提供一种用于引导幅材的幅材引导控制单元(10)。所述幅材引导控制单元(10)包括用于引导幅材的幅材引导控制单元(501)。所述幅材引导控制单元包括单个导辊(201)。所述导辊包括调整单元(310)以及两个张力测量单元(301,302)，...

本发明涉及具有可移动屏蔽件的涂布室。本发明涉及操作涂布室的方法以及一种涂布室，该涂布室包括：涂布源；传输装置，其用于将适合于承载要被涂布的衬底的衬底支架相对于涂布源移动到至少一个涂布位置中，使得衬底可以被涂布；以及至少一个第一屏蔽件，其...

提供了一种串行群集工具系统。所述系统包括：第一群集工具，具有第一多个处理腔室和至少一个第一周边腔室；第二群集工具，具有第二多个处理腔室和至少一个第二周边腔室；以及腔室间适配器元件，所述适配器元件将所述至少一个第一周边腔室联结到所述至少一...

提供一种基板载体配置，用以夹持具有将被处理的基板表面的基板。基板载体配置包括第一基板载体板(201)与第二基板载体板(202)。第二基板载体板(202)用以覆盖提供在第一基板载体板(201)中的开口(203)。基板(101)夹持在第一基...

此处提供基板支撑件的实施方式。在某些实施方式中，基板支撑件可包括支撑板，所述支撑板具有支撑表面以支撑基板；支撑环，所述支撑环用以于支撑表面的周边处支撑基板；及多个第一支撑元件，所述多个第一支撑元件布置于支撑环中，其中各个第一支撑元件的端...

本文提供用于磁电管组件的方法和设备。在一些实施方式中，磁电管组件包括：第一底板；第二底板，所述第二底板相对于第一底板在第一位置与第二位置之间是可移动的；外部磁极，所述外部磁极为环形并包括耦接至第一底板的外部磁极区段和耦接至第二底板的外部...

本公开内容的实施方式涉及用于形成具有薄保护涂层的阴极活性材料的粒子的装置和方法。该薄保护涂层改良阴极活性材料的循环和安全性能。可在阴极活性材料的粒子形成期间的多个阶段添加涂层前驱物。该化学物薄层可为完全涂层或部分涂层。该涂层可包括诸如氧...

本发明的实施例大体而言涉及一种清洁基板的方法及一种基板处理设备，所述基板处理设备设以进行所述清洁基板的方法。更具体地说，本发明的实施例涉及一种以减少或消除半导体器件特征之间的线黏附负面效应的方式清洁基板的方法。本发明的其它实施例涉及一种...

在一方面中，揭示基板抛光设备。设备具有抛光平台，抛光平台具有两个或更多个区域，每一区域适于含有不同的浆料组分。在另一方面中，提供基板抛光系统，系统具有用以托住基板的支架、具抛光垫的抛光平台和分配系统，分配系统适于按时序分配至少两种不同的...

本文所公开的实施方式一般而言涉及一种狭缝阀组件，包括：外壳，具有侧壁和在所述侧壁中形成的至少一个基板传送端口，所述外壳具有由所述侧壁限定的内部体积；狭缝阀门，安置于所述外壳内，并可定位于脱离所述基板传送端口的打开位置与密封所述基板传送端...

本文中揭露的实施方式大体上涉及衬底的处理，且更具体而言，涉及用于形成电介质膜的方法。在一实施方式中，所述方法包括：将多个衬底放置在处理腔室内部，且执行以下序列：将所述衬底暴露于包含硅的第一反应性气体，且然后将所述衬底暴露于包含氮以及氧或...

本文中揭示的实施例一般是关于在高深宽比特征中形成电介质材料。在一个实施例中，揭示一种用于在一个处理腔室中充填高深宽比沟槽的方法。所述方法包括将基板置于处理腔室内部，在所述腔室中，基板具有一表面，所述表面具有数个高深宽比沟槽，及所述表面面...

一种基板支撑组件包含陶瓷主体及接合至陶瓷主体的下表面的导热基座。基板支撑组件进一步包含保护层，该保护层覆盖陶瓷主体的上表面，其中该保护层包含钇铝石榴石(yttrium aluminum garnet；YAG)或陶瓷化合物中的至少一者，该...

本发明的实施方式涉及一种拱形结构组件。该拱形结构组件包括上拱形结构与下拱形结构。该上拱形结构包括：中心窗；以及上周边凸缘，该上周边凸缘在该中心窗的圆周处接合于该中心窗，其中在该中心窗的内侧表面上的切线相对于该周边凸缘的平坦上表面成约8°...

本文描述用于利用第一处理流体与阳极来处理微特征工件来进行多成分焊料的电化学沉积的工艺和系统。使用第一处理流体、阳极、第二处理流体与阳离子渗透性阻挡层电解处理微特征工件。阳离子渗透性阻挡层将第一处理流体与第二处理流体分隔开，同时允许某些阳...

描述用于蒸发包括碱金属或碱土金属的材料及用于沉积所述材料于基板上的沉积装置。所述装置包含：第一腔室，所述第一腔室被配置以液化材料；阀，所述阀与第一腔室流体连通且在第一腔室下游，其中阀被配置以控制液化材料通过阀的流率；蒸发区，所述蒸发区与...

所揭露的半导体处理系统包括处理腔室。该处理腔室包括上盖组件、栅电极、传导性插件，以及接地电极。每一部件耦接于一或多个电源，该等电源可运作以于该处理腔室内产生等离子体。每一部件经由置放数个绝缘构件而电气隔离。该一或多个电源利用切换机制而电...

提供一种用于基板支撑件加热器及相关腔室部件的设备，所述基板支撑件加热器及相关腔室部件具有减少的能量损失。在一个实施方式中，提供一种基板支撑件加热器。所述基板支撑件加热器包括：加热器主体，具有接收基板的第一表面以及与所述第一表面相对的第二...

描述了一种用于处理半导体基板的方法与设备。所述设备是具有光学透明的上拱形结构与下拱形结构的处理腔室。在处理过程中，处理腔室维持真空。通过沿着处理区域外的上拱形结构流动热控制流体来热控制上拱形结构。热灯被定位成靠近下拱形结构，热传感器被设...

一种制造薄膜电池的方法，所述方法可包括以下步骤：在基板上沉积覆盖层的第一堆叠，所述第一堆叠包括阴极集电器、阴极、电解质、阳极和阳极集电器；激光冲模图案化第一堆叠，以形成一个或更多个第二堆叠，各第二堆叠形成独立薄膜电池的核心；在一个或更多...