本文的实施方式提供的方法用于形成PVD氧化硅或富硅氧化物、或PVDSiN或富硅SiN、或SiC或富硅SiC、或前述的组合，包括化合物中含有受控的氢掺杂的变化，以上被称为SiOxNyCz:Hw，其中w、x、y及z可以在从0％到100％的浓...

本文所述的实施方式大体涉及用于处理基板的设备。该设备大体包括处理腔室，该处理腔室包括灯箱，该灯箱包括多个灯，且定位成与光学透明窗邻近。灯箱内的灯提供辐射能至定位于基板支撑件上的基板。使用灯箱中的冷却通道有助于光学透明窗的温度控制。使用顺...

本文介绍在构建由作为顶面的顶板、作为底面的基板安装部分，及作为侧面的侧壁界定及形成的反应腔室时，支撑件在顶板的圆周边缘自圆周边缘的上侧及外侧支撑顶板，并且反应气体在设置于侧壁中的反应气体供应路径中经整流，使得反应腔室中处于反应气体流动方...

描述一种用于将无机层沉积到基板上的方法和装置。所述无机层可以是各种显示应用中使用的封装膜的部分。所述封装膜包括一或多个无机层作为阻挡层以改进防水性能。在所述无机层的沉积期间，引入含氧气体，如一氧化二氮。因此，所述无机层的应力更低，且可获...

用于混合气体的装置与系统包括：耦接至第一导管而控制第一气体的流量的第一阀、耦接至第二导管而控制第二气体的流量的第二阀、控制阀的控制器，具有耦接至所述第一导管的第一气体输入、耦接至所述第二导管的第二气体输入、及输出开口的基本区段，形成于所...

本发明的实施例是关于在基板的等离子体处理期间用于改良等离子体分布的装置。根据实施例，该装置包括电耦接至可变电容器的调节环。该电容经控制以控制射频及所产生的等离子体与调节环的耦合。整个基板的等离子体分布及所产生的沉积薄膜厚度通过调整调节环...

本发明的实施方式提供一种适合用于蚀刻高纵横比特征的诸如处理室的装置。在其他实施方式中，公开了能在高纵横比蚀刻期间获得优良处理结果的不同的室部件。例如，在一个实施方式中，提供处理室，所述处理室包括室主体，所述室主体具有设置在室主体中的喷头...

本发明公开的实施方式大致关于光学透明窗以及包括所述光学透明窗的处理腔室。光学透明窗包括在所述光学透明窗上形成的光扩散结构。光扩散结构可包括具有凸出或凹入特征的扇形或凹陷表面，或磨砂表面。光扩散结构通过减少灯不均匀辐射产生的热点使基板加热...

本文中所述的实施例大致上涉及用于形成可用于薄膜晶体管器件的多层非晶硅结构的方法。在一个实施例中，方法包括：将包含缓冲层的基板定位在工艺腔室中，此工艺腔室包括处理区；形成多个非晶硅层；以及对这些非晶硅层退火以形成多晶硅层。形成这多个层包括...

本发明涉及用于物理气相沉积腔室的沉积环及静电夹盘。本发明的实施例大体上关于用于半导体处理腔室的处理套件，以及具有该套件的半导体处理腔室。具体而言，此述的实施例关于包括沉积环与底座组件的处理套件。该处理套件的部件单独(及组合)运作以显著地...

描述一种在沉积腔室中用以运送基板(210；310)的运送器(200；300；400)。运送器包括：用以垂直地保持基板(210；310)的框架(240；250；260；270；340；350；360；370；440；450；460；470...

提供一种用于承载头的基板进动装置。该装置赋能基板进动，该基板进动是在基板的抛光期间基板相对于承载头的旋转运动。承载头与保持环组件可解耦且独立于彼此移动以在CMP工艺期间促进基板进动。

本文所述的实施方式关于一种保护涂层，所述保护涂层保护腐蚀环境内的下伏腔室部件免于受到腐蚀或劣化。所述腔室部件具有包含陶瓷材料的表面。设置在所述表面的涂层包含氧化镁、氧化镧或氟化镧。

本文提供一种用于移除排放气体的设备。在一些实施方式中，设备可包括：用于在基板处理工具中支撑一个或更多个基板的载体，所述载体具有第一排气出口和排气组件，所述排气组件包括：第一入口，所述第一入口设置于载体附近以从载体的第一排气出口接收工艺排...

本文提供一种供处理腔室中使用的气体喷射器和包括所述气体喷射器的基板处理工具。在一些实施方式中，供处理腔室中使用的气体喷射器可包括：第一组喷气孔，所述第一组喷气孔被配置成将第一工艺气体的喷射流提供至处理腔室中；和第二组喷气孔，所述第二组喷...

本公开案的实施方式涉及一种具有加热器的基板支撑组件。在一个实施方式中，基板支撑组件包括具有基板支撑表面的基板支撑基座、以及加热组件。所述加热组件设置在所述基板支撑基座中、接近所述基板支撑表面。所述加热组件配置成在所述加热组件的拐角处提供...

本发明描述电子装置处理系统。所述系统包括：主机外壳，所述主机外壳具有移送腔室、第一面、与所述第一面相对的第二面、第三面及与所述第三面相对的第四面；第一转盘组件，所述第一转盘组件耦接至第一面；第二转盘组件，所述第二转盘组件耦接至所述第三面...

可声学地监视及控制使用CMP(化学机械抛光)的TSV(穿透硅的通孔)显露工艺，以检测TSV破损并自动地响应于所述TSV破损。在CMP工艺期间，可分析由一个或多个声传感器接收的声发射，以检测TSV破损，所述一个或多个声传感器被定位成毗邻C...

提供一种用于在化学机械平面化(chemical mechanical planarizing；CMP)之后清洁基板的方法及装置。该装置包括：外壳；基板保持器，该基板保持器可在第一轴线上旋转且被配置成以基本上垂直的取向保持基板；第一垫保持...

提供沉积膜的方法，所述方法包含下列步骤：将基板的至少一部分暴露于金属前驱物，以于基板上提供第一金属，将基板的至少一部分暴露于有机金属还原剂，以于基板上沉积第二金属，以形成第一金属与第二金属的混合物或合金。可依序或同时暴露于金属前驱物及有...