【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施例涉及微特征工件的电解处理和利用阳离子渗透性阻挡层的电解 处理工艺。
技术介绍
诸如半导体装置、成像器、显示器、薄膜头部、微机械、微机电系统 (microelectromechanical systems ;MEMS)和大的穿过晶片的通孔（large through-wafers via)之类的微特征装置通常是使用从工件沉积和/或蚀刻材料的数个机 器在微特征工件上和/或中制造而成的。许多目前的微特征装置需要互连结构及其他非常 小的亚微米尺寸特征（例如45纳米至250纳米），所述互连结构及其他非常小的亚微米尺 寸特征通过将材料沉积在小沟槽或孔内而形成。用于将材料沉积至小沟槽和/或通孔内的 一个特别有用的工艺是电解处理，例如电镀。典型电解处理技术包括电镀工艺和蚀刻工艺， 所述电镀工艺将铜、镍、铅、金、银、锡、铂及其他材料沉积在微特征工件上，所述蚀刻工艺从 微特征工件表面移除金属。 在某些电镀或蚀刻工艺中，螯合剂或络合剂用以影响金属离子在微特征工件表面 上沉积或从微特征工件表面上移除所处的电势。可存在于处理流体（processing flu...
【技术保护点】
一种用于用第二处理流体中的相对电极电解处理作为第一处理流体中的工作电极的微特征工件的工艺，所述方法包括以下步骤：(a)使所述第一处理流体接触所述微特征工件的表面，所述第一处理流体包括第一金属阳离子；(b)使第二处理流体接触所述相对电极，所述第二处理流体包括第二金属阳离子且具有在约1至约3的范围内的pH值；(c)通过在所述第一处理流体与所述第二处理流体之间提供阳离子渗透性阻挡层来允许所述第二金属阳离子从所述第二处理流体向所述第一处理流体移动，但大体上阻止所述第一金属阳离子从所述第一处理流体向所述第二处理流体的移动，其中所述第二金属阳离子从所述第二处理流体向所述第一处理流体的主...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：马文·L·伯恩特，罗斯·古莎，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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