一种制造制品的方法包括提供用于蚀刻反应器的环。随后，执行离子辅助沉积(IAD)以在环的至少一个表面上沉积保护层，其中，保护层是抗等离子体的稀土氧化物膜，所述抗等离子体的稀土氧化物膜具有小于300微米的厚度以及小于6微英寸的平均表面粗糙度。

本申请公开了扩散器。本实用新型通常涉及气体分配板，所述气体分配板被设计以确保基板上的大体上均匀沉积。气体分配板可补偿基板角落区域以及基板边缘中的非均匀性。为了补偿非均匀性，气体通道口可被根据需要不同地定尺寸以使得允许更多的气体流过某些策...

本发明的实施例包括在等离子体处理过程中用以冷却支撑工件的基座的设备、系统和方法。基座的实施例包括：底座，该工件是将被配置于该底座上方；数个喷嘴，用以从供应充气增压部供应流体来撞击于该底座的表面上；以及数个返回管道，用以将供应的流体送回到...

描述了一种用于处理大面积基板(120)的设备(100)以及一种用于测量基本上竖直地布置的大面积基板的至少一个光学性质的方法。用于处理大面积基板的设备包括：腔室布置(110)，用于以竖直地布置的状态来传输大面积基板通过所述腔室布置(110...

在实施例中，实现了涉及初始的激光划片和后续的等离子体蚀刻的混合式晶片或基板划切工艺，以进行管芯单片化。激光划片工艺可用于洁净地去除掩模层、有机和无机电介质层和器件层。随后，当暴露了或部分蚀刻了晶片或基板后，可终止激光蚀刻工艺。在实施例中...

提供了用于对后CMP清洁设备中的湿基板进行干燥的设备。设备提供冲洗溶液(诸如，DIW)的瀑布或浅蓄存，可升高基板通过所述冲洗溶液的瀑布或浅蓄存。可在基板上的冲洗溶液界面处(诸如，在马兰哥尼工艺中)提供溶剂蒸汽。在某些实施例中，减小了基板...

一种用于使热塑性塑料、尤其是聚酰亚胺致密化以用于与电子电路结合使用，同时产生改进的物理特性和高度的结晶度的方法，所述方法涉及在通常低于玻璃转变温度100℃或更低的温度持续约50至100分钟的时间的变频微波(VFM)处理。所述方法尤其适用...

本文所述的实施方式一般涉及静电夹盘。ESC可包括：适于静电式耦接基板至ESC的第一多个电极，以及适于静电式耦接ESC至基板支座的第二多个电极。取代内部地设置于基板支座内，该ESC可简单地从基板支座移除并且从腔室移除，以用于维修或置换的目的。

提供一种具有改良的线圈天线组件的装置的实施例，该改良的线圈天线组件可提供处理腔室中的增强的等离子体。该改良的线圈天线组件增强对等离子体处理腔室内的等离子体位置的位置控制，并且可被用于蚀刻、沉积、植入、与热处理系统，以及期望控制等离子体位...

描述了一种基板处理系统，该基板处理系统具有反应器及气体面板、及用于反应器及气体面板的共同排气。来自反应器的排气导管被发送至气体面板，且来自反应器的排放气体用以净化气体面板。来自反应器的气体可在流至气体面板之前被冷却。

本发明公开一种处理装置，该处理装置确定多个初始的流量设定点命令，多个设定点命令的每一设定点命令对应到多个阀门中的一个阀门，并发送多个初始的设定点命令的每一初始的设定点命令至多个阀门中的一相对应的阀门。处理装置针对于需要进行调整的流量状况...

本发明揭露在半导体处理室中反射来自灯的辐射的银反射件。此反射件可设置于灯管的套管中或灯头的部分。此银可为在套管或灯头上的涂层型式。

本公开总体涉及一种沉积系统，所述沉积系统包括：第一电磁波施加器，所述第一电磁波施加器包括耦接至第一专用射频发生器的第一闭环天线阵列；以及第二电磁波施加器，所述第二电磁波施加器包括邻近所述第一闭环天线阵列而设置并耦接至第二专用射频发生器的...

提供一种处理基板的方法和设备。在一些实施方式中，所述方法包括：提供具有孔的硅基板，所述孔在孔的底部处含有暴露的硅接触表面；在暴露的硅接触表面上沉积金属种晶层；和通过使电流流经基板的背侧而将基板暴露于电镀工艺，以在金属种晶层上形成金属层。

本公开案的实施方式涉及用于处理腔室的周缘泵送构件。所述周缘泵送构件包括环形主体，所述环形主体具有：沿着所述环形主体内的弧的第一弯曲通道；第一内部通道，所述第一内部通道将所述第一弯曲通道的第一区域连接至所述环形主体的内表面的第一区域；多个...

提供了一种用于基板抛光的装置，所述装置包括用于调节抛光垫表面的调节器系统和具有真空口的真空系统。所述调节器系统包括调节器机头，所述机头构造用于容纳研磨调节器的部件。所述真空系统被配置成按照远离抛光垫表面的方向，通过真空口施加吸力到所述抛...

本公开案涉及处理系统及用于工艺腔室中的基板载体。本文描述一种永磁掩膜夹盘。永磁掩膜夹盘包括主体，具有多个永磁体定位于所述主体内。永磁体可随后传递磁力至掩膜以在基板上方或基板上定位和固持掩膜以便进一步沉积。

本发明的实施方式大体关于一种RTP腔室内的旋转装置。该旋转装置包括圆柱形内座圈、多个止推轴承及多个径向轴承。在操作期间，这些轴承产生气垫，该气垫防止旋转部分接触静止部分。

根据本公开内容的一个实施方式，一种形成金属特征的方法包括：使用第一蚀刻化学品蚀刻第一金属层的一部分，和使用第二蚀刻化学品蚀刻阻挡层的一部分以实现阻挡层底切，所述底切小于或等于阻挡层厚度的两倍。

在一个实施例中，用于沉积腔室的扩散器包括板和多个气体通道，所述板具有数个边缘区域、数个角落区域和中央区域，所述多个气体通道包括孔洞，所述多个气体通道形成在所述板的上游侧与下游侧之间，其中，在所述板的角落区域或边缘区域中的一个或多个中的孔...