照实施例得出以上简要概括的本公开的更具体的描述，实施例中的一些在所附附图中示
出。然而，注意到，所附附图仅描绘本公开的典型实施例且因此不视为限制本公开的范围，因为本公开可允许其他等效实施例。图1描绘根据本文所述的一个实施例的处理系统的横剖面视图。图2描绘图1的处理系统的一部分的侧视图。图3描绘图1的处理系统的平面视图，其中移除了UV源以描绘内部部件。为了促进理解，已经在可能的情况下使用相同的元件标号来指定附图中共有的相同元件。可设想到，一个实施例的元件和特征可有益地并入在其他实施例中而无需进一步的叙述。具体实施方式本文所述的实施例总体上涉及防止半导体处理腔室内的污染物沉积以及从半导体处理腔室移除污染物。底部泵送与净化基本上防止基座组件下方的污染物沉积或从基座组件下方排出污染物。底部净化基本上防止污染物沉积在基座组件下方，并且提供从定位成与被处理的基板基本上共面的处理腔室的排气。底部泵送从处理腔室移除存在于基座组件下方的污染物。具体地，本文所述的实施例涉及经由基座波纹管和/或均衡端口的净化与泵送。图1描绘双容积处理系统100的横剖面视图。系统100描绘在市场上可从加利福尼亚州圣克拉拉市的应用材料公司购买到的300mm处理系统的示例性实施例。本文所述的实施例也可有利地使用在NANOCURETM与ONYXTM系统(这两者都可从加利福尼亚州圣克拉拉市的应用材料公司购买到)以及其他适当适配的处理系统上，包括来自其他制造商的那些系统。处理系统100包括两个处理腔室101a、101b，所述处理腔室101a、101b基本上彼此相同。处理腔室101a、101b共享腔室主体102与腔室盖体104。处理腔室101a、101b为彼此关于中心平面129的镜像。腔室101a界定了用于处理单一基板的处理容积124。腔室101a包括设置在处理容积124上方的UV透明窗116和UV透明气体分配喷淋头120。腔室101b界定了用于处理单一基板的处理容积126。腔室101b包括设置在处理容积上方126的UV透明窗118和UV透明气体分配喷淋头122。腔室101a、101b共享气体面板108与真空泵110。腔室101a经由输入歧
管112耦接至气体面板108，且腔室101b经由输入歧管114耦接至气体面板108。第一UV光源136经由盖体104耦接至腔室101a。窗116设置在第一UV光源136与处理容积124之间。第二UV光源138经由盖体104耦接至腔室101b。窗118设置在第二UV光源138与处理容积126之间。处理系统100还包括基座组件150、152，所述基座组件150、152分别设置在腔室101a、101b中。衬垫166设置在腔室101a、101b的每一个内并且围绕基座组件150、152的每一个。基座组件150至少部分地设置在腔室101a内，且基座组件152至少部分地设置在腔室101b内。衬垫166屏蔽腔室主体102免受处理容积124、126中的处理化学物的影响。排气气室170径向地围绕处理容积124、126，且多个孔172形成为通过衬垫166并将排气气室170与处理容积124、126连接。多个孔172和排气气室170的至少一部分可与基座组件150、152的支撑表面154基本上共面。真空泵110与排气气室170流体地连通，使得处理容积124、126可通过多个孔172和排气气室170来被抽气。排气气室170耦接至公共的排气气室171，公共的排气气室171延伸通过腔室底部134至泵导管174。泵导管174耦接至真空泵110以促进从公本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于处理基板的设备，包括：处理腔室主体，所述处理腔室主体界定处理区域；基座组件，所述基座组件设置在所述处理区域内；紫外线辐射源，所述紫外线辐射源耦接至所述腔室主体；光透射窗，所述光透射窗设置在所述紫外线辐射源与所述基座组件之间；排气端口，所述排气端口设置成在第一区域处通过所述腔室主体，所述排气端口与所述处理区域流体地连通，且所述第一区域设置成与所述处理区域相邻；以及泵送/净化端口，所述泵送/净化端口设置成在第二区域处通过所述腔室主体，其中所述第二区域位于所述第一区域下方。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.01.30 US 61/933,4321.一种用于处理基板的设备，包括：处理腔室主体，所述处理腔室主体界定处理区域；基座组件，所述基座组件设置在所述处理区域内；紫外线辐射源，所述紫外线辐射源耦接至所述腔室主体；光透射窗，所述光透射窗设置在所述紫外线辐射源与所述基座组件之间；排气端口，所述排气端口设置成在第一区域处通过所述腔室主体，所述排气端口与所述处理区域流体地连通，且所述第一区域设置成与所述处理区域相邻；以及泵送/净化端口，所述泵送/净化端口设置成在第二区域处通过所述腔室主体，其中所述第二区域位于所述第一区域下方。2.如权利要求1所述的设备，进一步包括第一导管，所述第一导管耦接在所述排气端口与泵之间。3.如权利要求2所述的设备，其中第一阀设置在所述排气端口与所述泵之间的所述第一导管上。4.如权利要求3所述的设备，其中第二导管将所述泵送/净化端口耦接至所述第一阀与所述泵之间的所述第一导管。5.如权利要求4所述的设备，其中第二阀设置在所述泵送/净化端口与所述第一导管之间的所述第二导管上。6.如权利要求5所述的设备，其中净化气体源耦接至所述泵送/净化端口与所述第二阀之间的所述第二导管。7.一种用于处理基板的设备，包括：处理腔室主体，所述处理腔室主体界定处理区域；基座组件，所述基座组件设置在所述处理区域内，所述基座组件包括基板支撑表面、杆和波纹管组件，所述波纹管组件围绕所述杆的至少一部分，所述波纹管组件设置在所述处理容积的外部；紫外线辐射源，所述紫外线辐射源耦接至所述腔室主体；光透射窗，所述光透射窗设置在所述紫外线辐射源与所述基座组件之间；排气端口，所述排气端口设置成在第一区域处通过所述腔室主体，所述第一区域与所述基座组件的处理位置基本上共面；以及泵送/净化端口，所述泵送/净化端口设置成在第二区域处通过所述腔室主体的底部，其中所述第二区域圆周地围绕所述杆。8.如权利要求7所述的设备，其中气体流动通道从所述杆与所述波纹管组件之间的所述泵送/净化端口延伸。9.如权利要求8所述的设备，其中导管将所述排气端口耦接至泵。10.如权利要求9所述的设备，其中第一阀设置在所述排气端口与...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·坎古德，S·巴录佳，J·C·罗查阿尔瓦雷斯，D·拉杰，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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